Wafer di semiconduttore inas per lo studio dell'effetto fotografico

Come semiconduttore a banda stretto, INAS ha una differenza significativa nella mobilità degli elettroni e dei fori, il che lo rende altamente sensibile all'effetto fotografico. La sua breve lunghezza di assorbimento ottico e l'elevata energia cinetica degli elettroni dopo la fotoeccitazione migliorano anche l'effetto fotografico. Inoltre, rispetto ai GAA, il campo elettrico di superficie di inas è più debole, quindi la sua emissione di terahertz (THZ) deriva principalmente dall'effetto fotografico piuttosto che dall'effetto del campo di superficie. Studiare il suo effetto fotografico può fornire importanti basi teoriche e supporto tecnico per lo sviluppo della tecnologia Terahertz, la ricerca sui materiali a semiconduttore e lo sviluppo di nuovi dispositivi. Pam-Xiamen può fornire substrati INAS per la ricerca accademica di base correlata, i seguenti parametri solo per riferimento:

1. Substrato inas per la ricerca dell'effetto fotografico

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2. Cosaios Fotografico effect?

L'effetto fotografico è un meccanismo per la generazione di radiazioni terahertz pulsate sotto l'eccitazione della luce dell'impulso di femtosecondi, che dipende dalla differenza nelle velocità di diffusione tra elettroni e fori nei semiconduttori. Quando gli impulsi laser ultrafast irradiano la superficie di un semiconduttore, eccitano la generazione di coppie di elettroni e fori liberi. A causa della velocità di diffusione significativamente più rapida degli elettroni rispetto ai fori, i due si diffondono in direzioni opposte, formando la separazione della carica e generando un momento di dipolo elettrico vicino alla superficie del semiconduttore, noto come momento di dipolo fotografico. Questo momento di dipolo irradia direttamente le onde elettromagnetiche terahertz perpendicolari alla direzione della superficie del semiconduttore.

La resistenza del suo effetto è influenzata da tre fattori: la differenza nella mobilità portante dei materiali a semiconduttore determina l'efficienza delle radiazioni; L'energia, la larghezza dell'impulso e l'intensità degli impulsi laser influenzano la concentrazione del portatore e il processo di rilassamento; Un campo magnetico esterno può regolare la direzione della radiazione terahertz modificando l'orientamento del momento dipolo. Questo effetto è attualmente applicato principalmente nella spettroscopia del dominio del tempo Terahertz per generare impulsi di radiazioni Terahertz, a sostegno della ricerca e delle applicazioni nella spettroscopia Terahertz, nella tecnologia di imaging e nei test industriali non distruttivi. Questo effetto esiste nella maggior parte dei semiconduttori, ma è particolarmente forte nei semiconduttori a banda stretti come INAS e INSB a causa della loro elevata mobilità degli elettroni.

3. Ricerca sull'emissione di terahertzGenerato daFotografareEffettodi inas

Gli studiosi hanno studiato le caratteristiche delle radiazioni terahertz generate dall'effetto fotografico dei materiali inas sotto l'eccitazione del polso laser femtosecondi. Sviluppando un modello di fluidodinamica, il meccanismo fisico di questo effetto è stato semplificato e analizzato e confrontato e verificato con i risultati della simulazione di Monte Carlo (EMC) dell'ensemble.

La ricerca ha dimostrato che l'ampiezza della fotocorrente transitoria è direttamente proporzionale alla differenza quadrata tra l'elettrone eccitato e le velocità del foro. L'intensità delle radiazioni terahertz è proporzionale all'intensità della luce a basse intensità di impulsi, che vanno da 3/2 a 2 volte la potenza, mentre mostra una tendenza di saturazione ad alte intensità e ha una dipendenza significativa dalla durata dell'impulso di luce.

L'esperimento ha anche scoperto che l'intensità di radiazione degli INA di tipo p è significativamente superiore a quella dell'INAS di tipo N e il processo di trasferimento della valle di elettroni riduce l'energia delle radiazioni. Tuttavia, quando l'accoppiamento della valle è abbastanza forte, gli picchi caratteristici appaiono nello spettro energetico. I risultati della ricerca indicano che il tipo di materiale (tipo P/N di tipo)), i parametri dell'impulso di luce (intensità, durata) e il comportamento di trasferimento di elettroni tra valle influenzano tutte le caratteristiche di radiazione terahertz di INAS.

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