PAM-XIAMEN può offrire wafer epitassiale con eterostruttura AlGaAs / GaAs p-HEMT (transistor pseudomorfo ad alta mobilità degli elettroni) cresciuto mediante processo MBE o MOCVD. L'eterostruttura ha un canale di conduzione ad alta mobilità formato da gas di elettroni bidimensionali, che è un materiale ideale per applicazioni wireless. La larghezza della linea del nostro processo GaAs pHEMT è di circa 0,15-0,5 μm, molto bassa ma con caratteristiche di altissima frequenza e basso rumore e la frequenza operativa può raggiungere i 100 GHz. Le specifiche specifiche del wafer epiaxy GaAs pHEMT sono le seguenti, possiamo anche fornire personalizzazioni Epi-wafer di GaAs:
1. GaAs pHEMT Wafer Specifications
No. 1 LN pHEMT Epi Structure (PAM160711-GAAS)
| Strato | Materiale | x | drogante | Concentration | Spessore (A) | Osservazioni |
| 12 | n+-GaAs | – | Si | 5,0E+18 cm-3 | 500 | – |
| 11 | n-AlAs | – | Si | – | – | – |
| 10 | n-AlxGa1-xCome | 0.22 | Si | – | – | – |
| 9 | Si | – | Si | 5,0E+12 cm-2 | – | – |
| 8 | AlxGa1-xCome | 0.22 | – | – | 30 | – |
| 7 | InxGa1-xCome | – | – | – | – | – |
| 6 | GaAs | – | – | – | – | – |
| 5 | AlAs | – | – | – | – | – |
| 4 | GaAs | – | – | – | – | – |
| 3 | AlAs | – | – | – | – | – |
| 2 | AlxGa1-xAs/GaAs | 0.22 | – | – | 185/15 | 10 X SL |
| 1 | GaAs | – | – | – | 5000 | – |
| SI GaAs Substrato | ||||||
No.2 Power pHEMT Epitxial Structure (PAM160711-GAAS)
| Strato | Materiale | x | drogante | Concentration | Spessore (A) | Osservazioni |
| 13 | n+-GaAs | – | Si | – | 500 | – |
| 12 | n-AlAs | – | – | – | – | – |
| 11 | GaAs | – | – | – | – | |
| 10 | n-AlxGa1-xCome | 0.24 | Si | – | – | – |
| 9 | Si | – | Si | 3.0E+12 cm-2 | – | – |
| 8 | AlxGa1-xCome | – | – | – | 25 | – |
| 7 | InxGa1-xCome | – | – | – | – | – |
| 6 | AlxGa1-xCome | – | – | – | 30 | – |
| 5 | Si | – | Si | 1.0E+12 cm-2 | – | – |
| 4 | AlxGa1-xCome | – | – | – | – | – |
| 3 | GaAs | – | – | – | – | – |
| 2 | AlxGa1-xCome | 0.24 | – | – | – | – |
| 1 | GaAs | – | – | – | – | – |
| SI GaAs Substrato | ||||||
No.3 GaAs Epi Wafers for pHEMTs (PAM161121-PHEMT)
| Layer material with doping | Spessore (A) | Doping level | Composition | Note |
| n+-GaAs | 400 | – | – | – |
| AlAs | – | – | – | – |
| GaAs | – | – | – | – |
| n-AIGaAs | – | 3E+17cm-3 | – | – |
| GaAs | 9 | – | – | – |
| Si | – | – | – | – |
| GaAs | – | – | – | – |
| i-AIGaAs | – | – | – | Spacer |
| i-GaAs | – | – | – | – |
| i-InGaAs | – | – | – | – |
| i-GaAs | – | – | – | – |
| i-AIGaAs | – | – | 0.24 | – |
| GaAs | – | – | – | |
| Si | – | 1.5E+12cm-2 | – | – |
| GaAs | 9 | – | – | – |
| i-AIGaAs | – | – | – | – |
| AIGaAs 100A/GaAs 20A superlattice 15 periods | – | – | – | – |
| i-GaAs | – | less than 5E+14cm-3 | – | – |
| S.I. GaAs substrate |
We also can provide InP-based pHEMT epitaxial wafer:
PAM160526-INP
| Strato | Materiale | Concentration | Thickness |
| 8 | N+ InxGa1-xCome | – | 20nm |
| 7 | N+ InP etch stopper | – | – |
| 6 | i-InxAl1-xAs Schottky barrier | – | – |
| 5 | Si-delta-doping | n=6×1012 cm-2 | – |
| 4 | i-InxAl1-xAs spacer | – | – |
| 3 | i-InxGa1-xAs channel | – | – |
| 2 | InxAl1-x As buffer | – | 300nm |
| 1 | metamorphic buffer (linearly graded from substrate to
InxGa1-x As) |
– | – |
| InP substrate |
