Substrato SCALMGO4 (SCAM)

Nel campo della produzione di semiconduttori, gli ingegneri usano in genere un substrato eterogeneo come silicio e zaffiro per preparare dispositivi a base di nitruro di gallio (GAN) e ossido di zinco (ZnO). Tuttavia, nella produzione reale, è stato riscontrato che le differenze di costante reticolo e le incoerenze del comportamento termodinamico tra materiali eterogenei possono porre sfide significative. Questa mancata corrispondenza strutturale può portare a un gran numero di difetti e densità di dislocazione all'interno del materiale, che a sua volta può causare problemi di affidabilità come la deriva della tensione di soglia e gli effetti di collasso attuale, limitando in definitiva il funzionamento stabile a lungo termine e la durata della durata del dispositivo. Vale la pena notare che l'ossido di scandium aluminato del sistema esagonale di magnesio (Scalmgo4, abbreviato come truffa o SAM) scoperto negli ultimi anni ha mostrato vantaggi unici. Questo materiale mantiene una buona compatibilità con i materiali a semiconduttore GAN e ZnO in termini di parametri della struttura cristallina e la sua costante reticolare è vicina a quella di GAN e ZnO, con un coefficiente di espansione termica molto abbinata. L'elevata adattabilità di questa proprietà fisica consente al substrato SCALMGO4 di sopprimere efficacemente la formazione di difetti durante la crescita epitassiale, fornendo un nuovo approccio per la preparazione di pellicole sottili epitassiali di alta qualità. Pam-xiamen può fornire materiali del substrato Scalmgo4, con specifiche specifiche come segue:

1. Specifica del substrato di Scalmgo4

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2.Advantages diSam substrateMmateriale

Come materiale del substrato, ScalmGo4 presenta i seguenti vantaggi significativi rispetto ai substrati tradizionali (come zaffiro, SIC, GAAS, ecc.) E altri GAN, ZnO eteroepitassiale Materiali del substrato:

1) Matching reticolare: il tasso di mancata corrispondenza reticolare tra ScalmGo4 e GAN è di circa l'1,4%e il tasso di mancata corrispondenza reticolare con ZnO è solo dello 0,09%, il che può effettivamente ridurre i difetti e le dislocazioni nello strato epitassiale, migliorare le prestazioni del dispositivo e la vita;

2) Coefficiente di espansione termica: il coefficiente di espansione termica di Scalmgo4 è vicino a quello di GAN e ZnO, che può efficacemente alleviare lo stress termico, evitare problemi come le crepe nel dispositivo durante il ciclo termico e migliorare ulteriormente la stabilità del dispositivo;

3) Caratteristiche di auto peeling: la superficie di cristallo (0001) del cristallo di Scalmgo4 lungo la direzione dell'asse C ha forti caratteristiche di scissione naturale, che consente al substrato di scalmo4 di separarsi naturalmente dallo strato epitassiale, ottenendo così il riutilizzo del substrato e riducendo i costi di produzione;

4) Proprietà chimiche stabili: Scalmgo4 è un ossido con elevata stabilità chimica, che può resistere alla corrosione e all'ossidazione, garantendo la stabilità a lungo termine del dispositivo;

5) trasparenza ottica: SAM Crystal ha un'eccellente trasparenza ottica e può essere utilizzato per produrre dispositivi optoelettronici;

6) Conducibilità: il materiale della truffa è un isolante in grado di impedire a cortocircuiti del dispositivo e altri problemi.

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