GaAs Epiwafer

Wafer GaAs (arseniuro di gallio) GaAs (arseniuro di gallio) Wafer
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GaAs Epiwafer

PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

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Descrizione del prodotto

GaAs Epi wafer 

As a leading GaAs epi wafer foundry, PAM-XIAMEN are manufacturing various types of epiwafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD, which make a low gallium arsenide epi wafer defect. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.

We have numbers of the United States Veeco’s GEN2000, GEN200 large-scale production of epitaxial equipment production line, full set of XRD; PL-Mapping; Surfacescan, and other world-class analysis and testing equipment. The company has more than 12,000 square meters of supporting plant, including world class super-clean semiconductor and a related research and development of the younger generation of clean laboratory facilities.

Specification for all new and featured products of MBE III-V compound semiconductor epitaxial wafer:

substrato di materiale Capacità materiale Applicazione
GaAs GaAs bassa temperatura THz
GaAs GaAs / GaAlAs / GaAs / GaAs Diodo Schottky
InP InGaAs Rilevatore di PIN
InP InP / InP / InGaAsP / InP / InGaAs Laser
GaAs GaAs / AlAs / GaAs  
InP InP / InAsP / InGaAs / InAsP  
GaAs GaAs / InGaAsN / AlGaAs  
/ GaAs / AlGaAs
InP InP / InGaAs / InP fotorilevatori
InP InP / InGaAs / InP  
InP InP / InGaAs  
GaAs GaAs / InGaP / GaAs / AlInP Celle a energia solare
/ InGaP / AlInP / InGaP / AlInP
GaAs GaAs / GaInP / GaInAs / GaAs / AlGaAs / GalnP / GalnAs Celle a energia solare
/ GalnP / GaAs / AlGaAs / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs
InP InP / GaInP  
GaAs GaAs / AlInP  
GaAs GaAs / AlGaAs / GalnP / AlGaAs / GaAs Laser da 703 nm
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs  
GaAs GaAs / AlGaAs / GaAs / AlGaAs / GaAs HEMT
GaAs GaAs / AlAs / GaAs / AlAs / GaAs mHEMT
GaAs GaAs / DBR / AlGaInP / MQW / AlGaInP / GaP Wafer LED, illuminazione allo stato solido
GaAs GaAs / GalnP / AlGaInP / GaInP 635nm, 660nm, 808nm, 780nm, 785nm,
/ GaAsP / GaAs / GaAs substrato Laser 950nm, 1300nm, 1550nm
GaSb AlSb / GaInSb / InAs Rilevatore IR, PIN, rilevamento, cemera IR
silicio InP o GaAs su silicio IC / microprocessori ad alta velocità
InSb InSb drogato con berillio  
/ InSb non drogato / InSb drogato Te /

 

Gallium arsenide is currently one of the most important compound semiconductor materials with the highest mature epi wafer technology. GaAs material has the characteristics of large forbidden band width, high electron mobility, direct band gap, high luminous efficiency. Due to all all these epi wafer advantages, GaAs epitaxy is currently the most important material used in the field of optoelectronics. Meanwhile, it is also an important microelectronic material. According to the difference in electrical conductivity, GaAs epi wafer materials can be divided into semi-insulating (SI) GaAs and semiconductor (SC) GaAs.

In the field of epitaxial wafers, the epi wafer market share of RF and laser applications is very large.

 

Per specifiche più dettagliate, consultare quanto segue:

Strato epi LT-GaAs su substrato GaAs

LT GaAs Thin Film for Photodetectors and Photomixers

InGaAs coltivati ​​a bassa temperatura

Wafer epitassiali a diodi Schottky GaAs

InGaAs / InP epi wafer per PIN

InGaAsP / InGaAs su substrati InP

InGaAs APD Wafers with High Performance

 

GaAs / AlAs wafer

InGaAsN epitassialmente su wafer GaAs o InP

Struttura per fotorilevatori InGaAs

InP / InGaAs / InP wafer epi

Wafer struttura InGaAs

Wafer Epi AlGaP / GaAs per celle solari

Celle solari a tripla giunzione

Solar Cell Structure Epitaxially Grown on InP Wafer

GaAs Epitassia

Wafer epi GaInP / InP

Wafer epi AlInP / GaAs

Growth of GaAsSb / InGaAs Type-II Superlattice

 

Struttura a strati del laser 703nm

wafer laser 808nm

Wafer laser da 780 nm

 

Wafer epi GaAs PIN

AlGaAs / GaAs PIN Epitaxial Wafer

1550nm GaInAsP / InP PIN Photodiode Structure

InGaAs Photodiode Structure

GaAs / AlGaAs / GaAs epi wafer

GaAs HBT Epi Wafer

Wafer epitassiale a base di GaAs per LED e LD, vedere sotto desc.
GaAs pHEMT epi wafer (GaAs, AlGaAs, InGaAs), please see below desc.
Wafer epi GaAs mHEMT(mHEMT: transistor metamorfico ad alta mobilità elettronica)
GaAs HBT epi wafer (GaAs HBT è transistor a giunzione bipolare, che sono composti da almeno due diversi semiconduttori, che è di tecnologia basata su GaAs.) Transistor ad effetto di campo metallo-semiconduttore (MESFET)
 
Transistor ad effetto di campo eterogiunzione (HFET)
Transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT)
Transistor pseudomorfo ad alta mobilità elettronica (pHEMT)
Diodo a tunnel risonante （RTD）
Diodo PiN
dispositivi ad effetto hall
diodo a capacità variabile （VCD）
GaAs substrate, 50 nm of InAlP, and then 2.5 microns of GaAs PAM210406-INALP

