Wafer a doppia eterostruttura InGaAsP / InP
Il materiale InGaAsP cresciuto epitassialmente sulSubstrato InPè un materiale importante per la fabbricazione di dispositivi optoelettronici e a microonde. La lunghezza d'onda di emissione della struttura laser InGaAsP/InP copre 1,0-1,7μm, coprendo due finestre a bassa perdita di 1,3μm e 1,55μm per la comunicazione della fibra di silice. Pertanto, InGaAsP è ampiamente utilizzato nella produzione di componenti importanti nel campo delle comunicazioni in fibra ottica, come modulatori, laser, rilevatori e così via.Wafer Epi per diodo laserdi InGaAsP / InP sfuso da 1,55um cresciuto da PAM-XIAMEN è il seguente, che include strati di giunzione tunnel molto drogati e molto sottili:
1. Specifiche del wafer laser InGaAsP / InP
N. 1 Diodo Laser Epi Struttura PAM170919-INGAASP
| Nome | Materiale | Spessore [nm] | Doping | Sforzo | PL [nm] | Bandgap [eV] | Note |
| Strato di legame | InP | 10 | - | 1.34 | |||
| Supperreticolo | InP | - | - | - | |||
| InXGa1-xComeyP1-y | - | - | 1110 | - | |||
| InP | - | - | - | ||||
| InXGa1-xComeyP1-y | - | - | 1110 | - | |||
| n-contatto | InP | - | n = 1,5E18 | Si drogato | - | ||
| SCL esterno | InGaAsP | - | - | 1150 +/- 10 | - | ||
| SCL interno | InGaAsP | 40 | - | 1250 +/- 10 | - | ||
| QW | InGaAsP (x3) | - | - | Deformazione di compressione dell'1%. | 1550+/‐ 10 | - | |
| barriere | InGaAsP (x2) | - | - | Deformazione a trazione 0,3%. | 1250+/‐10 | - | |
| SCL interno | InGaAsP | - | - | 1250 +/- 10 | 0.99 | ||
| SCL esterno | InGaAsP | - | - | 1150 +/- 10 | - | ||
| InP | - | Zn drogato | - | drogato p da classificato 1E18 vicino a InGaAlAs a non drogato vicino a InGaAsP | |||
| Strato TJ | InGa(Al)As | 10 | - | p++ drogato con Zn | - | ||
| Strato TJ | InP | - | - | - | - | ||
| InP | - | - | - | - | n-drogato da classificato 1E18 vicino a InP a non drogato vicino a InGaAsP | ||
| SCL esterno | InGaAsP | - | - | 1150 +/- 10 | - | ||
| SCL interno | InGaAsP | - | non drogato | 1250 +/- 10 | - | ||
| QW | InGaAsP (x3) | 7 per pozzo | - | - | 1550+/‐ 10 | - | |
| barriere | InGaAsP (x2) | - | - | Deformazione a trazione 0,3%. | 1250+/‐10 | - | |
| SCL interno | InGaAsP | - | - | 1250 +/- 10 | - | ||
| SCL esterno | InGaAsP | - | - | 1150 +/- 10 | - | ||
| p-rivestimento | InP | - | - | Zn drogato | - | drogato p da classificato 1E18 vicino a InGaAs a non drogato vicino a QW | |
| p-contatto | In.53Ga.47As | - | - | Zn drogato | - | ||
| Buffer | InP | - | - | Zn drogato | 1.34 | ||
| Substrato | InP | 350 um | n-dopato |
Nota:
Per la struttura delle eterogiunzioni InGaAsP/InP, lo strato di giunzione tunnel (TJ) dovrebbe utilizzare AlGaInAs o InGaAsP da 1250 nm, il motivo è che la lunghezza d'onda lunga ha una resistività minore ma se la lunghezza d'onda fosse troppo lunga, comporterebbe assorbimento per la lunghezza d'onda di emissione. InGaAsP da 80 nm non può impedire la diffusione di impurità da TJ a QW, qui suggeriamo di aumentare lo spessore. Forse InGaAsP a 240 nm può fermare la diffusione, dovremmo testarlo.
