substrato GaN autoportante

substrato GaN autoportante

PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di fabbricazione per autoportante (nitruro di gallio) substrato GaN wafer, che è per UHB-LED e LD. Cresciuto dalla tecnologia idruro fase vapore epitassia (HVPE), nostro substrato GaN ha una bassa densità di difetti.

  • Descrizione

Descrizione del prodotto

substrato GaN autoportante

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our substrato GaN for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Specificazione di substrato autoportante GaN

 Qui mostra specifica di particolare:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN100-N+
Tipo conduzione N type/Si doped
Dimensione 4″(100)+/-1mm
Spessore 480+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 32+/-1mm
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 18+/-1mm
Resistività (300K) <0.05Ω·cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Polished.
superficie utile ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN100-N-
Tipo conduzione N type/undoped
Dimensione 4″(100)+/-1mm
Spessore 480+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 32+/-1mm
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 18+/-1mm
Resistività (300K) <0.5Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Polished.
superficie utile ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN100-SI
Tipo conduzione Semi-Insulating
Dimensione 4″(100)+/-1mm
Spessore 480+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 32+/-1mm
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 18+/-1mm
Resistività (300K) >10^6Ω·cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Polished.
superficie utile ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN50-N+
Tipo conduzione N type/Si doped
Dimensione 2 "(50.8) +/- 1 millimetro
Spessore 400+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 8 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) <0.05Ω·cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN50-N-
Tipo conduzione N type/undoped
Dimensione 2 "(50.8) +/- 1 millimetro
Spessore 400+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 8 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) <0.5Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN50-SI
Tipo conduzione Semi-Insulating
Dimensione 2 "(50.8) +/- 1 millimetro
Spessore 400+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 8 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) >10^6Ω·cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15um
ARCO <=+/-20um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15mm, 10mm, 5 millimetriFree-standingGaN substrato

Voce PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Tipo conduzione Tipo N Semi-isolante
Dimensione 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Spessore 330-450um
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria  
Primaria Lunghezza piatto  
Secondaria piatto Località  
Secondaria Lunghezza piatto  
Resistività (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
Marco Difetto Densità 0cm-2
TTV <= 15um
ARCO <= 20um
Finitura superficiale Superficie anteriore: Ra <0.2nm.Epi-ready lucido
  Superficie posteriore: 1.Fine terra
    2.Rough macinati
superficie utile ≥ 90%


            

Nota:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Applicazione di GaN substrato

Solid State Lighting: dispositivi GaN sono utilizzati come ultra luce ad alta luminosità diodi (LED), televisori, automobili e illuminazione generale

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Stazioni base wireless: transistori di potenza RF

Wireless Broadband Access: MMICs ad alta frequenza, RF-Circuiti MMICs

Sensori di pressione: MEMS

Sensori di calore: rilevatori di Pyro-elettrici

Power condizionata: segnale misto GaN Integrazione / Si

Elettronica Automotive: elettronica ad alta temperatura

Linee di trasmissione di potenza: l'elettronica ad alta tensione

Sensori Telaio: rilevatori di raggi UV

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) leghe ideali per creare materiale cella solare. A causa di questo vantaggio, celle solari InGaN cresciuti su substrati GaN sono pronti a diventare uno dei più importanti nuove applicazioni e mercato di crescita per GaN wafer di substrato.

Ideale per HEMT FET,

progetto diodo Schottky GaN: Accettiamo spec abitudine di diodi Schottky fabbricati su strati HVPE coltivate, a libera nitruro di gallio (GaN) di N- e p-tipi.
Entrambi i contatti (ohmici e Schottky) sono stati depositati sulla superficie superiore con Al / Ti e Pd / Ti / Au.
Offriremo i rapporti di prova, si prega di vedere sotto un esempio:

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