substrato GaN autoportante
PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di fabbricazione per autoportante (nitruro di gallio) substrato GaN wafer, che è per UHB-LED e LD. Cresciuto dalla tecnologia idruro fase vapore epitassia (HVPE), nostro substrato GaN ha una bassa densità di difetti.
- Descrizione
Descrizione del prodotto
substrato GaN autoportante
In qualità di fornitore leader di substrati GaN, PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di produzione per autoportante (nitruro di gallio)Wafer di substrato GaNche è il substrato Bulk GaN per LED UHB, LD e fabbricazione come dispositivi basati su MOS. Sviluppato con la tecnologia dell'epitassia in fase vapore idruro (HVPE), nssubstrato GaNper i dispositivi al nitruro di III ha una bassa densità di difetti e una densità di macro difetti inferiore o libera. Lo spessore del substrato GaN è 330~530μm.
Oltre ai dispositivi di potenza, i substrati semiconduttori in nitruro di gallio sono sempre più utilizzati nella produzione di LED a luce bianca perché i substrati LED GaN forniscono caratteristiche elettriche migliorate e le loro prestazioni superano i dispositivi attuali. Inoltre, il rapido sviluppo della tecnologia dei substrati di nitruro di gallio ha portato allo sviluppo di substrati autoportanti GaN ad alta efficienza con bassa densità di difetti e densità di macro difetti liberi. Pertanto, tali substrati GaN possono essere sempre più utilizzati per i LED bianchi. Di conseguenza, il mercato dei substrati GaN sfusi sta crescendo rapidamente. A proposito, il wafer GaN sfuso può essere utilizzato per testare concetti di dispositivi di alimentazione verticali.
Specificazione di substrato autoportante GaN
Qui mostra specifica di particolare:
Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) drogato Si tipo N da 4″
Voce | PAM-FS-GaN100-N+ |
Tipo conduzione | Tipo N/Si drogato |
Dimensione | 4″(100)+/-1mm |
Spessore | 480 +/- 50 |
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o |
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o |
Primaria Lunghezza piatto | 32 +/- 1 mm |
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o |
Secondaria Lunghezza piatto | 18+/-1 mm |
Resistività (300K) | <0.05Ω · cm |
lussazione Densità | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Finitura superficiale | Superficie frontale:Ra<=0.3nm.Epi-ready lucidato |
— | Superficie posteriore: 1.Fine terra |
— | 2. Lucidato. |
superficie utile | ≥ 90% |
Substrato indipendente in GaN (nitruro di gallio) a basso drogaggio di tipo N da 4″
Voce | PAM-FS-GaN100-N- |
Tipo conduzione | Tipo N. |
Dimensione | 4″(100)+/-1mm |
Spessore | 480 +/- 50 |
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o |
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o |
Primaria Lunghezza piatto | 32 +/- 1 mm |
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o |
Secondaria Lunghezza piatto | 18+/-1 mm |
Resistività (300K) | <0.5Ω · cm |
lussazione Densità | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Finitura superficiale | Superficie frontale:Ra<=0.3nm.Epi-ready lucidato |
— | Superficie posteriore: 1.Fine terra |
— | 2. Lucidato. |
superficie utile | ≥ 90% |
Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) semi-isolante da 4″
Voce | PAM-FS-GaN100-SI |
Tipo conduzione | Semi-isolante |
Dimensione | 4″(100)+/-1mm |
Spessore | 480 +/- 50 |
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o |
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o |
Primaria Lunghezza piatto | 32 +/- 1 mm |
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o |
Secondaria Lunghezza piatto | 18+/-1 mm |
Resistività (300K) | >10^6Ω·cm |
lussazione Densità | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Finitura superficiale | Superficie frontale:Ra<=0.3nm.Epi-ready lucidato |
— | Superficie posteriore: 1.Fine terra |
— | 2. Lucidato. |
superficie utile | ≥ 90% |
Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) da 2″ Si drogato
Voce | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
Tipo conduzione | Tipo N/Si drogato | |||
Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro | |||
Spessore | 400 +/- 50 | |||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | |||
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o | |||
Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro | |||
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o | |||
Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro | |||
Resistività (300K) | <0.05Ω · cm | |||
lussazione Densità | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <= 15um | |||
ARCO | <=+/-20um | |||
Finitura superficiale | Superficie frontale:Ra<=0.3nm.Epi-ready lucidato | |||
Superficie posteriore: 1. Terra fine | ||||
2. Lucidato. | ||||
Zona utilizzabile | ≥ 90% |
Substrato indipendente da 2″ in GaN (nitruro di gallio) a basso drogaggio
Voce | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Tipo conduzione | Tipo N. | ||||
Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro | ||||
