SiC Wafer Substrate
L'azienda dispone di una linea completa di produzione di substrati per wafer SiC (carburo di silicio) che integra crescita dei cristalli, lavorazione dei cristalli, lavorazione dei wafer, lucidatura, pulizia e test. Al giorno d'oggi forniamo wafer SiC commerciali 4H e 6H con semiisolamento e conduttività in asse o fuori asse, dimensioni disponibili: 5x5mm2, 10x10mm2, 2",3",4", 6" e 8", rivoluzionando tecnologie chiave come la soppressione dei difetti, l'elaborazione dei cristalli di semi e la rapida crescita, promuovendo la ricerca di base e lo sviluppo relativi all'epitassia del carburo di silicio, ai dispositivi, ecc.
- Description
Descrizione
PAM-XIAMEN offre semiconduttoriSubstrato wafer SiC,6H SiCe4H SiC (carburo di silicio)in diversi gradi di qualità per ricercatori e produttori del settore. Abbiamo sviluppatoCrescita dei cristalli di SiC tecnologia eWafer di cristallo SiCtecnologia di elaborazione, ha creato una linea di produzione per produrre il substrato SiC, che viene applicato nel dispositivo epitassia GaN (ad esempio ricrescita AlN/GaN HEMT), dispositivi di potenza, dispositivi ad alta temperatura e dispositivi optoelettronici. In qualità di azienda professionale di wafer in carburo di silicio investita dai principali produttori nei settori della ricerca sui materiali avanzati e ad alta tecnologia, dagli istituti statali e dal China's Semiconductor Lab, ci dedichiamo a migliorare continuamente la qualità degli attuali substrati SiC e a sviluppare substrati di grandi dimensioni.
Qui mostra le specifiche dettagliate:
1. Specifiche del wafer SiC
1.1 Specifiche del wafer SiC da 8″
|
Substrato SiC di tipo N da 8 pollici |
|||
| Voce | Un voto | Grado B | Grado C |
| Diametro | 200 ± 0,2 mm | ||
| Spessore | 500±25μm | ||
| Polytype | 4H | ||
| Orientamento della superficie | 4° verso <11-20>±0.5º | ||
| drogante | n tipo Azoto | ||
| Orientamento della tacca | [1-100]±5° | ||
| Profondità della tacca | 1 ~ 1,5 mm | ||
| Resistività | 0,015~0,025 ohm·cm | 0,01~0,03 ohm·cm | NA |
| LTV | ≤5μm(10mm*10mm) | ≤10μm(10mm*10mm) | ≤15μm(10mm*10mm) |
| TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| ARCO | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤50μm | ≤70μm |
| Densità del microtubo | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| Contenuto di metallo | ≤1E11 atomi/cm2 | ≤1E11 atomi/cm2 | NA |
| TSD | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | NA |
| BPD | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | NA |
| TED | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | NA |
| Rugosità superficiale (faccia Si) | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| Superficie frontale finita | Si-face CMP | ||
| particella | ≤100 (dimensione≥0.3μm) | NA | NA |
| graffi | ≤5,Lunghezza totale≤Diametro | NA | NA |
| Scheggiature/cavità/crepe/macchie sui bordi/ contaminazione |
Nessuno | Nessuno | NA |
| Aree Politipo | Nessuno | ≤20% (area cumulativa) | ≤30% (area cumulativa) |
| Marcatura frontale | Nessuno | ||
| Superficie posteriore finita | Faccia a C lucidata | ||
| graffi | NA | NA | NA |
| Difetti posteriori, scheggiature/rientranze del bordo | Nessuno | Nessuno | NA |
| Rugosità posteriore | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| Marcatura posteriore | Tacca (il lato destro) | ||
| Bordo | Smussare | Smussare | Smussare |
| Imballaggio | Epi-ready con confezionamento sottovuoto; Confezione in cassetta multi-wafer o wafer singolo | ||
Note: “NA” significa nessuna richiesta. Le voci non menzionate potrebbero riferirsi a SEMI-STD.
