substrato GaN autoportante

substrato GaN autoportante

PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di fabbricazione per autoportante (nitruro di gallio) substrato GaN wafer, che è per UHB-LED e LD. Cresciuto dalla tecnologia idruro fase vapore epitassia (HVPE), nostro substrato GaN ha una bassa densità di difetti.

  • Descrizione

Descrizione del prodotto

substrato GaN autoportante

PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di costruzione per autoportante (nitruro di gallio)GaN substrate wafer  which is for UHB-LED and LD. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology,Our substrato GaNha una bassa densità di difetti e meno o liberare densità dei difetti macro.

Specificazione di substrato autoportante GaN

 Qui mostra specifica di particolare:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN100-N+
Tipo conduzione N type/Si doped
Dimensione 4″(100)+/-1mm
Spessore 480+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 32+/-1mm
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) <0.05Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Polished.
superficie utile ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN100-N-
Tipo conduzione N type/undoped
Dimensione 4″(100)+/-1mm
Spessore 480+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 32+/-1mm
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) <0.5Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Polished.
superficie utile ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Voce PAM-FS-GaN100-SI
Tipo conduzione Semi-Insulating
Dimensione 4″(100)+/-1mm
Spessore 480+/-50
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (10-10)+/-0.5o
Primaria Lunghezza piatto 32+/-1mm
Secondaria piatto Località (1-210)+/-3o
Secondaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) >10^6Ω·cm
lussazione Densità <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARCO <=+/-30um
Finitura superficiale Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Polished.
superficie utile ≥ 90 %

 

2 "(50,8 millimetri)Free-standing(nitruro di gallio)GaNSubstrato

Voce PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI
Tipo conduzione Tipo N Semi-isolante
Dimensione 2 "(50.8) +/- 1 millimetro
Spessore 330-450um
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5 °
Luogo piatto primaria (1-100) +/- 0.5 °
Primaria Lunghezza piatto 16 +/- 1 millimetro
Secondaria piatto Località (11-20) +/- 3 °
Secondaria Lunghezza piatto 8 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
Marco Difetto Densità Un grado <= 2cm-2 grado B> 2cm-2
TTV <= 15um
ARCO <= 20um
Finitura superficiale Superficie anteriore: Ra <0.2nm.Epi-ready lucido
  Superficie posteriore: 1.Fine terra
2.Rough macinati
superficie utile ≥ 90%


 

 1.5 "(38,1 millimetri)Free-standingGaN substrato

Voce PAM-FS-GaN38-N PAM-FS-GaN38-SI
Tipo conduzione Tipo N Semi-isolante
Dimensione 1.5 "(38,1) +/- 0.5mm
Spessore 330-450um
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria (1-100) +/- 0.5o
Primaria Lunghezza piatto 12 +/- 1 millimetro
Secondaria piatto Località (11-20) +/- 3o
Secondaria Lunghezza piatto 6 +/- 1 millimetro
Resistività (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
Marco Difetto Densità Un grado <= 2cm-2 grado B> 2cm-2
TTV <= 15um
ARCO <= 20um
Finitura superficiale Superficie anteriore: Ra <0.2nm.Epi-ready lucido
  Superficie posteriore: 1.Fine terra
  2.Rough macinati
superficie utile ≥ 90%


 

15mm, 10mm, 5 millimetriFree-standingGaN substrato

Voce PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-GaN5-N PAM-FS-GaN5-SI
Tipo conduzione Tipo N Semi-isolante
Dimensione 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Spessore 330-450um
Orientamento Asse C (0001) +/- 0.5o
Luogo piatto primaria  
Primaria Lunghezza piatto  
Secondaria piatto Località  
Secondaria Lunghezza piatto  
Resistività (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
lussazione Densità <5x106cm-2
Marco Difetto Densità 0cm-2
TTV <= 15um
ARCO <= 20um
Finitura superficiale Superficie anteriore: Ra <0.2nm.Epi-ready lucido
  Superficie posteriore: 1.Fine terra
    2.Rough macinati
superficie utile ≥ 90%


            

Nota:

Validation Wafer:Considerando praticità di utilizzo, PAM-XIAMEN offrono 2 "zaffiro convalida wafer per sotto 2" size autoportante GaN substrato

Applicazione di GaN substrato

Solid State Lighting: dispositivi GaN sono utilizzati come ultra luce ad alta luminosità diodi (LED), televisori, automobili e illuminazione generale

DVD di stoccaggio: diodi laser blu

Dispositivi di alimentazione: dispositivi GaN sono usati come vari componenti elettronici ad alta potenza e di potenza ad alta frequenza come le stazioni cellulari di base, satelliti, amplificatori di potenza, e inverter / convertitori per veicoli elettrici (EV) e veicoli elettrici ibridi (HEV). bassa sensibilità di GaN alle radiazioni ionizzanti (come altro gruppo III nitruri) rende un materiale adatto per applicazioni spaziali come array di celle solari per satelliti e alta potenza, dispositivi ad alta frequenza per comunicazione, satelliti meteo e sorveglianza

Ideale per III-Nitruri ricrescita

Stazioni base wireless: transistori di potenza RF

Wireless Broadband Access: MMICs ad alta frequenza, RF-Circuiti MMICs

Sensori di pressione: MEMS

Sensori di calore: rilevatori di Pyro-elettrici

Power condizionata: segnale misto GaN Integrazione / Si

Elettronica Automotive: elettronica ad alta temperatura

Linee di trasmissione di potenza: l'elettronica ad alta tensione

Sensori Telaio: rilevatori di raggi UV

Solar Cells: gap di banda larga di GaN copre lo spettro solare da 0,65 eV a 3,4 eV (che è praticamente l'intero spettro solare), rendendo indio gallio nitruro

(InGaN) leghe ideali per creare materiale cella solare. A causa di questo vantaggio, celle solari InGaN cresciuti su substrati GaN sono pronti a diventare uno dei più importanti nuove applicazioni e mercato di crescita per GaN wafer di substrato.

Ideale per HEMT FET,

progetto diodo Schottky GaN: Accettiamo spec abitudine di diodi Schottky fabbricati su strati HVPE coltivate, a libera nitruro di gallio (GaN) di N- e p-tipi.
Entrambi i contatti (ohmici e Schottky) sono stati depositati sulla superficie superiore con Al / Ti e Pd / Ti / Au.
Offriremo i rapporti di prova, si prega di vedere sotto un esempio:

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