Lingotti SiC

Lingotti SiC

PAM-XIAMEN offre n lingotti SiC di tipo con politipo 4H o 6H in asse o 4 gradi fuori asse in diversi gradi di qualità per ricercatori e produttori industriali, dimensioni da 2 "a 4", spessore da 5-10 mm a> 15 mm.

1. Specifiche dei lingotti SiC

Carburo di silicio 4″ 4H
Oggetto numero. Tipo Orientamento Spessore Grado Densità Micropipe Superficie Area utilizzabile
  Tipo N
S4H-100-N-SIC-C0510-AC-D 4″ 4H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S4H-100-N-SIC-C1015-AC-C 4″ 4H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm C <50/cm2 Come tagliato *
Carburo di silicio 3″ 4H
Oggetto numero. Tipo Orientamento Spessore Grado Densità Micropipe Superficie Area utilizzabile
  Tipo N
S4H-76-N-SIC-C0510-AC-D 3″ 4H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S4H-76-N-SIC-C1015-AC-D 3″ 4H-N 0°/4°±0,5° 10~15 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S4H-76-N-SIC-C0510-AC-C 3″ 4H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm C <50/cm2 Come tagliato *
S4H-76-N-SIC-C1015-AC-C 3″ 4H-N 0°/4°±0,5° 10~15 mm C <50/cm2 Come tagliato *
Carburo di silicio 2″ 4H
Oggetto numero. Tipo Orientamento Spessore Grado Densità Micropipe Superficie Area utilizzabile
  Tipo N
S4H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2″ 4H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S4H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2″ 4H-N 0°/4°±0,5° 10~15 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S4H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2″ 4H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm C <50/cm2 Come tagliato *
S4H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2″ 4H-N 0°/4°±0,5° 10~15 mm C <50/cm2 Come tagliato *
Carburo di silicio da 2″ 6H
Oggetto numero. Tipo Orientamento Spessore Grado Densità Micropipe Superficie Area utilizzabile
  Tipo N
S6H-51-N-SIC-C0510-AC-D 2″ 6H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S6H-51-N-SIC-C1015-AC-D 2″ 6H-N 0°/4°±0,5° 10~15 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S6H-51-N-SIC-C0510-AC-C 2″ 6H-N 0°/4°±0,5° 5~10 mm C <50/cm2 Come tagliato *
S6H-51-N-SIC-C1015-AC-C 2″ 6H-N 0°/4°±0,5° 10~15 mm C <50/cm2 Come tagliato *
  SEMI-ISOLANTE
S6H-51-SI-SIC-C0510-AC-D 2″ 6H SI 0°/4°±0,5° 5~10 mm D <100/cm2 Come tagliato *
S6H-51-SI-SIC-C1015-AC-D 2″ 6H SI 0°/4°±0,5° 10~15 mm D <100/cm2 Come tagliato *

 

2. Informazioni sui progressi dei lingotti SiC

Al momento, il metodo standard per la preparazione dei lingotti di SiC nel mondo è il metodo di sublimazione dei semi di cristallo. Il principio consiste nell'utilizzare il riscaldamento a induzione o resistenza per riscaldare il sistema a crogiolo chiuso, posizionare la miscela solida come fonte di crescita sul fondo del crogiolo a una temperatura più alta e fissare il seme di cristallo sulla parte superiore del crogiolo a una temperatura più bassa . La sorgente per la crescita del lingotto di SiC sublima e si decompone a bassa pressione e ad alta temperatura per produrre sostanze gassose, guidate dal gradiente di pressione formato dal gradiente di temperatura tra la sorgente di crescita e il seme cristallino. Queste sostanze gassose vengono naturalmente trasportate nella posizione del cristallo seme a bassa temperatura e la crescita del lingotto di wafer SiC a causa della generazione di sovrasaturazione.

Per ulteriori informazioni, si prega di contattarci e-mail avictorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.

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