1.2 Substrato SiC Ultra-Prime da 200 mm
| Voce | Wafer SIC di tipo N da 200 mm, DSP |
| Grado | Ultra Prime Grade |
| Diametro | 200 ± 0,2 mm |
| Spessore | 350±25um |
| Polytype | 4H |
| drogante | Azoto di tipo n |
| Orientamento | 4 ° verso <11-20> ± 0,15 ° |
| Orientamento della tacca | {1-100} ± 5 ° |
| Profondità di tacca | 1 ~ 1,5 mm |
| Resitività | 0,015 ~ 0,025Ω · cm |
| LTV | ≤3μm (10*10mm) |
| TTV | ≤7μm |
| Arco | -20 ~ 20um |
| Ordito | ≤30μm |
| Rugosità Si-Face | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0,2ea/cm2 |
| Impurità dei metalli | ≤1E11 atomi/cm2(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) |
| TSD | ≤200ea/cm2 |
| BPD | ≤1000ea/cm2 |
| TED | ≤3000ea/cm2 |
| Qualità anteriore | |
| Superficie anteriore | Si |
| Superficie finita | Si-face CMP |
| Particelle | ≤100ea/wafer (dimensione≥0,3um) |
| graffi | ≤5ea/nm, lunghezza totale≤diametro |
| Bordo scheggiato/tacche/crepe/macchie/contaminazione | Nessuno |
| Aree di politipo | Nessuno |
| Marcatura laser frontale | Nessuno |
| Qualità alla schiena | |
| Finitura posteriore | Faccia a C lucidata |
| graffi | NA |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno |
| Rugosità posteriore | Ra≤5nm |
| Marcatura laser sul retro | Tacca a destra |
| Bordo | Smussare |
| Pacchetto | Epi-ready con confezionamento sottovuoto, cassetta multi-wafer/wafer singolo |
1.3 Substrato SiC Ultra-Prime da 150 mm
| Voce | Wafer SIC di tipo N da 150 mm, DSP |
| Grado | Ultra Prime Grade |
| Diametro | 150 ± 0,2 mm |
| Spessore | 350±25um |
| Polytype | 4H |
| drogante | Azoto di tipo n |
| Orientamento | 4 ° verso <11-20> ± 0,15 ° |
| Orientamento piatto primario | {1-100} ± 5 ° |
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm |
| Appartamento secondario | Nessuno |
| Resitività | 0,016 ~ 0,024Ω · cm |
| LTV | ≤2μm (10*10 mm) |
| TTV | ≤5μm |
| Arco | -15 ~ 15um |
| Ordito | ≤20μm |
| Rugosità Si-Face | Ra≤0,2nm (5*5um) |
| MPD | <0,15ea/cm2 |
| Impurità dei metalli | ≤5E10 atomi/cm2 |
| BPD | ≤600ea/cm2 |
| TSD | ≤100ea/cm2 |
| Qualità anteriore | |
| Superficie anteriore | Si |
| Superficie finita | Si-face CMP |
| Particelle | ≤60ea/wafer (dimensione≥0,3um) |
| graffi | ≤2 pezzi/nm, lunghezza totale ≤1/2*diametro |
| Buccia d'arancia/noccioli/crepe/contaminazione/macchie/striature | Nessuno |
| Bordo chips/rientri/frattura | Nessuno |
| Aree di politipo | Nessuno |
| Marcatura laser frontale | Nessuno |
| Qualità alla schiena | |
| Finitura posteriore | Faccia a C lucidata |
| graffi | ≤5ea/nm, lunghezza totale≤diametro |
| Difetti sul retro (scheggiature/rientranze sui bordi) | Nessuno |
| Rugosità posteriore | Ra≤0,2nm (5*5um) |
| Marcatura laser sul retro | 1 mm dal bordo superiore |
| Bordo | Smussare |
| Pacchetto | Epi-ready con confezionamento sottovuoto, cassetta multi-wafer/wafer singolo |
1.4 SPECIFICHE WAFER 4H SIC, TIPO N, 6″
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| Descrizione | A/B Grado di produzione C/D Grado di ricerca D Grado fittizio 4H Substrato SiC | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diametro | (150±0,5) mm | (150±0,5) mm |
| Spessore | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Tipo di corriere | tipo n | tipo n |
| drogante | tipo n | tipo n |
| Resistività (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) | |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco | |
| Densità del microtubo | A ≤ 0,5 cm-2 B ≤ 2 cm-2 C ≤ 15 cm-2 D ≤ 50 cm-2 | |
| TTV | ＜ 15μm | ＜ 15μm |
| Arco | ＜ 40μm | ＜ 40μm |
| Ordito | ＜ 60μm | ＜ 60μm |
| Orientamento della superficie | ||
| Fuori asse | 4° verso <11-20>± 0,5° | 4° verso <11-20>± 0,5° |
