substrato GaN autoportante
PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di fabbricazione per autoportante (nitruro di gallio) substrato GaN wafer, che è per UHB-LED e LD. Cresciuto dalla tecnologia idruro fase vapore epitassia (HVPE), nostro substrato GaN ha una bassa densità di difetti.
- Descrizione
Descrizione del prodotto
substrato GaN autoportante
As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrate wafer which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our substrato GaN for III-nitride devices has low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.
In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.
Specificazione di substrato autoportante GaN
Qui mostra specifica di particolare:
4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Voce | PAM-FS-GaN100-N+ |
Tipo conduzione | N type/Si doped |
Dimensione | 4″(100)+/-1mm |
Spessore | 480+/-50 |
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o |
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o |
Primaria Lunghezza piatto | 32+/-1mm |
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o |
Secondaria Lunghezza piatto | 18+/-1mm |
Resistività (300K) | <0.05Ω·cm |
lussazione Densità | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Finitura superficiale | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Superficie posteriore: 1.Fine terra |
— | 2.Polished. |
superficie utile | ≥ 90 % |
4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Voce | PAM-FS-GaN100-N- |
Tipo conduzione | N type/undoped |
Dimensione | 4″(100)+/-1mm |
Spessore | 480+/-50 |
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o |
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o |
Primaria Lunghezza piatto | 32+/-1mm |
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o |
Secondaria Lunghezza piatto | 18+/-1mm |
Resistività (300K) | <0.5Ω · cm |
lussazione Densità | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Finitura superficiale | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Superficie posteriore: 1.Fine terra |
— | 2.Polished. |
superficie utile | ≥ 90 % |
4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Voce | PAM-FS-GaN100-SI |
Tipo conduzione | Semi-Insulating |
Dimensione | 4″(100)+/-1mm |
Spessore | 480+/-50 |
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o |
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o |
Primaria Lunghezza piatto | 32+/-1mm |
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o |
Secondaria Lunghezza piatto | 18+/-1mm |
Resistività (300K) | >10^6Ω·cm |
lussazione Densità | <5x106cm-2 |
FWHM | <=100arc.sec |
TTV | <=30um |
ARCO | <=+/-30um |
Finitura superficiale | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished |
— | Superficie posteriore: 1.Fine terra |
— | 2.Polished. |
superficie utile | ≥ 90 % |
2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Voce | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
Tipo conduzione | N type/Si doped | |||
Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro | |||
Spessore | 400+/-50 | |||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | |||
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o | |||
Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro | |||
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o | |||
Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro | |||
Resistività (300K) | <0.05Ω·cm | |||
lussazione Densità | <5x106cm-2 | |||
FWHM | <=100arc.sec | |||
TTV | <= 15um | |||
ARCO | <=+/-20um | |||
Finitura superficiale | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | |||
Back Surface:1.Fine ground | ||||
2.Polished. | ||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Voce | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
Tipo conduzione | N type/undoped | ||||
Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro | ||||
Spessore | 400+/-50 | ||||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | ||||
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o | ||||
Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro | ||||
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o | ||||
Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro | ||||
Resistività (300K) | <0.5Ω · cm | ||||
lussazione Densità | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
ARCO | <=+/-20um | ||||
Finitura superficiale | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate
Voce | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
Tipo conduzione | Semi-Insulating | ||||
Dimensione | 2 "(50.8) +/- 1 millimetro | ||||
Spessore | 400+/-50 | ||||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | ||||
Luogo piatto primaria | (10-10)+/-0.5o | ||||
Primaria Lunghezza piatto | 16 +/- 1 millimetro | ||||
Secondaria piatto Località | (1-210)+/-3o | ||||
Secondaria Lunghezza piatto | 8 +/- 1 millimetro | ||||
Resistività (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
lussazione Densità | <5x106cm-2 | ||||
FWHM | <=100arc.sec | ||||
TTV | <= 15um | ||||
ARCO | <=+/-20um | ||||
Finitura superficiale | Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished | ||||
Back Surface:1.Fine ground | |||||
2.Polished. | |||||
Usable Area | ≥ 90 % |
15mm, 10mm, 5 millimetriFree-standingGaN substrato
Voce | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
Tipo conduzione | Tipo N | Semi-isolante | |
Dimensione | 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm | ||
Spessore | 330-450um | ||
Orientamento | Asse C (0001) +/- 0.5o | ||
Luogo piatto primaria | |||
Primaria Lunghezza piatto | |||
Secondaria piatto Località | |||
Secondaria Lunghezza piatto | |||
Resistività (300K) | <0.5Ω · cm | > 106Ω · cm | |
lussazione Densità | <5x106cm-2 | ||
Marco Difetto Densità | 0cm-2 | ||
TTV | <= 15um | ||
ARCO | <= 20um | ||
Finitura superficiale | Superficie anteriore: Ra <0.2nm.Epi-ready lucido | ||
Superficie posteriore: 1.Fine terra | |||
2.Rough macinati | |||
superficie utile | ≥ 90% |
Nota:
Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate
Applicazione di GaN substrato
Solid State Lighting: dispositivi GaN sono utilizzati come ultra luce ad alta luminosità diodi (LED), televisori, automobili e illuminazione generale
DVD Storage: Blue laser diodes
Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites
Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth
Stazioni base wireless: transistori di potenza RF
Wireless Broadband Access: MMICs ad alta frequenza, RF-Circuiti MMICs
Sensori di pressione: MEMS
Sensori di calore: rilevatori di Pyro-elettrici
Power condizionata: segnale misto GaN Integrazione / Si
Elettronica Automotive: elettronica ad alta temperatura
Linee di trasmissione di potenza: l'elettronica ad alta tensione
Sensori Telaio: rilevatori di raggi UV
Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride
(InGaN) leghe ideali per creare materiale cella solare. A causa di questo vantaggio, celle solari InGaN cresciuti su substrati GaN sono pronti a diventare uno dei più importanti nuove applicazioni e mercato di crescita per GaN wafer di substrato.
Ideale per HEMT FET,