Niobato di litio

Il niobato di litio (LiNbO3) è un composto di niobio, litio e ossigeno. I suoi cristalli singoli sono un materiale importante per guide d'onda ottiche, telefoni cellulari, sensori piezoelettrici, modulatori ottici e varie altre applicazioni ottiche lineari e non lineari. I cristalli singoli di niobato di litio possono essere coltivati ​​utilizzando il processo Czochralski. Un wafer di niobato di litio monocristallo con taglio a Z. Dopo che un cristallo è cresciuto, viene tagliato in wafer di diverso orientamento. Gli orientamenti comuni sono taglio a Z, taglio a X, taglio a Y e tagli con angoli ruotati dell'asse precedente.

Powerway Wafer Co., limitatacompleta la piattaforma del processo di impiantazione ionica e divisione+molatura e offre l'impianto, l'incollaggio e il peeling di wafer da 3-6 pollici.

Prodotti normali	Struttura	Osservazione
LNOI (Spessore dello strato superiore 50-1000 nm)	Film sottile LN monocristallino SiO2(2μm) Substrato LN (500μm)	Grande differenza nell'indice di rifrazione Applicazione: Modulatori elettro-ottici, Guide d'onda ottiche, Risonatori, Dispositivi SAW, Dispositivi di memoria FRAM
LN su Si con SiO2 (Spessore dello strato superiore 50-1000 nm)	Film sottile LN monocristallino SiO2 Substrato Si (400 o 500μm)	Grande differenza nell'indice di rifrazione Integrazione con silicio Applicazione: Modulatori elettro-ottici, Guide d'onda ottiche, Risonatori, Dispositivi SAW, Dispositivi di memoria FRAM
LT suSio (Spessore dello strato superiore 5-50μm)	Film sottile monocristallo LT Substrato Si	Incollaggio diretto Integrazione con silicio Applicazione: dispositivi SAW
LN su Si (Spessore dello strato superiore 5-50μm)	Film sottile LN monocristallino Substrato Si	Incollaggio diretto Integrazione con silicio Applicazione: dispositivi SAW
LT su SiO2/ Si (Spessore dello strato superiore 50-1000 nm)	Film sottile monocristallo LT SiO2 Substrato Si	Aumento delle proprietà piroelettriche Sensibilità migliorata dei dispositivi piroelettrici Applicazione: sensori piroelettrici, dispositivi SAW
LN drogato con MgO (Spessore dello strato superiore 50-1000 nm)	Film sottile LN drogato con MgO SiO2 Substrato LN	Resistente ai danni ottici Capacità di sopportare un'elevata intensità luminosa Inclinazione alla polarizzazione del film sottile Applicazione: Modulatori elettro-ottici, generazione Terahertz
LN con elettrodo (Spessore dello strato superiore 50-1000 nm)	LN Film sottile SiO2 Elettrodo (100 nm) Substrato LN	Applicazione: Modulatori elettro-ottici Guide d'onda ottiche Risonatori
	LN Film sottile agli elettrodi SiO2 Substrato LN	Applicazione: Dispositivi SAW Dispositivi di memoria FARM

 

Specifiche dei prodotti della serie LNOI
Livello funzionale LN superiore
Diametro	3"(76,2 mm)/4" (100 mm)
Spessore	50~1000 nm
Indice di riflessione	no≈±2.2860
	ne≈±2.2024
Esclusione dei bordi	5 millimetri
Orientamento	Z, X, Y, Y-128°ecc.
vuoti	<10
TTV	± 5%
Strato di isolamento
Metodo di preparazione	PECVD, Ossido Termico
Spessore	1000~4000 nm
Indice di riflessione	1,46~1,48
TTV	± 5%
Substrato opzionale
Si, LN, Quarzo, Vetro
Strato di elettrodi opzionale (sopra o sotto lo strato di isolamento SiO2)
Materiale	Pt / Au
Gamma di spessori	100~400 nm

Si prega di consultare le specifiche dettagliate di seguito:

Wafer piezoelettrico LiNbO3

1. Requisiti generali dei wafer di cristallo LN: piezocristallo
Orientamento: corrispondere a quello richiesto ±0,20, se non diversamente specificato.
Diametro: (1)Φ76,2±0,5 mm (2) Φ100,0±0,5 mm
Spessore:（1）0,50±0,05 mm (2) 0,35±0,03 mm
Arco: ≤ 40um
Conicità: ≤ 20um

L'identificazione della posizione piana e della lunghezza deve essere la seguente
Posizione piana principale: deve essere compresa tra ±0,20, se non diversamente specificato.
Lunghezza piatto principale: （1）22±2mm （2）32±2mm se non diversamente specificato.
Lunghezza piatto secondario: （1）10±3mm （2）12±3mm se non diversamente specificato.

Qualità della lucidatura superficiale:
Lucidatura della superficie: lucidatura a specchio 10—15A
Lucidatura del retro: lappata con sabbia diamantata GC240 o GC1000 e incisa.
Trucioli del bordo: arrotondamento del bordo
Curie Temp. ：1142±30C

2. Orientamento del wafer individuale ＂Speciale＂Requisito:
1)Orientamento: 127,860 Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X.
Appartamento secondario: nessuno
640Y-cut

2)Orientamento: 640Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X
Piano secondario: 1800 in senso orario dal piano primario, se necessario.