| Orientamento piatto primario | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Lunghezza piatta primaria | 47,50mm±2,00mm | 47,50mm±2,00mm |
| Appartamento secondario | Nessuno | Nessuno |
| Finitura superficiale | Doppia faccia lucidata | Doppia faccia lucidata |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Crepe per elenco ad alta intensità | Nessuno (AB) | Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm (CD) |
| Piastre esagonali mediante luce ad alta intensità | Area cumulativa≤0,05% (AB) | Area cumulativa≤0,1% (CD) |
| Aree di politipo mediante luce ad alta intensità | Nessuno (AB) | Area cumulativa≤3% (CD) |
| Inclusioni di carbonio visive | Area cumulativa≤0,05% (AB) | Area cumulativa≤3% (CD) |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Nessuno (AB) | Lunghezza cumulativa ≤1 x diametro del wafer (CD) |
| Chip di bordo | Nessuno (AB) | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno (CD) |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Nessuno | - |
| Area utilizzabile | ≥ 90% | - |
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | 3 millimetri |
1.5 4H SIC, SEMI-ISOLANTE AD ALTA PUREZZA (HPSI), SPECIFICHE WAFER DA 6″
4H SIC,V DOPED SEMI-ISOLANTE, SPECIFICHE WAFER DA 6″
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| Descrizione | A: Grado di produzione, B: Grado di ricerca, C: Substrato SiC 4H di grado fittizio | ||
| Polytype | 4H | ||
| Diametro | 150 ± 0,2 mm | ||
| Spessore | 500 ± 25μm | ||
| Tipo di corriere | Semiisolante | ||
| drogante | V drogato | ||
| Orientamento della superficie | |||
| In asse | <0001> | ||
| Fuori asse | 0 ± 0,25 ° | ||
| Orientamento di tacca | [1-100] ± 5,0 ° | ||
| Profondità di tacca | 1 ~ 1,25 mm | ||
| Resistività (RT) | A: ≥1e8ohm.cm | B: area 100%> 1e5ohm.cm | C: area 50%> 1e5ohm.cm |
| Ruvidezza della superficie | ≤0,2 nm (5*5um, Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) | ||
| FWHM | A: ≤45 arcsec | B: ≤arcsec | C: ≤100arcsec |
| Densità del microtubo | A: ≤1 ea/cm2 | B: ≤5 ea/cm2 | C: ≤10 EA/CM2 |
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| Arco | -25μm~25μm | -35μm ~ 35 μm | -45μm~45μm |
| Ordito | ≤35μm | ≤45μm | ≤55 μm |
| Vuoto esagonale | Nessuno | NA | |
| Densità di inclusione del carbonio | ≤1 ea/cm2 | NA | |
| Particelle | ≤60 ea/wafer (dimensione≥0,3um） | NA | |
| graffi | ≤5, lunghezza totale≤Diameter | Diametro totale della lunghezza ≤2* | NA |
| Impurità dei metalli | ≤5E12 atomi/cm2 | ≤5E12 atomi/cm2 | NA |
| Finitura superficiale | Si-face CMP | ||
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli | ||
1.6 SPECIFICHE WAFER 4H SIC, TIPO N, 4″
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| Descrizione | A/B Grado di produzione C/D Grado di ricerca D Grado fittizio 4H Substrato SiC | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diametro | (100 ± 0,5) mm | (100 ± 0,5) mm |
| Spessore | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Tipo di corriere | tipo n | tipo n |
| drogante | Azoto | Azoto |
| Resistività (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) | |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco | |
| Densità del microtubo | A ≤ 0,5 cm-2 B ≤ 2 cm-2 C ≤ 15 cm-2 D ≤ 50 cm-2 | |
| TTV | ＜ 10μm | ＜ 10μm |
| Arco | ＜ 25μm | ＜ 25μm |
| Ordito | ＜ 45μm | ＜ 45μm |
| Orientamento della superficie | ||
| In asse | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Fuori asse | 4° o 8° verso <11-20>± 0,5° | 4° o 8° verso <11-20>± 0,5° |
| Orientamento piatto primario | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Lunghezza piatta primaria | 32,50mm±2,00mm | 32,50mm±2,00mm |
| Orientamento piatto secondario | Si-faccia: 90° senso orario. dall'orientamento in piano ± 5°- | |
| Faccia C: 90° in senso antiorario. dall'orientamento in piano ± 5°- | ||
