substrato GaN autoportante

Descrizione del prodotto

substrato GaN autoportante

In qualità di fornitore leader di substrati GaN, PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di produzione per autoportante (nitruro di gallio)Wafer di substrato GaNche è il substrato Bulk GaN per LED UHB, LD e fabbricazione come dispositivi basati su MOS. Sviluppato con la tecnologia dell'epitassia in fase vapore idruro (HVPE), nssubstrato GaNper i dispositivi al nitruro di III ha una bassa densità di difetti e una densità di macro difetti inferiore o libera. Lo spessore del substrato GaN è 330~530μm.

Oltre ai dispositivi di potenza, i substrati semiconduttori in nitruro di gallio sono sempre più utilizzati nella produzione di LED a luce bianca perché i substrati LED GaN forniscono caratteristiche elettriche migliorate e le loro prestazioni superano i dispositivi attuali. Inoltre, il rapido sviluppo della tecnologia dei substrati di nitruro di gallio ha portato allo sviluppo di substrati autoportanti GaN ad alta efficienza con bassa densità di difetti e densità di macro difetti liberi. Pertanto, tali substrati GaN possono essere sempre più utilizzati per i LED bianchi. Di conseguenza, il mercato dei substrati GaN sfusi sta crescendo rapidamente. A proposito, il wafer GaN sfuso può essere utilizzato per testare concetti di dispositivi di alimentazione verticali.

Specificazione di substrato autoportante GaN

 Qui mostra specifica di particolare:

Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) drogato Si tipo N da 4″

Substrato indipendente in GaN (nitruro di gallio) a basso drogaggio di tipo N da 4″

Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) semi-isolante da 4″

Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) da 2″ Si drogato

Substrato indipendente da 2″ in GaN (nitruro di gallio) a basso drogaggio

Substrato autoportante GaN (nitruro di gallio) semi-isolante da 2″

15mm, 10mm, 5 millimetriFree-standingGaN substrato

Nota:

Wafer di convalida:Considerando la praticità d'uso, PAM-XIAMEN offre wafer di convalida Sapphire da 2 "per substrati GaN autoportanti di dimensioni inferiori a 2"

Applicazione di GaN substrato

Solid State Lighting: dispositivi GaN sono utilizzati come ultra luce ad alta luminosità diodi (LED), televisori, automobili e illuminazione generale

Archiviazione DVD: diodi laser blu

Dispositivo di alimentazione: i dispositivi fabbricati su substrato sfuso GaN vengono utilizzati come vari componenti nell'elettronica di potenza ad alta potenza e ad alta frequenza come stazioni base cellulari, satelliti, amplificatori di potenza e inverter/convertitori per veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi (HEV ). La bassa sensibilità del GaN alle radiazioni ionizzanti (come altri nitruri del gruppo III) lo rende un materiale adatto per applicazioni spaziali come array di celle solari per satelliti e dispositivi ad alta potenza e alta frequenza per satelliti di comunicazione, meteorologici e di sorveglianza

Substrato puro di nitruro di gallio Iaccordo per la ricrescita di III-nitruri

Stazioni base wireless: transistori di potenza RF

Wireless Broadband Access: MMICs ad alta frequenza, RF-Circuiti MMICs

Sensori di pressione: MEMS

Sensori di calore: rilevatori di Pyro-elettrici

Power condizionata: segnale misto GaN Integrazione / Si

Elettronica Automotive: elettronica ad alta temperatura

Linee di trasmissione di potenza: l'elettronica ad alta tensione

Sensori Telaio: rilevatori di raggi UV

Celle solari: l'ampia banda proibita del GaN copre lo spettro solare da 0,65 eV a 3,4 eV (che è praticamente l'intero spettro solare), producendo nitruro di gallio indio

(InGaN) leghe ideali per creare materiale cella solare. A causa di questo vantaggio, celle solari InGaN cresciuti su substrati GaN sono pronti a diventare uno dei più importanti nuove applicazioni e mercato di crescita per GaN wafer di substrato.

Ideale per HEMT FET,

Progetto diodo Schottky GaN: accettiamo specifiche personalizzate di diodi Schottky fabbricati su strati di nitruro di gallio (GaN) autoportanti coltivati ​​in HVPE di tipo n e p.

Entrambi i contatti (ohmico e Schottky) sono stati depositati sulla superficie superiore usando Al/Ti e Pd/Ti/Au.

Nota:
Il governo cinese ha annunciato nuovi limiti all'esportazione di materiali al gallio (come GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs e GaSb) e materiali al germanio utilizzati per realizzare chip semiconduttori. A partire dal 1 agosto 2023, l'esportazione di questi materiali è consentita solo se otteniamo una licenza dal Ministero del Commercio cinese. Spero nella vostra comprensione e collaborazione!