base GaN epitax LED

Descrizione del prodotto

Il wafer epitassiale LED è un substrato riscaldato a una temperatura appropriata. Il materiale per wafer LED è la pietra angolare dello sviluppo tecnologico per l'industria dell'illuminazione dei semiconduttori. Diversi materiali di substrato richiedono diverse tecnologie di crescita del wafer epitassiale LED, tecnologia di elaborazione dei chip e tecnologia di confezionamento del dispositivo. Il substrato per LED epi wafer determina il percorso di sviluppo della tecnologia di illuminazione dei semiconduttori. Per ottenere l'efficienza luminosa, i fornitori di wafer epitassiali prestano maggiore attenzione al wafer epitassiale LED basato su GaN, poiché il prezzo del wafer epitassiale è a basso costo e la densità dei difetti del wafer epi è piccola. Il vantaggio del wafer LED epi sul substrato GaN è la realizzazione di alta efficienza, ampia area, lampada singola e alta potenza, che rendono la tecnologia di processo semplificare e migliorare il grande tasso di rendimento. Le prospettive di sviluppo del mercato dei wafer LED epi sono ottimistiche.

1. Elenco dei wafer LED

In qualità di produttore di wafer epitassiali LED, PAM-XIAMEN può offrire wafer LED GaN Epi attivato e non attivato per applicazioni LED e diodi laser (LD), come per micro LED o wafer ultra sottile o ricerche LED UV o produttori di LED. Wafer epitassiale LED su GaN è cresciuto da MOCVD con PSS o zaffiro piatto per retroilluminazione LCD, mobile, elettronico o UV (ultravioletto), con emissione blu o verde o rossa, inclusa area attiva InGaN/GaN e strati di AlGaN con pozzo GaN/AlGaN barriera per chip di diverse dimensioni.

2. InGaN/GaNWafer epitassiale LED a base di nitruro di gallio

GaN su Al2O3-2” epi wafer Specification (LED epitax)

Tecnica 1. Crescita - MOCVD
Diametro 2.Wafer: 50,8 millimetri
3. Materiale del substrato del wafer: substrato di zaffiro modellato (Al2O3) o zaffiro piatto
4.Wafer dimensioni modello: 3X2X1.5μm

3. Struttura del wafer:

4. Parametri del wafer per fare i chip:

em	Colore	Chip Size	Caratteristiche	Aspetto
PAM1023A01	Blu	10mil 23mil x			Illuminazione
			Vf = 2.8 ~ 3.4V		retroilluminazione LCD
			Po = 18 ~ 25mW		apparecchi mobili
			Wd = 450 ~ 460nm		elettronica di consumo
PAM454501	Blu	45mil 45mil x	Vf = 2.8 ~ 3.4V		illuminazione generale
			Po = 250 ~ 300mW		retroilluminazione LCD
			Wd = 450 ~ 460nm		display esterno

5. Applicazione del wafer epitaixal LED:

*Se hai bisogno di maggiori informazioni dettagliate sul wafer epitassiale LED blu, contatta i nostri reparti vendite

Illuminazione
retroilluminazione LCD
apparecchi mobili
elettronica di consumo

6. Specifica di LED Epi Wafer come esempio:

Spec PAM190730-LED
- dimensioni: 4 pollici
- WD: 455 ± 10 nm
- luminosità:> 90 mcd
- VF: <3,3 V.
- Spessore n-GaN: <4,1㎛
- Spessore u-GaN: <2,2㎛
- substrato: substrato in zaffiro modellato (PSS)

7. Materiale Wafer LED a base di GaAs (arseniuro di gallio):

Riguardo GaAs wafer LED, vengono fatti crescere mediante MOCVD, vedi sotto lunghezza d'onda di GaAs wafer LED:
Rosso: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Giallo: 587 ~ 592 nm
Giallo / Verde: 568 ~ 573 nm

8. Definition of LED Epitaxial Wafer:

Quello che offriamo è un wafer epi LED nudo o un wafer non lavorato senza processi di litografia, contatti n- e metalli, ecc. E puoi fabbricare il chip LED utilizzando la tua attrezzatura di fabbricazione per diverse applicazioni come la ricerca sulla nano optoelettronica.

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Per queste specifiche di wafer a LED GaAs dettaglio, si prega di visitare:GaAs Epi Wafer per LED

Per le specifiche di wafer a LED UV, si prega di visitare:UV LED Epi Wafer  

 AlGaN UV LED Wafer

Per wafer di silicio LED specifiche, si prega di visitare:Wafer LED on Silicon

Per le specifiche Blu GaN LD wafer, si prega di visitare: Blu GaN LD Wafer

For Violet GaN LD Wafer, please visit: 405nm GaN Laser Diode Wafer

GaN LED Epi su Sapphire

Wafer a LED a infrarossi da 850nm e 940nm

Epi-Wafer LED AlGaAs/GaAs a infrarossi rossi da 850-880 nm e 890-910 nm

Wafer LED GaAs da 630 nm

Wafer GaN per fabbricare dispositivi a LED

Epitassia della struttura LED GaN su substrato piatto o zaffiro PSS

GaN Epitaxial Growth on Sapphire for LED

Formazione di fosse a forma di V in film di nitruro cresciuti mediante deposizione di vapore chimico metallorganico

Si-based GaN PIN Photodetector Structure

For more foundry services, please visit: GaN Foundry Services for LED Fabrication