GaAs Epiwafer

PAM-XIAMEN sta producendo vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati con silicio epi wafer III-V basati su Ga, Al, In, As e P cresciuti da MBE o MOCVD. Forniamo strutture epiwafer GaAs personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente, contattaci per maggiori informazioni.

  • Descrizione

Descrizione del prodotto

GaAs Epi wafer

In qualità di fonderia leader di wafer epi GaAs, PAM-XIAMEN sta producendo vari tipi di materiali semiconduttori di tipo n drogati con silicio epiwafer III-V basati su Ga, Al, In, As e P cresciuti da MBE o MOCVD, che producono un basso arseniuro di gallio difetto del wafer epi. Forniamo strutture epiwafer GaAs personalizzate per soddisfare le specifiche del cliente, vi preghiamo di contattarci per ulteriori informazioni.

Abbiamo numeri di GEN2000, GEN200 produzione su larga scala della linea di produzione di attrezzature epitassiali degli Stati Uniti Veeco, set completo di XRD; Mappatura PL; Surfacescan e altre apparecchiature di analisi e test di livello mondiale. L'azienda dispone di oltre 12.000 metri quadrati di impianti di supporto, tra cui semiconduttori super puliti di classe mondiale e una relativa ricerca e sviluppo della generazione più giovane di strutture di laboratorio pulite.

Specifiche per tutti i prodotti nuovi e in primo piano del wafer epitassiale a semiconduttore composto MBE III-V:

Materiale del substrato Capacità materiale Applicazione
GaAs GaAs a bassa temperatura THz
GaAs GaAs/GaAlAs/GaAs/GaAs Diodo Schottky
InP InGaAs Rilevatore PIN
InP InP/InP/InGaAsP/InP/InGaAs Laser
GaAs GaAs/AlAs/GaAs  
InP InP/InAsP/InGaAs/InAsP  
GaAs GaAs/InGaAsN/AlGaAs  
/GaAs/AlGaAs
InP InP/InGaAs/InP fotorivelatori
InP InP/InGaAs/InP  
InP InP / InGaAs  
GaAs GaAs/InGaP/GaAs/AlInP Celle a energia solare
/InGaP/AlInP/InGaP/AlInP
GaAs GaAs/GaInP/GaInAs/GaAs/AlGaAs/GalnP/GalnAs Celle a energia solare
/GalnP/GaAs/AlGaAs/AllnP/GalnP/AllnP/GalnAs
InP InP / GaInP  
GaAs GaAs / AlInP  
GaAs GaAs/AlGaAs/GalnP/AlGaAs/GaAs Laser 703nm
GaAs GaAs/AlGaAs/GaAs  
GaAs GaAs/AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs HEMT
GaAs GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs mHEMT
GaAs GaAs/DBR/AlGaInP/MQW/AlGaInP/GaP Wafer LED, illuminazione a stato solido
GaAs GaAs/GalnP/AlGaInP/GaInP 635 nm, 660 nm, 808 nm, 780 nm, 785 nm,
Substrato /GaAsP/GaAs/GaAs Laser 950nm, 1300nm, 1550nm
GaSb AlSb/GaInSb/InAs Rivelatore IR, PIN, rilevamento, telecamera IR
silicio InP o GaAs su silicio IC/microprocessori ad alta velocità
InSb berillio drogato InSb  
/ InSb non drogato/Te InSb drogato/

 

L'arseniuro di gallio è attualmente uno dei materiali semiconduttori composti più importanti con la tecnologia epi wafer più matura. Il materiale GaAs ha le caratteristiche di ampia larghezza di banda proibita, elevata mobilità degli elettroni, band gap diretto, alta efficienza luminosa. A causa di tutti questi vantaggi dell'epi wafer, l'epitassia GaAs è attualmente il materiale più importante utilizzato nel campo dell'optoelettronica. Nel frattempo, è anche un importante materiale microelettronico. In base alla differenza di conduttività elettrica, i materiali GaAs epi wafer possono essere suddivisi in GaAs semi-isolante (SI) e GaAs semiconduttore (SC).