3) YZ-cut
Orientamento: asse Y ± 0,20
Direzione piana primaria: asse Z
Piano secondario: asse X

3. Wafer ottico LiNbO3
Orientamento del cristallo: X, Z
Fluttuazione dell'orientamento: ±0,30, due estremità del cristallo devono essere lucidate.
Diametro: 76,2±0,5 mm
Lunghezza: 50～80 mm.
Temp. Curie1142±20C
Orientamento del primo piano di riferimento: come richiesto ±0,20.
Lunghezza del primo piano di riferimento: ispezione lucidata da 22±2 mm.
Secondo piano di riferimento: disponibile se richiesto, la lunghezza sarà di 10±3 mm
Aspetto: privo di crepe, pori, inclusioni.

4.Caratteristiche ottiche:
Intervallo trasparente: 370—5000 nm
Indice di rifrazione:（633nm）no=2.286 ne=2.200
Gradiente di rifrazione（633nm）≤5×10-5/cm
Trasmittanza（633nm）≥68%
Indice di breviringenza: △n= no – ne≈0,08
Wafer al quarzo piezoelettronico

5. Requisiti generali del wafer al quarzo:
Diametro: (1)Φ76,2±0,5 mm
Spessore: (1)0,35±0,05 mm (2) 0,40±0,05 mm (3)0,50±0,05 mm
Arco: ≤ 40um
Conicità: ≤ 20um
Orientamento: corrispondere a quello richiesto ±0,20, se non diversamente specificato.
L'identificazione della posizione piatta e della lunghezza deve essere la seguente:
Posizione piana principale: deve essere compresa tra ±0,20, se non diversamente specificato.
Lunghezza piatta primaria: 22±2 mm se non diversamente specificato.
Lunghezza piatto secondario: 10±3 mm se non diversamente specificato.
Qualità della lucidatura superficiale:
Lucidatura superficiale: lucidatura a specchio 10—15A
Lucidatura del retro: lappata con sabbia diamantata GC600 o GC1200 e incisa.
Trucioli del bordo: arrotondamento del bordo
Posizione del seme: deve trovarsi entro i 6,5 mm centrali del wafer o non è necessario.
Fattore Q: ≥ 2 milioni min.

6. Orientamento del wafer individuale ＂Requisito speciale＂:
1) 360Y-cu
Orientamento: 360Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X.
Appartamento secondario: due appartamenti, 90 e 270 dall'appartamento primario, se necessario.
340Y-cut

2)Orientamento: 340Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X
Piano secondario: 900 in senso orario dal piano primario, se necessario.
42.750Ytaglio

3)Orientamento: 42.750Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X

7. tantalato di litio
1) Requisiti generali del wafer di cristallo LT:
Diameter：　(1)Φ76.2±0.5mm      　(2) Φ100.0±0.5mm
Thickness：　(1)0.50±0.03mm       　(2) 0.40±0.03mm
Arco: ≤ 40um
Conicità: ≤ 20um
Orientamento: corrispondere a quello richiesto ±0,20, se non diversamente specificato.

L'identificazione della posizione piatta e della lunghezza deve essere la seguente:
Posizione piana principale: deve essere compresa tra ±0,20, se non diversamente specificato.
Primary Flat Length：　　(1)22±2mm         　　(2)32±2mm   unless specified.
Secondary Flat Length：   (1)10±3mm       　　  (2)12±3mm   unless specified.

8. Qualità della lucidatura della superficie:
Lucidatura superficiale: lucidatura a specchio 10—15A
Lucidatura del retro: lappata con sabbia diamantata GC1200 e incisa.
Trucioli del bordo: arrotondamento del bordo
Curie Temp. ：605±30C

Orientamento wafer individuale ＂Speciale＂Requisito:
1) Taglio a 360Y
Orientamento: 360Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X.
Appartamento secondario: nessuno

2) 420Y-cut
Orientamento: 420Y±0,20

Direzione piana primaria: asse X.
Piano secondario: 1800 in senso orario dal piano primario, se necessario.
Taglio X-1120Y
Orientamento: asse X±0,20
Direzione primaria piatta: +1120Y

9. Wafer al quarzo piezoelettronico
Requisiti generali del wafer al quarzo:
Diametro: (1)Φ76,2±0,5 mm
Spessore: (1)0,35±0,05 mm (2) 0,40±0,05 mm (3)0,50±0,05 mm
Arco: ≤ 40um
Conicità: ≤ 20um
Orientamento: corrispondere a quello richiesto ±0,20, se non diversamente specificato.
L'identificazione della posizione piatta e della lunghezza deve essere la seguente:
Posizione piana principale: deve essere compresa tra ±0,20, se non diversamente specificato.
Lunghezza piatta primaria: 22±2 mm se non diversamente specificato.
Lunghezza piatto secondario: 10±3 mm se non diversamente specificato.

10. Qualità della lucidatura della superficie:
Lucidatura superficiale: lucidatura a specchio 10—15A
Lucidatura del retro: lappata con sabbia diamantata GC600 o GC1200 e incisa.
Trucioli del bordo: arrotondamento del bordo
Posizione del seme: deve trovarsi entro i 6,5 mm centrali del wafer o non è necessario.
Fattore Q: ≥ 2 milioni min.

Orientamento wafer individuale ＂Speciale＂Requisito:
1) 360Y-cu
Orientamento: 360Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X.
Appartamento secondario: due appartamenti, 90 e 270 dall'appartamento primario, se necessario.

2) 340Y-cut
Orientamento: 340Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X
Piano secondario: 900 in senso orario dal piano primario, se necessario.

3)42.750Ytaglio
Orientamento: 42.750Y±0,20
Direzione piana primaria: asse X

4)Altri disponibili se richiesti

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