 

Ora elenchiamo alcune specifiche:

GaAs HEMT epiwafer, size:2~6inch
 Voce   specifiche tecniche  osservazione
Parametro Al composizione / In composizione / Resistenza foglio Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Mobilità Hall / Concentrazione 2DEG
Tecnologia di misurazione Diffrazione dei raggi X / correnti parassite Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Sala senza contatto
Valvola tipica Dipendente dalla struttura Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
5000 ~ 6500 cm2 / V · S / 0,5 ~ 1,0 x 1012 cm-2
Tolleranza standard ± 0,01 / ± 3% / nessuno Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
GaAs (arseniuro di gallio) pHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Voce   specifiche tecniche  osservazione
Parametro Al composizione / In composizione / Resistenza foglio Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Mobilità Hall / Concentrazione 2DEG
Tecnologia di misurazione Diffrazione dei raggi X / correnti parassite Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Sala senza contatto
Valvola tipica Dipendente dalla struttura Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
5000 ~ 6800 cm2 / V · S / 2,0 ~ 3,4 x 1012 cm-2
Tolleranza standard ± 0,01 / ± 3% / nessuno Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Remark:GaAs pHEMT: Compared with GaAs HEMT, GaAs PHEMT also incorporates InxGa1-xAs,where InxAs  is constrained to x < 0.3 for GaAs-based devices. Structures grown with the same lattice constant as HEMT, but different band gaps are simply referred to as lattice-matched HEMTs.
GaAs mHEMT epiwafer, size:2~6inch
 Voce   specifiche tecniche  osservazione
Parametro In composizione / Resistenza foglio Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Mobilità Hall / Concentrazione 2DEG
Tecnologia di misurazione Diffrazione dei raggi X / correnti parassite Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Sala senza contatto
Valvola tipica Dipendente dalla struttura Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
8000~10000cm2/V ·S/2.0~3.6x 1012cm-2
Tolleranza standard ± 3% / nessuno Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
InP HEMT epiwafer, size:2~4inch
 Voce   specifiche tecniche  osservazione
Parametro In composizione / Resistenza lamiera / Mobilità Hall Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico

  

Remark: GaAs(Gallium arsenide) is a compound semiconductor material,a mixture of two elements, gallium (Ga) and arsenic (As). The uses of Gallium arsenide are varied and include being used in LED/LD, field-effect transistors (FETs), and integrated circuits (ICs)

Applicazioni del dispositivo

RF Switch, Power and low-noise amplifiers, Hall sensor, Modulatore ottico

Wireless: telefono cellulare o stazioni base

Automotive radar, MMIC, RFIC, Comunicazioni in fibra ottica

Wafer GaAs Epi per serie LED / IR:

1.Descrizione generale:

1.1 Metodo di crescita: MOCVD
1.2 GaAs epi wafer for Wireless Networking

1.3Wafer in epi GaAs per LED/ IR e LD / PD

2.Epi specifiche wafer:

2.1 Dimensione wafer: 2 "di diametro

2.2 GaAs Epi Wafer Structure(from top to bottom):

P + GaAs

p-GaP

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

DBR n-ALGaAs / AlAs

Buffer

substrato di GaAs

3.Chip sepcification (Base su 9mil * 9mil chip)

3.1 Parametro

Dimensione chip 9mil * 9mil

Spessore 190 ± 10um

Diametro elettrodo 90um ± 5um

3.2 Caratteri ottico-elettrici (Ir = 20mA, 22 ℃)

Lunghezza d'onda 620 ~ 625nm

Tensione diretta 1,9 ～ 2,2 v

Tensione inversa ≥10v

Corrente inversa 0-1uA

3.3 Caratteri di intensità della luce (Ir = 20mA, 22 ℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer avelength

Voce

Unità

Rosso

Giallo

Giallo verde

Descrizione

Lunghezza d'onda (λD)

nm

585.615.620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

IF = 20mA

Metodi di crescita: MOCVD, MBE

epitassia = crescita del film con una relazione cristallografica tra film e substrato omoepitassia (autoepitassia, isoepitassia) = il film e il substrato sono dello stesso materiale eteroepitassia = il film e il substrato sono materiali diversi. Perulteriori informazioni sui metodi di crescita, fare clic su quanto segue:https://www.powerwaywafer.com/technology.html

 

Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

InGaAs Epitaxy Sensor / Detector:

Shortwave Infrared InGaAs Sensor

InGaAs SWIR Detector

InGaAs/InAlAs Epistucture for Single Photon Detector

Epiwafer for Photonic Integrated Chip:

AlGaAs Thin Film Epitaxy for Photonic Integrated Chips

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    PAM-XIAMEN offre wafer al germanio da 2", 3", 4" e 6", che è l'abbreviazione di wafer Ge coltivato da VGF / LEC. Il wafer di germanio di tipo P e N leggermente drogato può essere utilizzato anche per esperimenti con effetto Hall. A temperatura ambiente, il germanio cristallino è fragile e ha poca plasticità. Il germanio ha proprietà dei semiconduttori. Il germanio di elevata purezza viene drogato con elementi trivalenti (come indio, gallio, boro) per ottenere semiconduttori di germanio di tipo P; e gli elementi pentavalenti (come antimonio, arsenico e fosforo) vengono drogati per ottenere semiconduttori di germanio di tipo N. Il germanio ha buone proprietà semiconduttrici, come l'elevata mobilità degli elettroni e l'elevata mobilità delle lacune.

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