Nitruro di Gallio: Substrato e modello di tipo N, tipo p e semi-isolante in nitruro di gallio o wafer epi GaN per HEMT con bassa densità di difetti Marco e densità di dislocazione per LED, LD o altre applicazioni. PAM-XIAMEN offre wafer GaN incluso substrato GaN indipendente, modello GaN su zaffiro/SiC/silicio, wafer epitassiale LED basato su GaN e wafer epitassiale GaN HEMT.
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Substrato GaN autoportante
PAM-XIAMEN ha stabilito la tecnologia di produzione per il wafer di substrato GaN indipendente (nitruro di gallio), che è per UHB-LED e LD. Cresciuto mediante la tecnologia dell'epitassia in fase vapore di idruro (HVPE), il nostro substrato GaN ha un basso...
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Modelli GaN
I prodotti modello PAM-XIAMEN sono costituiti da strati cristallini di modelli GaN (nitruro di gallio), modelli AlN (nitruro di alluminio), modelli AlGaN (nitruro di gallio alluminio) e modelli InGaN (nitruro di gallio indio), che vengono depositati su zaffiro
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Wafer epitassiale LED basato su GaN
Il wafer epitassiale LED basato su GaN (nitruro di gallio) di PAM-XIAMEN è destinato all'applicazione con diodi emettitori di luce blu e verde (LED) e diodi laser (LD) ad altissima luminosità.
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Wafer epitassiale GaN HEMT
Gli HEMT (transistor ad alta mobilità elettronica) al nitruro di gallio (GaN) rappresentano la prossima generazione della tecnologia dei transistor di potenza RF. Grazie alla tecnologia GaN, PAM-XIAMEN ora offre AlGaN/GaN HEMT Epi Wafer su zaffiro...