Wafer epitassiale GaN HEMT

Descrizione

Il wafer epitassiale Gan Hemt è un film multistrato cresciuto epitassialmente su un substrato, che di solito include uno strato di nucleazione, uno strato di transizione, uno strato tampone, uno strato di canale, uno strato di barriera, uno strato di cappuccio e uno strato di passivizione dal basso verso l'alto. Lo strato di nucleazione, come Algan o ALN, viene utilizzato per evitare che il materiale del substrato si diffonda allo strato epitassiale GAN. Lo strato di transizione può contenere Algan gerarchico, Aln/Gan Superlattice o MultiLyer ALN per bilanciare lo stress tra il GAN ​​e il substrato. Maggiore è il contenuto di AL nello strato barriera di Algan, maggiore è la concentrazione di 2deg all'eterojunzione. Nel frattempo, minore è la tensione di soglia del dispositivo e maggiore è la capacità di corrente. Con l'aumentare del rapporto AL, il grado di disallineamento reticolare eterogeneo sarà più elevato, con conseguente riduzione della mobilità degli elettroni dell'hemt di nitruro di gallio e una riduzione della capacità di corrente.

L'elevato transistor per mobilità elettronica (HEMT) è sviluppato in base a GAN con eterostruttura unica e gas elettronico bidimensionale. I vantaggi GAN HEMT includono elevata resistenza alla rottura, bassa resistenza e più velocemente la velocità di commutazione, che è molto adatta per sistemi di alimentazione media e bassa e media e piccola, come adattatori da viaggio, caricabatterie wireless, convertitori AC-DC, abilitanti, ecc. V. Con il rapido sviluppo della tecnologia EPI HEMT di nitruro di gallio, il prezzo dei dispositivi GAN HEMT sarà competitivo, il che può guadagnare un mercato GAN HEMT di grandi dimensioni per i produttori di HEMT GAN. Inoltre, a causa dell'affidabilità dell'HEMT di nitruro di gallio, può essere ampiamente utilizzato nei campi industriali, come inverter fotovoltaici, sistemi di accumulo di energia e veicoli elettrici.

1. Materiale GAN HEMT: Dimensione disponibile: 2 ", 4", 6 ", 8":

Parametri più specifici del wafer HEMT di Nitruro di gallio per GAn Hemts in modalità D, GAN E-MODE E-MODE, amplificatore di potenza Gan Hemt e RF, fare riferimento a:

GaN su Si per potenza, modalità D

GaN su Si per potenza, modalità E

GaN su Si per RF

GaN su Sapphire per la potenza

GaN su zaffiro per RF

GaN su SiC per RF

GaN su GaN

Siamo esperti nella struttura HEMT, offriamo anche wafer Epi Gan Hemt per molti anni.
Per il substrato di silicio, dobbiamo sapere se cresci l'hemt gan su silicio per potenza o RF, è diverso. Se necessario, si prega di contattare[email protected]per i dettagli.
Per SIC, dovresti usare semi-insulante.
Oppure puoi acquistare la struttura di Algan/Gan HEMT su queste tre strutture da noi.

2. Ora ti mostriamo un esempio come segue:

2.1 Wafer epitassiali da 2 ″ (50,8 mm) GAN HEMT

Offriamo wafer HEMT a nitruro di gallio da 2 "(50,8 mm), la struttura dell'hemt Gan è la seguente:

Struttura (dall'alto verso il basso):

*tappo GaN non drogato (2~3nm)

AlxGa1-xN (18~40 nm)

AlN(strato tampone)

GaN non drogato (2~3um)

Substrato di zaffiro

* Possiamo usare SI3N per sostituire GAN nella parte superiore, l'adesione è forte, è rivestita da Sputter o PECVD.

2.2 Wafer Epi ALGAN/GAN HEMT su zaffiro/gan

Strato #	Composizione	Spessore	X	drogante	Concentrazione del portatore
5	GaN	2Nm	-	-	-
4	AlxGa1–xN	8Nm	0.26	-	-
3	AIN	1nm	Un-drogato
2	GaN	≥1000 nm	Un-drogato
1	Buffer/Livello di transizione	-	-
Substrato	Silicio	350μm／625μm	-

2,3 2 ″ (50,8 mm), 4 ″ (100 mm) Wafer Epi ALGAN/GAN HEMT su Si

2.3.1 Specifiche per nitruro di gallio in alluminio (algan) / gallio nitruro (GaN) Transistor ad alta mobilità elettronica (HeMT) sul substrato di silicio.