| Lunghezza piatta secondaria | 18,00±2,00 mm | 18,00±2,00 mm |
| Finitura superficiale | Doppia faccia lucidata | Doppia faccia lucidata |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Crepe per elenco ad alta intensità | Nessuno (AB) | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm (CD) |
| Piastre esagonali mediante luce ad alta intensità | Area cumulativa≤0,05% (AB) | Area cumulativa≤0,1% (CD) |
| Aree di politipo mediante luce ad alta intensità | Nessuno (AB) | Area cumulativa≤3% (CD) |
| Inclusioni di carbonio visive | Area cumulativa≤0,05% (AB) | Area cumulativa≤3% (CD) |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Nessuno (AB) | Lunghezza cumulativa ≤1 x diametro del wafer (CD) |
| Chip di bordo | Nessuno (AB) | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno (CD) |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Nessuno | - |
| Area utilizzabile | ≥ 90% | - |
| Esclusione del bordo | 2 millimetri | 2 millimetri |
1.7 4H SIC, SEMI-ISOLANTE AD ALTA PUREZZA (HPSI), SPECIFICHE WAFER DA 4″
4H SIC,V DOPED SEMI-ISOLANTE, SPECIFICHE WAFER DA 4″
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| Descrizione | A/B Grado di produzione C/D Grado di ricerca D Grado fittizio 4H Substrato SiC | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diametro | (100 ± 0,5) mm | (100 ± 0,5) mm |
| Spessore | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Tipo di corriere | Semiisolante | Semiisolante |
| drogante | V drogato | V drogato |
| Resistività (RT) | > 1E7 Ω · cm | > 1E7 Ω · cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) | |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco | |
| Densità del microtubo | A ≤ 1 cm-2 B ≤ 5 cm-2 C ≤ 30 cm-2 D ≤ 50 cm-2 | |
| TTV | ＜ 10μm | ＜ 10μm |
| Arco | ＜ 25μm | ＜ 25μm |
| Ordito | ＜ 45μm | ＜ 45μm |
| Orientamento della superficie | ||
| In asse | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Fuori asse | Nessuno | Nessuno |
| Orientamento piatto primario | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Lunghezza piatta primaria | 32,50mm±2,00mm | 32,50mm±2,00mm |
| Orientamento piatto secondario | Si-faccia: 90° senso orario. dall'orientamento in piano ± 5°- | |
| Faccia C: 90° in senso antiorario. dall'orientamento in piano ± 5°- | ||
| Lunghezza piatta secondaria | 18,00±2,00 mm | 18,00±2,00 mm |
| Finitura superficiale | Doppia faccia lucidata | Doppia faccia lucidata |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Crepe per elenco ad alta intensità | Nessuno (AB) | Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm (CD) |
| Piastre esagonali mediante luce ad alta intensità | Area cumulativa≤0,05% (AB) | Area cumulativa≤0,1% (CD) |
| Aree di politipo mediante luce ad alta intensità | Nessuno (AB) | Area cumulativa≤3% (CD) |
| Inclusioni di carbonio visive | Area cumulativa≤0,05% (AB) | Area cumulativa≤3% (CD) |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Nessuno (AB) | Lunghezza cumulativa ≤1 x diametro del wafer (CD) |
| Chip di bordo | Nessuno (AB) | 5 consentiti, ≤1 mm ciascuno (CD) |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Nessuno | - |
| Area utilizzabile | ≥ 90% | - |
| Esclusione del bordo | 2 millimetri | 2 millimetri |
SPECIFICHE WAFER 1.8 4H TIPO N SIC, 3″ (76,2 mm)
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Descrizione | A/B Grado di produzione C/D Grado di ricerca D Grado fittizio 4H Substrato SiC |
| Polytype | 4H |
| Diametro | (76,2±0,38) mm |
| Spessore | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Tipo di corriere | tipo n |
| drogante | Azoto |
| Resistività (RT) | 0,015 – 0,028Ω·cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco |
