Cosa forniamo:
| Voce | non drogato N- | Si drogato N+ | Semi-isolante | P+ |
| substrato GaN autoportante | sì | sì | sì | |
| GaN su zaffiro | sì | sì | sì | sì |
| InGaN su zaffiro | sì | *** | ||
| AlN su zaffiro | sì | |||
| wafer LED | (p+GaN/MOW/N+GaN/N-AlGaN/N+GaN/N-GaN/zaffiro) | |||
Substrato GaN indipendente/GaN su zaffiro/wafer LED:
Per le specifiche del substrato GaN indipendente/GaN su zaffiro/wafer LED, vedereLEDWafer di nitruro di gallio:
http://www.qualitymaterial.net/products_7.html
InGaN su Zaffiro:
Per le specifiche di InGaN sul modello in zaffiro, vedereSubstrato InGaN:
https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html
AlN su Zaffiro:
Per le specifiche di AlN su modello in zaffiro, vederesubstrato AlN:
http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrate.html
AlGaN/GaN su Zaffiro：
Per AlGaN/GaN su modello zaffiro, vedereAlGaN/GaN:
https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html
Costante reticolare del substrato GaN
I parametri reticolari del nitruro di gallio sono stati misurati mediante diffrazione di raggi X ad alta risoluzionere
GaN, struttura wurtzite. Le costanti del reticolo a rispetto alla temperatura.
GaN, struttura wurtzite. Le costanti reticolari c rispetto alla temperatura
Proprietà disubstrato GaN
| PROPRIETÀ / MATERIALE | Cubic (Beta) GaN | GaN . esagonale (alfa) |
| . | . | . |
| Struttura | Miscela di zinco | wurzite |
| Gruppo Spaziale | F bar4 3m | C46v( = P63mc) |
| Stabilità | Metastabile | Stabile |
| Parametro/i reticolo/i a 300K | 0,450 nm | a0 = 0,3189 nm |
| c0 = 0,5185 nm | ||
| Densità a 300K | 6,10 g.cm-3 | 6.095 g.cm-3 |
| Moduli Elastici a 300 K | . . . | . . . |
| Coeff. di dilatazione termica lineare | . . . | Lungo a0: 5.59×10-6K-1 |
| a 300 K | Lungo c0: 7.75×10-6K-1 | |
| Polarizzazioni spontanee calcolate | Non applicabile | – 0,029 C m-2 |
| Bernardini et al 1997 | ||
| Bernardini & Fiorentini 1999 | ||
| Coefficienti piezoelettrici calcolati | Non applicabile | e33 = + 0,73 C m-2 |
| e31 = – 0,49 C m-2 | ||
| Bernardini et al 1997 | ||
| Bernardini & Fiorentini 1999 | ||
| A1(TO): 66,1 meV | ||
| E1(TO): 69,6 meV | ||
| Energie fonon | A: 68,9 meV | E2: 70,7 meV |
| LO: 91,8 meV | A1(LO): 91,2 meV | |
| E1(LO): 92,1 meV | ||
| Debye Temperatura | 600K (stimato) | |
| Slack, 1973 | ||
| . . . | Unità: Wcm-1K-1 | |
| 1.3, | ||
| Tansley et al 1997b | ||
| 2.2±0.2 | ||
| per GaN . spesso e autoportante | ||
| Vaudo et al, 2000 | ||
| 2,1 (0,5) | ||
| per materiale LEO | ||
| dove poche (molte) dislocazioni | ||
| Conduttività termica | Florescu et al, 2000, 2001 | |
| vicino a 300K | ||
| circa da 1,7 a 1,0 | ||
| per n=1×1017a 4×1018cm-3 | ||
| in materiale HVPE | ||
| Florescu, Molnar et al, 2000 | ||
| 2,3 ± 0,1 | ||
| in materiale HVPE drogato con Fe | ||
| di ca. 2 x108 ohm-cm, | ||
| e densità di dislocazione ca. 105centimetro-2 | ||
| (sono dati anche gli effetti di T e la densità di dislocazione). | ||
| Mion et al, 2006a, 2006b | ||
| Punto di fusione | . . . | . . . |
| Costante dielettrica | . . . | Lungo a0: 10.4 |
| a bassa/bassa frequenza | Lungo c0: 9,5 | |
| Indice di rifrazione | 2.9 a 3eV | 2,67 a 3,38 eV |
| Tansley et al 1997b | Tansley et al 1997b | |
| Natura del divario energetico Eg | Diretto | Diretto |
| Divario energetico Ad esempio a 1237K | 2.73 eV | |
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| Energy Gap Eg at 293-1237 K | 3.556 – 9.9×10-4T2 / (T+600) eV | |
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| Gap energetico Ad es. a 300 K | 3.23 eV | 3.44 eV |
| Ramirez-Flores et al 1994 | Monemar 1974 | |
| . | . | |
| 3.25 eV | 3.45 eV | |
| Logothetidis et al 1994 | Koide et al 1987 | |
| . | ||
| 3.457 eV | ||
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| Divario energetico Ad esempio a ca. 0 K | 3.30 eV | 3.50 eV |
| Ramirez-Flores et al1994 | Dingle et al 1971 | |
| Ploog et al 1995 | Monemar 1974 | |
| Portatore Intrinseco Conc. a 300 K | . . . | . . . |
| Energia di ionizzazione di . . . Donatore | . . . . | . . . . |
| Massa efficace dell'elettrone me*/m0 | . . . | 0.22 |
| Moore et al, 2002 | ||
| Mobilità degli elettroni a 300 K | . . . | . |
| per n = 1×1017centimetro-3: | circa. 500 cm2V-1s-1 | |
| per n = 1×1018centimetro-3: | circa. 240 cm2V-1s-1 | |
| per n = 1×1019centimetro-3: | circa. 150 cm2V-1s-1 | |
| Rode & Gaskill, 1995 | ||
| Tansley et al 1997a | ||
| Mobilità elettronica a 77 K | . . . . | . . . . |
| per n = . . | ||
| Energia di ionizzazione degli accettori | . . . | Mg: 160 meV |
| Amano et al 1990 | ||
| Mg: 171 meV | ||
| Zolper et al 1995 | ||
| Ca: 169 meV | ||
| Zolper et al 1996 | ||
| Mobilità della sala buche a 300 K | . . . | . . . . |
| per p= . . . | ||
| Mobilità della sala buche a 77 K | . . . . | . . . |
| per p= . . . | ||
| . | Cubic (Beta) GaN | GaN . esagonale (alfa) |
Applicazione del substrato GaN
Il nitruro di gallio (GaN), con una banda proibita diretta di 3,4 eV, è un materiale promettente nello sviluppo di dispositivi emettitori di luce a lunghezza d'onda corta. Altre applicazioni di dispositivi ottici per GaN includono laser a semiconduttore e rilevatori ottici.