Substrato in carburo di silicio personalizzato
PAM-XIAMEN può fornire la personalizzazione del carburo di silicio (SiC) per soddisfare le esigenze specifiche di istituti di ricerca, università e imprese per ricerca e sviluppo o produzione di massa. Abbiamo una vasta esperienza nella microfabbricazione di materiali duri e fragili, con capacità di lavorazione come taglio, lucidatura, assottigliamento, affettatura e rivestimento, in grado di soddisfare i requisiti prestazionali della progettazione del dispositivo con wafer SiC su misura. Se hai bisogno di wafer in carburo di silicio personalizzati, contattaci all'indirizzo[email protected]immediatamente per discutere le vostre esigenze con i nostri ingegneri.
1. Specifiche diSubstrato in carburo di silicio personalizzato
Dimensioni: 2, 3, 4, 6, 8 pollici e altre dimensioni quadrate
Politipo cristallo: 4H
Orientamento del cristallo: (0001) orientamento in asse o 4° fuori asse
Tipo conduttivo: tipo N, tipo P, semiisolante
Spessore personalizzato: 100um~2000um
1.1 Substrato SiC tagliato
Siamo esperti nelle tecniche di taglio, come il taglio a filo diamantato, il taglio a filo di malta, il taglio laser per cristalli di carburo di silicio.
I wafer tagliati SiC sono ampiamente utilizzati nella lavorazione e nei test di materiali in carburo di silicio per le successive apparecchiature di molatura e lucidatura.
1.2 Polaccosubstrato SiC ed
Superficie finita: CMP a doppio lato o CMP con superficie lucida/superficie Si
Processo di lucidatura: esperto nella lucidatura meccanica, nella lucidatura chimica, nella lucidatura chimico-meccanica e in altre tecniche di lucidatura
Rugosità superficiale: min. Ra<0,2 nm
Massimo. Ra <5 nm
1.3 Wafer in carburo di silicio personalizzato in dimensioni
Dimensioni: 10 * 10 mm, 20 * 20 mm, ecc.
Processo di incisione: esperto nel padroneggiare il taglio della mola, il taglio laser completo, il taglio laser a metà, il taglio invisibile al laser e il taglio laser guidato dall'acqua. Tra questi, il metodo di elaborazione che combina l'incisione invisibile al laser e la frammentazione ha un'elevata efficienza di elaborazione e soddisfa i requisiti di produzione.
1.4Wafer di assottigliamento SiC
minimo Spessore: 100um
Lavorazione: diradamento su un solo lato; diradamento su due lati
Processo: esperto nelle tecniche di assottigliamento come la molatura meccanica e la lucidatura chimico-meccanica
2. Rivestimento del substrato SiC
Il rivestimento è un processo di trattamento superficiale comunemente utilizzato, che generalmente comporta il deposito di un determinato metallo o non metallo in fase vapore sulla superficie di un materiale in un ambiente sotto vuoto, formando una pellicola sottile e densa. La qualità del rivestimento è fondamentale per la formazione funzionale dei dispositivi a semiconduttore e i materiali possono essere materiali metallici, materiali semiconduttori e materiali composti come fluoruri di ossido.
PAM-XIAMEN ha padroneggiato varie tecnologie di rivestimento SiC come evaporazione di fasci di elettroni, sputtering di magnetron, LPCVD, PECVD, deposizione di strati atomici, ecc., e può eseguire il rivestimento in base alle richieste nella nostra fonderia di carburo di silicio:
Dimensioni del wafer: 2, 3, 4, 6, 8 pollici
Spessore del rivestimento: livello nm, livello um, può essere personalizzato in base alle esigenze
Superficie di rivestimento: monofacciale o bifacciale
Strati di rivestimento: monostrato o multistrato
2.1 Film metallico per SiC
PAM-XIAMEN può lavorare metalli come Ni, Ti, Cu, Au, Pt, Al, Mo, Ni, Ag, W, Ta, Pd, Cr, ecc.
Raccontaci le tue applicazioni specifiche, ti forniremo una consulenza professionale su soluzioni personalizzate di rivestimento in carburo di silicio.
2.2 Rivestimento ottico per SiC
Il rivestimento ottico prevede principalmente il deposito di uno o più film sottili con proprietà ottiche specifiche sulla superficie del SiC per controllare la riflessione, la trasmissione, l'assorbimento e la diffusione della luce. Questi film alterano le loro proprietà ottiche attraverso effetti di interferenza, assorbimento e diffusione. PAM-XIAMEN riveste principalmente il substrato SiC con:
- Rivestimento antiriflesso (AR).
- Rivestimento di miglioramento
2.3Si3N4Rivestimento in carburo di silicio
I rivestimenti Si3N4 depositati da LPCVD e PECVD presentano vantaggi e campi applicabili. Il metodo per la deposizione di Si3N4 dipende principalmente dall'applicazione specifica e dai requisiti del processo.
Se avete bisogno di substrati personalizzati in carburo di silicio (SiC) di alta qualità per la ricerca o per applicazioni industriali, contattateci tramite e-mail all'indirizzo[email protected] e [email protected].