| Densità del microtubo | A ≤ 0,5 cm-2 B ≤ 2 cm-2 C ≤ 15 cm-2 D ≤ 50 cm-2 |
| TTV/Arco/Ordito | ＜ 25μm |
| Orientamento della superficie | |
| In asse | <0001>± 0,5° |
| Fuori asse | 4° o 8° verso <11-20>± 0,5° |
| Orientamento piatto primario | <11-20>±5,0° |
| Lunghezza piatta primaria | 22,22mm±3,17mm |
| 0,875"±0,125" | |
| Orientamento piatto secondario | Si-faccia: 90° senso orario. dall'orientamento in piano ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Lunghezza piatta secondaria | 11.00 ± 1.70 mm |
| Finitura superficiale | Single or double face polished |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Scratch | Nessuno |
| Area utilizzabile | ≥ 90% |
| Esclusione del bordo | 2 millimetri |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
1.9 4H SEMI-INSULATING SIC, 3″(76.2mm)WAFER SPECIFICATION
(High Purity Semi-Insulating(HPSI) SiC substrate is available)
| UBSTRATE PROPERTY | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Descrizione | A/B Grado di produzione C/D Grado di ricerca D Grado fittizio 4H Substrato SiC |
| Polytype | 4H |
| Diametro | (76,2±0,38) mm |
| Spessore | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Tipo di corriere | semi-insulating |
| drogante | V drogato |
| Resistività (RT) | > 1E7 Ω · cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco |
| Densità del microtubo | A ≤ 1 cm-2 B ≤ 5 cm-2 C ≤ 30 cm-2 D ≤ 50 cm-2 |
| TTV/Arco/Ordito | ＜ 25μm |
| Orientamento della superficie | |
| In asse | <0001>± 0,5° |
| Fuori asse | 4° o 8° verso <11-20>± 0,5° |
| Orientamento piatto primario | <11-20>±5,0° |
| Lunghezza piatta primaria | 22,22mm±3,17mm |
| 0,875"±0,125" | |
| Orientamento piatto secondario | Si-faccia: 90° senso orario. dall'orientamento in piano ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Lunghezza piatta secondaria | 11.00 ± 1.70 mm |
| Finitura superficiale | Single or double face polished |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Scratch | Nessuno |
| Area utilizzabile | ≥ 90% |
| Esclusione del bordo | 2 millimetri |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
1.10 4H N-TYPE SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Descrizione | A/B Grado di produzione C/D Grado di ricerca D Grado fittizio 4H Substrato SiC |
| Polytype | 4H |
| Diametro | (50.8 ± 0.38) mm |
| Spessore | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Tipo di corriere | tipo n |
| drogante | Azoto |
| Resistività (RT) | 0.012 – 0.0028 Ω·cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco |
| Densità del microtubo | A ≤ 0,5 cm-2 B ≤ 2 cm-2 C ≤ 15 cm-2 D ≤ 50 cm-2 |
| Orientamento della superficie | |
| In asse | <0001>± 0,5° |
| Fuori asse | 4° o 8° verso <11-20>± 0,5° |
| Orientamento piatto primario | Parallel {1-100} ± 5° |
| Lunghezza piatta primaria | 16.00 ± 1.70) mm |
| Orientamento piatto secondario | Si-faccia: 90° senso orario. dall'orientamento in piano ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Lunghezza piatta secondaria | 8.00 ± 1.70 mm |
| Finitura superficiale | Single or double face polished |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Area utilizzabile | ≥ 90% |
| Esclusione del bordo | 1 mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
1.11 4H SEMI-INSULATING SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION
(High-Purity Semi-Insulating(HPSI) SiC substrate is available)
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Descrizione | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 4H SEMI Substrate |
| Polytype | 4H |
| Diametro | (50.8 ± 0.38) mm |
| Spessore | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Resistività (RT) | > 1E7 Ω · cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco |
