PAM-XIAMEN offre wafer InGaAs APD ad alte prestazioni. I fotodiodi da valanga InGaAs (APD InGaAs) sono molto apprezzati per il basso rumore, la maggiore larghezza di banda e la risposta spettrale estesa a 1700 nm. È disponibile per una lunghezza d'onda di 1550 nm dopo l'ottimizzazione ed è molto adatto per l'uso in sistemi di raggio laser sicuri per gli occhi. Le specifiche ei parametri dei wafer APD InGaAs sono i seguenti:
PAM-210331-INGAAS-APD
Articolo 1:
| Strato | Materiale | Spessore (μm) | Deviazione | concentrazione (cm-3) | Deviazione | Prova | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | ± 20% | ||
| 8 | N-InP | 2.5 | – | 5E + 15 | ± 20% | CV | Su wafer di prova |
| 7 | N-InP | – | ±0.01 | – | – | CV | Su wafer di prova |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45μm InGaAsP | – | ± 10% | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD e C-V | Su epiwafer e prova wafer | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | Su wafer di prova |
| 0 | Substrato N-InP | 350 ± 25 | – | Drogato S> 3E + 18 | – | – | Cialda da 2 ″ |
| # | Lattice Mismatch | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Prova al centro dell'epiwafer |
Articolo 2:
| Strato | Materiale | Spessore (μm) | Deviazione | concentrazione (cm-3) | Deviazione | Prova | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | ± 10% | – | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | ±0.12 | – | ± 20% | CV | Su wafer di prova |
| 7 | N-InP | 0.2 | – | – | – | CV | Su wafer di prova |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45μm InGaAsP | 0.03 | ± 10% | – | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | 0.1 | – | 1E + 16 | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | – | ± 10% | – | – | DCXD e C-V | Su epiwafer e prova wafer |
| 1 | N-InP | 0.5 | – | – | ± 20% | CV | Su wafer di prova |
| 0 | Substrato N-InP | 350 ± 25 | – | Drogato S> 3E + 18 | – | – | Cialda da 2 ″ |
| # | Lattice Mismatch | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Prova al centro dell'epiwafer |
Articolo 3:
| Strato | Materiale | Spessore (μm) | Deviazione | concentrazione (cm-3) | Deviazione | Prova | Nota |
| 9 | U-1.05μm InGaAsP | 0.1 | – | 5E + 15 | ± 20% | – | – |
| 8 | N-InP | – | – | – | ± 20% | CV | Su wafer di prova |
| 7 | N-InP | 0.2 | ±0.01 | – | – | CV | Su wafer di prova |
| 6 | N-1.05μm InGaAsP | – | ± 10% | – | – | – | – |
| 5 | N-1.25μm InGaAsP | 0.03 | – | – | – | – | – |
| 4 | N-1,45μm InGaAsP | – | – | 2E + 16 | – | – | – |
| 3 | N-InGaAs | – | ±0.01 | – | ± 10% | – | – |
| 2 | U-InGaAs | 2.5 | – | <1E + 15 | DCXD e C-V | Su epiwafer e prova wafer | |
| 1 | N-InP | – | ± 10% | – | ± 20% | CV | Su wafer di prova |
| 0 | Substrato N-InP | 350 ± 25 | – | Drogato S> 3E + 18 | – | – | Cialda da 2 ″ |
| # | Lattice Mismatch | <± 100 ppm | – | – | – | DCXD | Prova al centro dell'epiwafer |
Item 4:
PAM221226-1550-APD
| Strato | Materiale | Thickness(um) | Doping(cm3) |
| 7 | InP | – | undoped(N<1E15) |
| 6 | InP | 0.2 | – |
| 5 | GaInAsP | – | – |
| 4 | GaInAsP | – | – |
| 3 | GaInAsP | – | – |
| 2 | Ga0.467In0.5333As | 2 | – |
| 1 | InP | – | Si doped, n type, 1.3E17 |
| N+ InP Substrate |
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