Rilevatore di InSb
Il rivelatore di antimonide di indio (INSB) è sensibile alla banda a infrarossi a onda (MWIR). In termini di rilevamento a medio infrarosso nella banda 3-5um, a causa dei vantaggi della tecnologia dei materiali maturi, dell'alta sensibilità e della buona stabilità, i rilevatori INSB si distinguono da rilevatori basati su altri materiali. A bassa temperatura,Materiale InSbha un coefficiente di assorbimento elevato per la luce a infrarossi (~ 1014cm-1), un'efficienza quantistica maggiore o uguale all'80%e un'alta mobilità del vettore (un ~ 105cm2∙V-1∙s-1). Il rivelatore INSB IR ha vantaggi tecnici molto importanti e i suoi campi di applicazione coprono la guida di precisione, l'imaging portatile, il veicolo, la navale, l'aria, aerospaziale, ecc. L'array di rivelatore INSB offerto da Pam-Xiamen è di 128 x 128 pixel e la gamma di risposta spettrale del rilevatore è 3,7 um ~ 4,8 um. Specifiche Fare riferimento alla tabella di seguito:
1. Parametri tecnici del rivelatore MWIR INSB
| nome del prodotto | Main Specification | |
| MW128×128
(JT) Rivelatore Infrarossi InSb |
Numero di pixel | 128×128 |
| Passo pixel | 15um×15um | |
| Operabilità dei pixel | 99% | |
| Responsività Non uniformità | ≤6% | |
| NETD | ≤15 mK | |
| campo visivo | 2 | |
| Tempo di raffreddamento | ≤30s | |
| Peso | ≤250 g | |
2. Processo di rilevatori INSB a infrarossi
Con il continuo sviluppo della tecnologia di rilevamento a infrarossi, i chip fotosensibili basati su materiali INSB sono passati dai chip unitari a chip multi-elemento, array di linee e array di area. Dopo il processo di interconnessione FLIP-CHIP, il chip fotosensibile e il circuito di elaborazione del segnale sono combinati insieme e posizionati sul piano focale del sistema ottico, che costituisce il componente centrale del rilevamento del segnale a infrarossi. Nella realizzazione della conversione fotoelettrica, le prestazioni del chip fotosensibile sono uno dei fattori chiave che determinano il livello di rilevamento del rivelatore INSB raffreddato. Nella preparazione del chip fotosensibile dell'array di area, la qualità della giunzione PN e l'effettiva isolamento delle unità pixel fotosensibili sono le chiavi di base per la preparazione del chip dell'array di area. Il processo di preparazione della giunzione PN è diviso in processo di diffusione, processo di impianto ionico e processo di epitassia. Per diverse tecniche di fabbricazione della giunzione PN, anche le corrispondenti tecniche di fabbricazione della struttura dell'array di superficie sono diverse.
Diagramma schematico del percorso tecnologico del rilevatore del piano focale INSB
Il livello tecnico del rivelatore INSB a infrarossi nella banda di onde medie è stato continuamente migliorato. La dimensione dell'array di area continua ad aumentare, l'efficienza quantistica del rivelatore INSB continua a migliorare e il funzionamento ad alta temperatura e i doppi rilevatori multicolori sono completamente sviluppati.
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