| Densità del microtubo | A ≤ 1 cm-2 B ≤ 5 cm-2 C ≤ 30 cm-2 D ≤ 50 cm-2 |
| Orientamento della superficie | |
| On axis <0001>± 0.5° | |
| Off axis 3.5° toward <11-20>± 0.5° | |
| Orientamento piatto primario | Parallel {1-100} ± 5° |
| Lunghezza piatta primaria | 16.00 ± 1.70 mm |
| Secondary flat orientation Si-face:90° cw. from orientation flat ± 5° | |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Lunghezza piatta secondaria | 8.00 ± 1.70 mm |
| Finitura superficiale | Single or double face polished |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Area utilizzabile | ≥ 90% |
| Esclusione del bordo | 1 mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
1.12 6H N-TYPE SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION
| PROPRIETÀ DEL SUBSTRATO | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Descrizione | A/B Production Grade C/D Research Grade D Dummy Grade 6H SiC Substrate |
| Polytype | 6H |
| Diametro | (50.8 ± 0.38) mm |
| Spessore | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Tipo di corriere | tipo n |
| drogante | Azoto |
| Resistività (RT) | 0.02 ~ 0.1 Ω·cm |
| Ruvidezza della superficie | <0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready); <1 nm (lucido ottico C-face) |
| FWHM | A<30 secondi d'arco B/C/D <50 secondi d'arco |
| Densità del microtubo | A ≤ 0,5 cm-2 B ≤ 2 cm-2 C ≤ 15 cm-2 D ≤ 50 cm-2 |
| Orientamento della superficie | |
| In asse | <0001>± 0,5° |
| Fuori asse | 3.5° toward <11-20>± 0.5° |
| Orientamento piatto primario | Parallel {1-100} ± 5° |
| Lunghezza piatta primaria | 16.00 ± 1.70 mm |
| Orientamento piatto secondario | Si-faccia: 90° senso orario. dall'orientamento in piano ± 5° |
| C-face:90° ccw. from orientation flat ± 5° | |
| Lunghezza piatta secondaria | 8.00 ± 1.70 mm |
| Finitura superficiale | Single or double face polished |
| Imballaggio | Scatola per wafer singolo o scatola per wafer multipli |
| Area utilizzabile | ≥ 90% |
| Esclusione del bordo | 1 mm |
| Edge chips by diffuse lighting (max) | Please consult our engineer team |
| Cracks by high intensity light | Please consult our engineer team |
| Visual carbon Inclusions cumulative area | Please consult our engineer team |
| Graffi dovuti a luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
| Contaminazione da luce ad alta intensità | Please consult our engineer team |
Wafer con substrato SiC da 1,13 pollici
|
Specifiche del substrato 4H-SiC da 12 pollici (300 mm).(PAM07282026) |
|
| Parametro | Valore |
| Diametro | 300,0±0,5 mm |
| Spessore | 700±50μm |
| Polytype | 4H |
| drogante | Azoto di tipo n |
| Orientamento della superficie | NA |
| Orientamento della tacca | <1-100>±5° |
| Profondità di tacca | 1-1,25 mm |
| Resistività | NA |
| TTV | NA |
| Arco | NA |
| Ordito | NA |
| Densità del microtubo | NA |
| Inclusioni di carbonio visibili | NA |
| Impurità dei metalli | NA |
| TSD | NA |
| BPD | NA |
| TED | NA |
| SF(2mm*2mm) | NA |
| Area utilizzabile totale (2 mm*2 mm) | NA |
| Qualità del lato anteriore | |
| Anteriore | Si |
| Finitura superficiale | Si-face CMP |
| Particelle | NA |
| graffi | NA |
| Buccia d'arancia/noccioli/macchie/striature/crepe/contaminazione/fori di spillo | NA |
| Scheggiature/rientranze sui bordi | NA |
| Aree di politipo | NA |
| Rugosità anteriore | NA |
| Marcatura laser frontale | Nessuno |
| Qualità del lato posteriore | |
| Finitura posteriore | Faccia a C lucidata |
| graffi | NA |
| Scheggiature/rientranze sui bordi | NA |
| Rugosità posteriore | NA |
| Marcatura laser sul retro | Direttamente sopra la tacca |
| Bordo | Smussare |
| Imballaggio | Cassetta a wafer singolo/multiplo riempita di azoto o sotto vuoto, predisposta per l'epi |
Nota: "NA" significa nessun requisito.