N. 2 Struttura epitassiale InGaAsP/InP LD PAM200420-INGAASP
| Strato | Materiale | Spessore | Note |
| Strato 7 | InP | - | |
| Strato 6 | InGaAsP | - | |
| Strato 5 | InP | - | |
| Strato 4 | InGaAsP | - | |
| Strato 3 | InP | - | |
| Strato 2 | InGaAsP | - | emettendo a 1575 nm |
| Strato 1 | InP | - | |
| Substrato: | InP, 3" |
N. 3 InGaAsP eteroepitassiale su InP per LD PAM200708-INGAASP
| Strato Epi | Materiale | Spessore | Divario energetico |
| Strato 7 | InP | 100nm | |
| Strato 6c | InGaAsP | - | @ 1,25 eV |
| Strato 6b | InGaAsP | - | @0,85 eV |
| Strato 6a | InGaAsP | - | @ 1,25 eV |
| Strato 5 | InP | - | |
| Strato 4c | InGaAsP | 79 miglia nautiche | @ 1,25 eV |
| Strato 4b | InGaAsP | - | @0,95 eV |
| Strato 4a | InGaAsP | - | @ 1,25 eV |
| Strato 3 | InP | - | |
| Strato 2c | InGaAsP | - | @ 1,25 eV |
| Strato 2b | InGaAsP | - | @0,85 eV |
| Strato 2a | InGaAsP | - | @ 1,25 eV |
| Strato 1 | InP | - | |
| Substrato | InP |
2. Crescita degli strati InGaAsP
Rispetto al composto ternario A1-xBxC, il gap di banda e la costante reticolare sono determinati dallo stesso parametro di composizione x, mentre il composto quaternario A1-xBxCyD1-y può regolare i parametri di composizione xey rispettivamente per selezionare gap di banda e costante reticolare diversi. Ciò aggiunge variabilità e incertezza alla crescita epitassiale del wafer a doppia eterostruttura (DH) InGaAsP / InP. Per i materiali quaternari cresciuti epitassialmente, a meno che il dispositivo non abbia requisiti speciali, è generalmente necessario adattare il reticolo del substrato per evitare difetti di crescita causati dal disadattamento del reticolo. Per materiali quaternari come InXGa1-xComeyP1-y, poiché esistono due rapporti di composizione degli elementi dei gruppi III e V, possono esserci innumerevoli combinazioni di xey per soddisfare i requisiti di corrispondenza reticolare dello stesso substrato, il che comporterà grandi difficoltà per la regolazione e la calibrazione dei parametri epitassia quaternari.
Per il reticolo InGaAsP abbinato al substrato InP, viene solitamente adottata la tecnologia MBE. Possiamo trarre vantaggio dal fatto che il coefficiente di adesione degli elementi del gruppo III è vicino al 100% e il rapporto di composizione tra gli elementi del gruppo III è relativamente stabile e ripetibile. Innanzitutto, calibrare il rapporto di distribuzione della composizione degli elementi del gruppo III In e Ga, quindi regolare e calibrare gradualmente il rapporto di composizione tra gli elementi del gruppo V. Infine, si ottengono gli strati di InGaAsP che sono accoppiati a reticolo con il substrato di InP.
3. Chemical Etching of InGaAsP / InP Heterostructure
HBr:CH3COOH(H3PO4):K2Cr2O7 è una soluzione adatta per l'attacco eteroepitassialewafer lasercoltivato con InGaAsP/InP MQW. Questo sistema di incisione può realizzare superfici incise di alta qualità senza cavità di incisione. Per (001) InP, la velocità di attacco cambia da 0,1 a 10 um/min, che dipende dal rapporto di composizione della soluzione o dalla linea normale della soluzione acquosa di K2Cr2O7.
Strutture simili a mesa si formano sulle strisce incise di InP (001) parallele alle direzioni [110] e [110]. Il sistema di attacco incide InP e InGaAsP a velocità quasi uguali, fornendo così strutture ideali simili a mesa con superfici di alta qualità e una buona definizione del modello di resistenza. Questa soluzione non corrode il fotoresist, rendendolo interessante per tipi di applicazioni di dispositivi.
4. Domande frequenti sul wafer InGaAsP/InP
Q:Tu o il tuo team di ingegneri sapete a quale temperatura possono resistere i wafer InGaAsP/InP prima che inizino a decomporsi/si danneggino?
A:Con la protezione PH3, il wafer epi InGaAsP/InP può resistere a XX℃, solo con la protezione XX può resistere a XX. Se hai bisogno di dati specifici, invia un'e-mail a[email protected].(191217)
Per ulteriori informazioni potete contattarci via e-mail all'indirizzo[email protected] e [email protected].