Perché i data center scelgono il materiale semiconduttore GaN?

Perché i data center scelgono il materiale semiconduttore GaN?

Con lo sviluppo del cloud computing, della mobilità, dell'Internet delle cose, dell'apprendimento automatico, ecc., anche la domanda di archiviazione di big data e elaborazione informatica è aumentata in modo significativo. Una maggiore elaborazione dei dati significa un maggiore consumo di energia, portando alla costruzione di data center aggiuntivi e infrastrutture di supporto. Con l'espansione dei data center in tutto il mondo, è necessario gestire i data center in modo più affidabile ed efficiente. Il nitruro di gallio (GaN), in particolare il wafer GaN HEMT epi, è uno dei materiali semiconduttori ideali per i data center, che possono essere offerti da PAM-XIAMEN. Per ulteriori wafer GaN HEMT, vederehttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.GaN wafer

Essendo un semiconduttore a banda larga, la caratteristica principale del nitruro di gallio (GaN) è l'elevata efficienza di conversione della potenza. Soprattutto in scenari ad alto consumo energetico come i data center, GaN porterà significativi effetti di risparmio energetico grazie alla sua elevata efficienza. Ecco perché scegli il materiale GaN per i data center. Più precisamente come segue:

Attualmente, ci sono più di 7 milioni di data center operativi in ​​tutto il mondo, che consumano l'equivalente del 2% del consumo globale di elettricità nel 2019. Di questo, circa il 30% dell'elettricità viene utilizzata per raffreddare la struttura. Pertanto, aumentando l'efficienza del server e riducendo le perdite di potenza e calore, è possibile ottenere un notevole risparmio energetico; costi di energia elettrica e CO2le emissioni possono essere ridotte.

Banca dati

Data Center

1. Risparmiare energia con GaN

Il costo operativo maggiore di un data center è la potenza su cui funzionano i server, che può arrivare fino al 40% del costo operativo totale. Di solito viene sprecato circa il 5%-10% dell'energia elettrica. Inoltre, entro il 2020, il consumo energetico del data center dovrebbe aumentare a circa 140 miliardi di kilowattora all'anno, il che si traduce in 13 miliardi di dollari in bollette elettriche annuali e quasi 150 milioni di tonnellate di emissioni di carbonio.

Si prevede che i progressi nella progettazione dell'alimentazione utilizzando GaN anziché transistor al silicio riducano il consumo di energia di diverse percentuali. Oltre ai vantaggi in termini di risparmio energetico, queste tecnologie possono facilitare l'adozione di un numero inferiore o inferiore di alimentatori nel data center, riducendo così la necessità di spazio e alimentazione del data center.

2. Migliorare l'efficienza con GaN

Il consumo di energia in un data center è una combinazione complessa di perdita di potenza e raffreddamento. In un data center, l'alimentazione fornita ai server richiede conversioni multiple e circa il 30% dell'energia viene perso a causa dell'inefficienza.

La tecnologia GaN può aumentare l'efficienza complessiva del data center fino all'84%. I dispositivi GaN utilizzati per la conversione dell'alimentazione da corrente alternata (CA) a corrente continua (CC) e quindi per la conversione dell'alimentazione in corrente continua (CC) dei carichi, possono aumentare l'efficienza complessiva dal 77% originale all'84%, mantenendo il data center funzionando correttamente.

3. Risparmio sui costi di GaN

È stato riferito che i dispositivi GaN possono ridurre i costi di alimentazione di oltre 2.300 dollari per rack e risparmiare oltre 240 milioni di dollari in costi operativi complessivi. La densità di alimentazione dei data center aumenterà di oltre il 25%, aggiungendo $ 1,4 miliardi di opportunità di guadagno per gli operatori di data center in tutto il mondo, differendo quasi $ 1,1 miliardi di spese in conto capitale ritardando la costruzione del data center.

Le enormi quantità di dati in arrivo stanno determinando la necessità di un'infrastruttura di data center sempre più scalabile, efficiente e flessibile. I sistemi di alimentazione che utilizzano dispositivi al nitruro di gallio (GaN) offrono una maggiore efficienza di conversione della potenza. Gli investimenti in questa tecnologia ad alte prestazioni significano una maggiore efficienza energetica e spaziale grazie alla creazione di sistemi di alimentazione più piccoli, più leggeri, a costi inferiori e più efficienti. La tecnologia al nitruro di gallio (GaN) consentirà agli operatori di data center non solo di gestire meglio le proprie attività, ma in definitiva di svolgere un ruolo importante nel cambiare il mondo dell'energia e dei dati.

Pertanto, l'utilizzo di materiale semiconduttore GaN per creare un sistema di alimentazione più piccolo, più leggero, a costi inferiori e più efficiente può offrire una maggiore efficienza di conversione dell'energia, soddisfacendo le esigenze di sviluppo dei data center.

Per ulteriori informazioni, contattaci tramite e-mail all'indirizzo victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.

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