Negli ultimi anni, con la divulgazione e l'applicazione dei sistemi di comunicazione mobile e Internet wireless, è stata stimolata una forte domanda di prodotti per dispositivi a semiconduttore. I materiali epitassiali semiconduttori sono una base importante per i dispositivi utilizzati nelle comunicazioni wireless. Per soddisfare le esigenze del mercato in termini di qualità e costo del prodotto, è molto importante sviluppare un processo stabile e ad alta capacità. GaAs pHEMT ha prestazioni eccellenti nel leader delle applicazioni wireless e si è spostato verso la produzione di massa. Pertanto, lo sviluppo di un processo epitassiale efficiente gioca un ruolo importante nella riduzione dei costi e dei tempi di risposta del mercato. L'epitassia a fascio molecolare (MBE) è il principale metodo tecnico per la coltivazione di materiali epitassiali GaAs pHEMT. Rispetto ad altri metodi di crescita, come la deposizione di vapore chimico organico metallico (MOCVD), MBE ha una maggiore precisione e stabilità del controllo.
2. Informazioni sul materiale epitassiale GaAs pHEMT
Il 2-DEG in pHEMT è più ristretto dell'HEMT ordinario: c'è una doppia restrizione su entrambi i lati del pozzo di potenziale, quindi ha una densità superficiale degli elettroni più alta (circa 2 volte superiore). Allo stesso tempo, anche la mobilità degli elettroni è superiore a quella del GaAs. Pertanto, le prestazioni di pHEMT sono superiori. La struttura epitassiale a doppia eterogiunzione GaAs pHEMT non solo migliora la stabilità della temperatura della tensione di soglia del dispositivo, ma migliora anche le caratteristiche volt-ampere di uscita del dispositivo, in modo che il dispositivo abbia una maggiore resistenza di uscita, una maggiore transconduttanza e una maggiore capacità di gestione corrente e frequenza operativa più elevata, rumore inferiore e così via.
Diagramma della banda energetica dell'eterogiunzione pHEMT
La mobilità del canale dei materiali epitassiali GaAs pHEMT è uno degli indicatori più importanti. L'aumento della mobilità del canale può migliorare efficacemente le prestazioni DC e RF dei prodotti pHEMT all'arseniuro di gallio (come il transistor GaAs pHEMT, l'amplificatore GaAs pHEMT e MMIC), che ha grandi effetti sui parametri dell'applicazione come transconduttanza, resistenza allo stato on, cut-off frequenza, figura di rumore, guadagno RF ed efficienza di conversione di potenza.
3. Informazioni su GaAs pHEMT
pHEMT è una struttura migliorata di transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT), noto anche come transistor ad alta mobilità elettronica pseudo-accoppiato (pHEMT), che è un transistor di potenza GaAs a radiofrequenza realizzato utilizzando uno speciale strato epitassiale cresciuto su GaAs in grado di raggiungere bassa tensione e alta efficienza quando utilizzato in telefoni cellulari e modem a radiofrequenza.
L'applicazione GaAs pHEMT è nelle bande di frequenza delle onde millimetriche e delle microonde grazie alle eccellenti proprietà di elevata mobilità degli elettroni, elevata efficienza di modulazione della corrente e bassa perdita. Quando la frequenza operativa del dispositivo entra nella banda di frequenza delle onde millimetriche, l'influenza degli effetti parassiti sulle prestazioni del dispositivo diventa molto evidente. Il modello è la base della progettazione del circuito e il metodo per estrarre con precisione i parametri del modello degli effetti parassiti ad alta frequenza dei transistor è sempre stato un punto di riferimento per la ricerca nel settore.
Con il continuo sviluppo di componenti e infrastrutture di comunicazione wireless 5G, la tecnologia GaAs pHEMT svolgerà un ruolo chiave per soddisfare le molteplici caratteristiche delle nuove reti wireless. Nello sviluppo di componenti chiave 5G, continuiamo a migliorare il nostro flusso di processo GaAs pHEMT per fornire una gamma completa di prodotti correlati in radio digitali lineari, applicazioni radar in banda V, banda E e banda W.
Per ulteriori informazioni, contattaci tramite e-mail all'indirizzo victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.