Spessore | 400 +/- 50 | ||||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | ||||
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o | ||||
Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro | ||||
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o | ||||
Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro | ||||
Resistività (300K) | <0.5Ω · cm | ||||
lussazione Densità | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
ARCO | <=+/-20um | ||||
Finitura superficiale | Superficie frontale:Ra<=0.3nm.Epi-ready lucidato | ||||
Superficie posteriore: 1. Terra fine | |||||
2. Lucidato. | |||||
Zona utilizzabile | ≥ 90% |
Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) semi-isolante da 2″
Voce | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Tipo conduzione | Semi-isolante | ||||
Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro | ||||
Spessore | 400 +/- 50 | ||||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | ||||
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o | ||||
Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro | ||||
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o | ||||
Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro | ||||
Resistività (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
lussazione Densità | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
ARCO | <=+/-20um | ||||
Finitura superficiale | Superficie frontale:Ra<=0.3nm.Epi-ready lucidato | ||||
Superficie posteriore: 1. Terra fine | |||||
2. Lucidato. | |||||
Zona utilizzabile | ≥ 90% |
15mm, 10mm, 5 millimetriFree-standingGaN substrato
Voce | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Tipo conduzione | Tipo N | Semi-isolante | |
Dimensione | 14,0 mm*15 mm 10,0 mm*10,5 mm 5,0*5,5 mm | ||
Spessore | 330-450um | ||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | ||
Luogo piatto primaria | |||
Primaria Lunghezza piatto | |||
Secondaria piatto Località | |||
Secondaria Lunghezza piatto | |||
Resistività (300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
lussazione Densità | <5x106cm-2 | ||
Marco Difetto Densità | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15um | ||
ARCO | <= 20um | ||
Finitura superficiale | Superficie anteriore: Ra <0.2nm.Epi-ready lucido | ||
Superficie posteriore: 1.Fine terra | |||
2.Rough macinati | |||
superficie utile | ≥ 90% |
Nota:
Wafer di convalida:Considerando la praticità d'uso, PAM-XIAMEN offre wafer di convalida Sapphire da 2 "per substrati GaN autoportanti di dimensioni inferiori a 2"
Applicazione di GaN substrato
Solid State Lighting: dispositivi GaN sono utilizzati come ultra luce ad alta luminosità diodi (LED), televisori, automobili e illuminazione generale
Archiviazione DVD: diodi laser blu
Dispositivo di alimentazione: i dispositivi fabbricati su substrato sfuso GaN vengono utilizzati come vari componenti nell'elettronica di potenza ad alta potenza e ad alta frequenza come stazioni base cellulari, satelliti, amplificatori di potenza e inverter/convertitori per veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi (HEV ). La bassa sensibilità del GaN alle radiazioni ionizzanti (come altri nitruri del gruppo III) lo rende un materiale adatto per applicazioni spaziali come array di celle solari per satelliti e dispositivi ad alta potenza e alta frequenza per satelliti di comunicazione, meteorologici e di sorveglianza
Substrato puro di nitruro di gallio Iaccordo per la ricrescita di III-nitruri
Stazioni base wireless: transistori di potenza RF
Wireless Broadband Access: MMICs ad alta frequenza, RF-Circuiti MMICs
Sensori di pressione: MEMS
Sensori di calore: rilevatori di Pyro-elettrici
Power condizionata: segnale misto GaN Integrazione / Si
Elettronica Automotive: elettronica ad alta temperatura
Linee di trasmissione di potenza: l'elettronica ad alta tensione
Sensori Telaio: rilevatori di raggi UV
Celle solari: l'ampia banda proibita del GaN copre lo spettro solare da 0,65 eV a 3,4 eV (che è praticamente l'intero spettro solare), producendo nitruro di gallio indio
(InGaN) leghe ideali per creare materiale cella solare. A causa di questo vantaggio, celle solari InGaN cresciuti su substrati GaN sono pronti a diventare uno dei più importanti nuove applicazioni e mercato di crescita per GaN wafer di substrato.
Ideale per HEMT FET,
Progetto diodo Schottky GaN: accettiamo specifiche personalizzate di diodi Schottky fabbricati su strati di nitruro di gallio (GaN) autoportanti coltivati in HVPE di tipo n e p.
Entrambi i contatti (ohmico e Schottky) sono stati depositati sulla superficie superiore usando Al/Ti e Pd/Ti/Au.
Nota:
Il governo cinese ha annunciato nuovi limiti all'esportazione di materiali al gallio (come GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiali al germanio utilizzati per realizzare chip semiconduttori. A partire dal 1 agosto 2023, l'esportazione di questi materiali è consentita solo se otteniamo una licenza dal Ministero del Commercio cinese. Spero nella vostra comprensione e collaborazione!