Nel campo dei wafer epitassiali, la quota di mercato dei wafer epi delle applicazioni RF e laser è molto ampia.

 

Per specifiche più dettagliate, consultare quanto segue:

Strato epi LT-GaAs su substrato GaAs

Film sottile LT GaAs per fotorivelatori e fotomixer

InGaAs cresciuto a bassa temperatura

Wafer epitassiali con diodo Schottky GaAs

Epi wafer InGaAs/InP per PIN

InGaAsP/InGaAs su substrati InP

Wafer InGaAs APD ad alte prestazioni

 

Wafer GaAs/AlAs

InGaAsN epitassialmente su wafer GaAs o InP

Struttura per fotorivelatori InGaAs

Epi wafer InP/InGaAs/InP

Wafer di struttura InGaAs

AlGaP/GaAs Epi Wafer per celle solari

Celle solari a tripla giunzione

Struttura della cella solare cresciuta epitassialmente su wafer InP

Epitassia GaAs

GaInP/InP epi wafer

Epi wafer AlInP/GaAs

Crescita del super reticolo GaAsSb / InGaAs di tipo II

 

Struttura a strati del laser a 703 nm

Wafer laser a 808 nm

Wafer laser da 780 nm

 

GaAs PIN epi wafer

Wafer epitassiale PIN AlGaAs / GaAs

1550nm GaInAsP / InP PIN Fotodiodo Struttura

Struttura del fotodiodo InGaAs

GaAs / AlGaAs / GaAs epi wafer

GaAs HBT Epi Wafer

Wafer epitassiale basato su GaAs per LED e LD, vedere sotto la descrizione.
Epi wafer GaAs pHEMT(GaAs, AlGaAs, InGaAs), vedere sotto la descrizione.
Epi wafer GaAs mHEMT(mHEMT: transistor metamorfico ad alta mobilità elettronica)
GaAs HBT epi wafer (GaAs HBT è transistor a giunzione bipolare, che sono composti da almeno due diversi semiconduttori, che è basato sulla tecnologia GaAs.) Transistor a effetto di campo a semiconduttore metallico (MESFET)
 
Transistor ad effetto di campo ad eterogiunzione (HFET)
Transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT)
Transistor pseudomorfo ad alta mobilità elettronica (pHEMT)
Diodo tunnel risonante (RTD)
Diodo PiN
dispositivi ad effetto hall
diodo a capacità variabile (VCD)
Substrato GaAs, 50 nm di InAlP e quindi 2,5 micron di GaAs PAM210406-INALP

 

Ora elenchiamo alcune specifiche:

