Gan rtd wafer epitassiale *s
Due to the early start of research on GaAs based RTDs (resonant tunneling diodes) and the high maturity of related products, RTDs based on III group arsenide material systems have achieved commercial applications. Compared with GaAs materials, GaN materials have a wider bandgap, higher saturation electron rate, and thermal stability. Therefore, GaN based RTDs have the potential to achieve higher operating frequencies and output power at room temperature. Moreover, the AIN/GaN heterojunction interface has a large conduction band order (~2.1eV), which makes the AI (Ga) N/GaN double barrier RTD have good tunability. PAM-XIAMEN can grow GaN RTD epitaxial wafer, with the following epi-structure as an example. We also offer customized growth services. Send your structure to [email protected], ti supporteremo professionalmente.
1. Struttura epitassiale GAN RTD
| Strato Epi | Materiale | Spessore | Concentrazione di doping |
| Livello di contatto | n-GaN | – | Si ： 2*1019cm-3 |
| distanziatore | Uid gan | – | |
| Barriera tunneling | AIN | – | |
| QW | GaN | – | |
| Barriera tunneling | AIN | 1,5 nm | |
| distanziatore | Uid gan | – | |
| Livello di contatto | n-GaN | – | – |
| Buffer | tampone GaN | ||
| Substrato | FS Gan o Modello Gan/Sapphire |
RTD è un dispositivo di effetto quantistico e anche un dispositivo di tipo verticale. I diodi di tunneling a base di nitruro sono considerati dispositivi ideali per raggiungere fonti di oscillazione terahertz ad alta potenza a temperatura ambiente e sono attualmente un argomento caldo nella ricerca RTD a livello internazionale. Il materiale GAN stesso ha un grande Phonon Energy ottico longitudinale (LO) (92MEV), che può essere studiato attraverso dispositivi RTD a base di GAN per studiare il meccanismo di transizione interbanda in nitruri, gettando le basi per la realizzazione di dispositivi ottici di transizione interband, come i laser a cascata quantistica a temperatura ambiente.
2. PerformanceSTudy di GanResonanteTunnelingDiodes onDdiversoSubstrati
Un team ha studiato le differenze di prestazione di ALN/GAN RTDS coltivati sul substrato GAN (FS) indipendente e sul modello GAN/Sapphire. I risultati della ricerca indicano che la corrispondenza reticolare e la corrispondenza termica del substrato sono cruciali per la qualità della crescita epitassiale e le prestazioni del dispositivo di RTDS. Una minore densità di difetto, la morfologia della superficie piana e le brusche interfacce di eterojunzione sono fattori chiave per raggiungere le caratteristiche di resistenza differenziale negativa a temperatura ambiente (NDR). Inoltre, rispetto al substrato di zaffiro, il substrato GAN FS ha una migliore corrispondenza reticolare e abbinamento termico, consentendo la crescita di strati epitassiali GAN di alta qualità e raggiungendo le caratteristiche NDR a temperatura ambiente.
Questo studio conferma anche la possibilità di un controllo preciso del tunneling risonante da parte di nitridi su substrati di zaffiro, fornendo una scelta del substrato nuovo, più economico e più economico e più economico per raggiungere le strutture di tunneling risonante di nitruro e persino a substrati e persino a substrati.
In futuro, sono necessarie ulteriori ricerche approfondite per studiare il meccanismo di crescita degli RTD basati su GAN su due substrati utilizzando il metodo MBE ed esplorare i metodi per ridurre la densità dei difetti e migliorare le prestazioni del dispositivo.
* Licenza necessaria.
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