base GaN epitax LED

GaN based LED Epitaxial Wafer

Il wafer epitassiale LED basato su GaN (nitruro di gallio) di PAM-XIAMEN è indicato per l'applicazione di diodi a emissione di luce blu e verde (LED) e diodi laser (LD) ad altissima luminosità.

  • Descrizione

Product Description

InGaN/GaN(gallium nitride) based LED Epitaxial Wafer

As LED wafer manufacturer,we offer GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile,electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission,including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

GaN on Al2O3-2” epi wafer Specification(LED Epitaxial wafer)

White: 445~460 nm
Blue:  465~475 nm
Green: 510~530 nm


Tecnica 1. Crescita - MOCVD
Diametro 2.Wafer: 50,8 millimetri
3.Wafer substrate material: Patterned Sapphire Substrate(Al2O3) or Flat Sapphire
4.Wafer dimensioni modello: 3X2X1.5μm

Struttura 5.Wafer:

strati di struttura Thickness(μm)
p-GaN 0.2
p-AlGaN 0.03
InGaN / GaN (area attiva) 0.2
n-GaN 2.5
u- GaN 3.5
Al2O3 (substrato) 430


parametri 6.Wafer per fare chip:

Voce Colore Chip Size Caratteristiche Aspetto  
PAM1023A01 Blu 10mil 23mil x     Illuminazione
Vf = 2.8 ~ 3.4V retroilluminazione LCD
Po = 18 ~ 25mW apparecchi mobili
Wd = 450 ~ 460nm elettronica di consumo
PAM454501 Blu 45mil 45mil x Vf = 2.8 ~ 3.4V   illuminazione generale
Po = 250 ~ 300mW retroilluminazione LCD
Wd = 450 ~ 460nm display esterno


7.Application of LED epitaixal wafer:*If you need to know more detail information of Blue LED Chip, please contact with our sales departments

retroilluminazione LCD
apparecchi mobili
elettronica di consumo

8.Specification of LED Wafer as an example:

Spec PAM190730-LED
– size : 4 inch
– WD : 455 ± 10nm
– brightness : > 90mcd
– VF : < 3.3V
– n-GaN Thickness : <4.1㎛
– u-GaN thickness : <2.2㎛
– substrate : patterned sapphire substrate (PSS)

9.GaAs(Gallium arsenide)based LED Wafer:

Riguardo GaAs wafer LED, vengono fatti crescere mediante MOCVD, vedi sotto lunghezza d'onda di GaAs wafer LED:
Rosso: 585nm, 615nm, 620 ~ 630nm
Yellow:587 ~ 592nm
Yellow/Green: 568 ~ 573nm

10. Definition of LED wafer:

What we offer is bare LED epi wafer or not processed wafer without lithography processes, n- and metals contacts, etc. And you can fabricate the LED chip using your fabrication equipment for different application such as nano optoelectronics research.


Per queste specifiche di wafer a LED GaAs dettaglio, si prega di visitare:GaAs Epi Wafer per LED

Per le specifiche di wafer a LED UV, si prega di visitare:UV LED Epi Wafer  

Per wafer di silicio LED specifiche, si prega di visitare:Wafer LED on Silicon

Per le specifiche Blu GaN LD wafer, si prega di visitare: Blu GaN LD Wafer

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Wafer a LED a infrarossi da 850nm e 940nm

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