GaAs HEMT epiwafer, dimensioni: 2 ~ 6 pollici
 Voce   Specifiche  osservazione
Parametro Composizione Al/In composizione/Resistenza lamiera Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Mobilità della sala/Concentrazione 2DEG
Tecnologia di misurazione Diffrazione di raggi X/Corrente parassita Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Sala senza contatto
Valvola tipica Dipendente dalla struttura Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
5000~6500cm2/V ·S/0.5~1.0x 1012cm-2
Tolleranza standard ±0,01/±3%/nessuno Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
GaAs (arseniuro di gallio) Epiwafer pHEMT, dimensioni: 2 ~ 6 pollici
 Voce   Specifiche  osservazione
Parametro Composizione Al/In composizione/Resistenza lamiera Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Mobilità della sala/Concentrazione 2DEG
Tecnologia di misurazione Diffrazione di raggi X/Corrente parassita Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Sala senza contatto
Valvola tipica Dipendente dalla struttura Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
5000~6800cm2/V ·S/2.0~3.4x 1012cm-2
Tolleranza standard ±0,01/±3%/nessuno Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Nota: GaAs pHEMT: rispetto a GaAs HEMT, GaAs PHEMT incorpora anche InxGa1-xAs, dove InxAs è vincolato a x < 0,3 per i dispositivi basati su GaAs. Le strutture cresciute con la stessa costante reticolare dell'HEMT, ma diversi band gap sono semplicemente indicate come HEMT abbinati al reticolo.
Epiwafer GaAs mHEMT, dimensioni: 2 ~ 6 pollici
 Voce   Specifiche  osservazione
Parametro In composizione/resistenza del foglio Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Mobilità della sala/Concentrazione 2DEG
Tecnologia di misurazione Diffrazione di raggi X/Corrente parassita Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
Sala senza contatto
Valvola tipica Dipendente dalla struttura Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
8000~10000cm2/V ·S/2.0~3.6x 1012cm-2
Tolleranza standard ± 3% / nessuno Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico
InP HEMT epiwafer, dimensioni: 2 ~ 4 pollici
 Voce   Specifiche  osservazione
Parametro In composizione/Resistenza lamiera/Mobilità Hall Si prega di contattare il nostro dipartimento tecnico

  

Nota: GaAs (arseniuro di gallio) è un materiale semiconduttore composto, una miscela di due elementi, gallio (Ga) e arsenico (As). Gli usi dell'arseniuro di gallio sono vari e includono l'uso in LED/LD, transistor ad effetto di campo (FET) e circuiti integrati (IC)

Applicazioni del dispositivo

Interruttore RF,Amplificatori di potenza e a basso rumore,sensore Hall,Modulatore ottico

Wireless: telefono cellulare o stazioni base

Radar automobilistico,MMIC, RFIC,Comunicazioni in fibra ottica

GaAs Epi Wafer per serie LED/IR:

1. Descrizione generale:

1.1 Metodo di crescita: MOCVD
Epi wafer 1.2 GaAs per reti wireless

1.3GaAs epi wafer per LED/IR e LD/PD

Specifiche wafer 2.Epi:

2.1 Dimensione wafer: 2” di diametro

2.2 Struttura GaAs Epi Wafer (dall'alto verso il basso):

P + GaAs

p-GaP

p-AlGaInP

MQW-AlGaInP

n-AlGaInP

DBR n-ALGaAs / AlAs

Buffer

Substrato GaAs

3.Chip sepcification (Base su chip 9mil * 9mil)

3.1 Parametro

Dimensione del chip 9mil * 9mil

Spessore 190±10um

Diametro dell'elettrodo 90um±5um

3.2 Caratteri ottico-elettrici (Ir=20mA,22℃)

Lunghezza d'onda 620~625 nm

Tensione diretta 1.9~2.2v

Tensione inversa ≥10v

Corrente inversa 0-1uA

3.3 Caratteri di intensità della luce (Ir=20mA,22℃)

IV (MCD) 80-140

3.4 Epiwafer lunghezza media

Voce

Unità

Rosso

Giallo

Giallo verde

Descrizione

Lunghezza d'onda (λD)

nm

585.615.620 ~ 630

587 ~ 592

568 ~ 573

IF = 20mA

Metodi di crescita: MOCVD, MBE

epitassia = crescita del film con relazione cristallografica tra film e substrato omoepitassia (autoepitassia, isoepitassia) = pellicola e substrato sono dello stesso materiale eteroepitassia = pellicola e substrato sono materiali diversi. Perulteriori informazioni sui metodi di crescita, fare clic su quanto segue:https://www.powerwaywafer.com/technology.html

 

Remark:
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!

Sensore/rilevatore di epitassia InGaAs:

Sensore InGaAs a infrarossi a onde corte

Rilevatore InGaAs SWIR

InGaAs/InAlAs Epistucture for Single Photon Detector

Epiwafer for Photonic Integrated Chip:

AlGaAs Thin Film Epitaxy for Photonic Integrated Chips

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