1.14 Wafer di cristallo di semi SiC:
| Voce | Dimensione | Tipo | Orientamento | Spessore | MPD | Polishing Condition |
| No.1 | 105mm | 4H, N type | C(0001)4deg.off | 500+/-50um | <=1/cm-2 | – |
| No.2 | 153mm | 4H, N type | C(0001)4deg.off | 350+/-50um | <=1/cm-2 | – |
4H N-type or semi-insulating SIC,5mm*5mm, 10mm*10mm WAFER SPECIFICATION: Thickness:330μm/430μm
4H N-type or semi-insulating SIC,15mm*15mm, 20mm*20mm WAFER SPECIFICATION:Thickness:330μm/430μm
a-plane SiC Wafer, size: 40mm*10mm,30mm*10mm,20mm*10mm,10mm*10mm,specs below:
6H/4H N type Thickness:330μm/430μm or custom
6H/4H Semi-insulating Thickness:330μm/430μm or custom
1.15 PROPRIETÀ DEL MATERIALE DEL CARBURO DI SILICIO
| SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES | ||
| Polytype | Single Crystal 4H | Single Crystal 6H |
| Lattice Parameters | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Stacking Sequence | ABCB | ABCACB |
| Band-gap | 3.26 eV | 3.03 eV |
| Density | 3.21 · 103 kg/m3 | 3.21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Expansion Coefficient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Refraction Index | no = 2.719 | no = 2.707 |
| ne = 2.777 | ne = 2.755 | |
| Dielectric Constant | 9.6 | 9.66 |
| Thermal Conductivity | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Break-Down Electrical Field | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Saturation Drift Velocity | 2.0 · 105 m/s | 2.0 · 105 m/s |
| Electron Mobility | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| hole Mobility | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Mohs Hardness | ~9 | ~9 |
2. About SiC Wafer
Silicon carbide wafer have excellent thermodynamic and electrochemical properties.
In terms of thermodynamics, the hardness of silicon carbide is as high as 9.2-9.3 on the Mohs at 20°C. It is one of the hardest materials and can be used to cut rubies. The SiC wafer thermal conductivity exceeds that of copper, which is 3 times that of Si and 8-10 times that of GaAs. And SiC wafer thermal stability is high, it is impossible to be melted under normal pressure.
In terms of electrochemistry, bare silicon carbide wafer has the characteristics of wide band gap and breakdown resistance. The band gap of SiC substrate wafer is 3 times that of Si, and breakdown electric field is 10 times that of Si, and its corrosion resistance is extremely strong.
Therefore, SiC-based SBDs and MOSFETs are more suitable for working in high-frequency, high-temperature, high-voltage, high-power, and radiation-resistant environments. Under the conditions of the same power level, SiC devices can be used to reduce the volume of electric drives and electronic controls, meeting the needs of higher power density and compact design. On the one hand, silicon carbide substrate wafer fabrication technology is mature, and the SiC wafer cost is competitive currently. On the other hand, the trend of intelligence and electrification continues to evolve. The traditional cars has brought huge demand for SiC power semiconductors. Thus, the global SiC wafer market is growing rapidly.
3. Q&A of SiC Wafer
3.1 What is the barrier of SiC wafer becoming a wide application same as silicon wafer?
1.Due to the physical and chemical stability of SiC, the crystal growth of SiC is extremely difficult, which seriously hinders the development of SiC semiconductor devices and their electronic applications.
2.Since there are many kinds of SiC structures with different stacking sequences (also known as polymorphism) , the growth of electronic grade SiC crystal is hindered. The polymorphs of SiC, such as 3C SiC, 4H SiC and 6h SiC.
3.2 What kind of SiC wafer do you offer?
What you need belongs to cubic phase, there are cubic (c), hexagonal (H) and rhombic (R). what we have are hexagonal, such as 4H and 6h, C is cubic, like 3C silicon carbide.
4. Please see below sub-catalogue:
4H N Type SiC
4H Semi-insulating SiC
SiC Ingots
Lapped Wafers
Polishing Wafer
PAM-XIAMEN Offers High Purity Semi-Insulating SiC substrate
SiC(Silicon Carbide) Boule Crystal
HPSI SiC Wafer for Graphene Growth
Thick Silicon Carbide Substrate
Why do We Need High Purity Semi-insulating SiC Wafer?
Phonon Properties of SiC Wafer