Requisiti	Specifica
Wafer Epi HEMT AlGaN/GaN su Si
Struttura HEMT AlGaN/GaN	Fare riferimento 1.2
Materiale del substrato	Silicio
Orientamento	<111>
Metodo di crescita	Float Zone
Tipo di conduzione	P o N
Dimensioni (pollici)	2” , 4”
Spessore (μm)	625
Didietro	Ruvido
Resistività (Ω-cm)	>6000
Arco (um)	≤ ± 35

2.3.2 Struttura EPI: epilayer senza crepe

Strato #	Composizione	Spessore	X	drogante	Concentrazione del portatore
5	GaN	2Nm	-	-	-
4	AlxGa1–xN	8Nm	0.26	-	-
3	AIN	1nm	Un-drogato
2	GaN	≥1000 nm	Un-drogato
1	Buffer/Livello di transizione	-	-
Substrato	Silicio	350μm／625μm	-

2.3.3 Proprietà elettriche della struttura dell'HEMT Algan/Gan

2DEG Mobility (a 300 K): ≥1.800 cm2/vs

Densità portante del foglio 2DEG (a 300 K): ≥0,9 × 1013 cm-2

Rugosità RMS (AFM): ≤ 0,5 nm (area di scansione 5,0 µm × 5,0 µm)

2,4 2 ″ (50,8 mm) Algan/Gan su Sapphire

Per le specifiche di Algan/Gan sul modello di zaffiro, si prega di contattare il nostro dipartimento di vendita: [email protected].

Applicazioni GaN HEMT:Utilizzato in diodi laser blu, LED ultravioletti (fino a 250 nm) e dispositivo Algan/Gan Hemts.

3. Spiegazione di Algan/Al/Gan Hemts:

Le hemts di nitruro vengono sviluppate intensamente per l'elettronica ad alta potenza nelle applicazioni di amplificazione e commutazione di alimentazione ad alta frequenza. Spesso le prestazioni elevate nel funzionamento a CC vengono perse quando l'HEMT viene commutato, ad esempio, il collasso a corrente quando il segnale di gate viene pulsato. Si pensa che tali effetti siano correlati all'intrappolamento della carica che maschera l'effetto del cancello sul flusso di corrente. Le piastre di campo sugli elettrodi di origine e gate sono stati utilizzati per manipolare il campo elettrico nel dispositivo, mitigando tali fenomeni di collasso di corrente.

4. GAN EpitaxialTechnology - Epitassia GAN personalizzata su substrato SIC, Si e Sapphire per Hemts, LED:

Wafer epitassiali GAN HEMT (Gan Epi-Wafer)

Pam Xiamen offre una crescita epitassiale di HEMT a base di Algan/Gan su SI Wafer

5. Dispositivo GaN:

GaN SBD

GaN HEMT

6. Apparecchiatura di caratterizzazione del test:

Resistenza del foglio senza contatto

Mappatura dello spessore del film sottile laser

Distorsione inversa ad alta temperatura/alta umidità

Shock termico

Microscopio DIC Nomarski

Microscopio a forza atomica (AFM)

Scansione delle difettosità superficiali

Bias inverso ad alta temperatura

Resistenza del foglio 4PP

Mobilità delle sale senza contatto

Ciclo della temperatura

Diffrazione dei raggi X (XRD)/Riflessione (XRR)

Spessore dell'ellissometro

Profilometro

Tester CV

7. Fabbricazione in fonderia:

offriamo anche fonderiaGaN HEMTfabbricazione nel seguente processo come segue:

Epitassia MOCVD

Sputtering di metalli/E-Beam

Incisione su metallo/dielettrico a secco/bagnato

PECVD/LPCVD/sputtering

RTA/ricottura in forno

Fotolitografia (0,35um min. CD)

Impianto ionico

 

Nota:
Il governo cinese ha annunciato nuovi limiti all'esportazione di materiali di gallio (come GAAS, GAN, GA2O3, GAP, INGAAS e GASB) e materiali di germanio usati per realizzare chip di semiconduttori. A partire dal 1 agosto 2023, esportazione di questi materiali è consentito solo se otteniamo una licenza dal Ministero del Commercio cinese. Spero per la tua comprensione e cooperazione!

Altri servizi di fabbricazione, visitare:Servizi di fabbricazione GAN per dispositivi HEMT

Epi-wafer GaN/SiC HEMT

Wafer Epi Arsenide in alluminio gallio

650 V GAN FETS Chip per carica rapida

Struttura del MOSFET GaN:

Struttura MOSFET GAN sul substrato SIC

Maggiori informazioni sulle strutture Gan Hemt, leggi:

Cosa colpisce il 2Deg del wafer di Algan/Gan Hemt?