GaAs Wafer

GaAs wafer è un importante semiconduttori III-V composti, una struttura reticolare con sphalerite costante reticolare di 5,65 x 10-10m, punti di 1237 C e banda gap di 1,4 elettroni volts.Gallium arseniuro wafer fusione possono essere realizzati in materiali semi-isolanti con resistività maggiore di silicio e germanio da tre ordini di grandezza, che possono essere utilizzati per fabbricare substrati di circuiti integrati, rivelatori a infrarossi, rivelatori gamma di fotoni e così via. Perché la sua mobilità degli elettroni è 5-6 volte maggiore di quella del silicio, è stato ampiamente utilizzato nella fabbricazione di dispositivi a microonde e circuiti digitali ad alta velocità. I dispositivi a semiconduttore realizzati in GaAs presentano i vantaggi di alta frequenza, ad alta temperatura, buone prestazioni a bassa temperatura, a basso rumore e forte resistenza alle radiazioni. Inoltre, può anche essere usato per fabbricare dispositivi di trasferimento - dispositivi ad effetto di massa.

(Gallio) GaAs Wafer e epitassia: GaAs wafer, di tipo N, di tipo P o semi-isolante, formato da 2 "a 6"; GaAs epi wafer per HEMT, PHEMT, HBT e mHEMT

  • Epi Wafer per Laser Diode

    GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • GaAs (arseniuro di gallio) Wafer

    As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • GaAs Epiwafer

    PAM-XIAMEN is manufacturing various types of epi wafer III-V silicon doped n-type semiconductor materials based on Ga, Al, In, As and P grown by MBE or MOCVD. We supply custom GaAs epiwafer structures to meet customer specifications, please contact us for more information.