Modellazione computer delle interazioni superficiali e trasporto di contaminanti nelle microstrutture durante il risciacquo dei wafer a semiconduttore a motivi
Modellazione del computer di interazioni superficiali e contamina
Mette in risalto
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Viene simulata la dinamica della rimozione dei contaminanti dalla superficie del micro/nanotrench.
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La trincea è rettangolare e realizzata con uno o due materiali diversi.
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Varie diffusività e caratteristiche superficiali sono considerate nel modello.
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Nella trincea multimateriale, le dinamiche di pulizia dipendono fortemente dall'ordine di impilamento.
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La dinamica ha due regimi quando il coefficiente di desorbimento nel materiale in alto è più piccolo.
Risciacquare le microstrutture su una modellatawafer semiconduttoreè modellato. I risultati della simulazione sono presentati per due casi quando le superfici di una trincea come microstruttura sono realizzate con un singolo materiale o due materiali diversi. Vengono presentate la dinamica della rimozione dei contaminanti dalle superfici della microstruttura e la sua dipendenza dalla struttura geometrica, caratteristiche fisiche delle superfici e diffusività contaminante. I risultati mostrano che nel caso di una trincea con due materiali diversi, la dinamica di pulizia della trincea dipende fortemente dall'ordine di impilamento dei materiali. Quando il materiale superiore ha un coefficiente di velocità di desorbimento più piccolo, la dinamica del trasporto contaminante sviluppa una tariffa inferiore in un certo punto nel tempo che dipende dallo spessore degli strati.
Fonte: Sciencedirect
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