Wafer di silicio di grado di prova da 12 pollici

Descrizione

Pam-Xiamen offre wafer di silicio di tipo P o n tipo N (12 pollici). Lo spessore del wafer di test del silicio è di 775 ± 25 μm. Rispetto ad altri fornitori di wafer di silicio, Powerway Wafer offre un servizio professionale a prezzi competitivi.

1. Specifica del wafer di silicio di prova

Parametri	Valore
Tipo di lingotto	Coltivato secondo il metodo Czochralski
Diametro, mm	300 ± 0,2
drogante	B (boro)
Tipo di conduttività	P
Ossigeno max, OLD-PPMA	40
Carbonio, PPMA	1
Prova Orientamento al cristallo del wafer di silicio	<100>
Deviazione dall'orientamento superficiale predeterminato del piano cristallino, deg	1
Resistività di volume, Ohm · cm	10-40
Tacca primaria	Sì
Posizione della tacca	110
Dimensione tacca, mm	2,3
Notch Form	V
Spessore del wafer, micron	775 ± 25
Tipo di marcatura	Laser
Posizione della marcatura laser al silicio	lato posteriore
Profilo del bordo	di SEMI T/4
Graffi sul lato anteriore	assente
Lucidatura lato anteriore	sì
Lucidatura lato posteriore	sì
Cambiamento totale nello spessore del wafer (TTV), micrometri	5
Deflessione (WARP), micron	60
Il numero di particelle su una superficie più grande di 0,09 micron	50
Contenuto di superficie dell'alluminio, E10AT/CM2	1

 

Requisiti di imballaggio:

Parametri
Tipo di imballaggio	MW300GT-A
Materiale del contenitore interno	Polietilene
Materiale dell'imballaggio esterno	Alluminio
Numero di pezzi in un unico pacchetto	25
Riutilizzabilità	sì

 

2. Testare l'utilizzo del wafer di silicio

I wafer di silicio più grandi di 150 mm sono classificati in wafer di test meccanici (fittizio) e wafer di test di processo, e i standard del settore del wafer di silicio di prova sono presenti nei seguenti semi standard （Attrezzature semiconduttori e materiali internazionali, Associazione a semiconduttore (FPAT FLADUTOR OFFATTHED ATTRIMPATH, FPDD ATTRICH, FPD (FPD). micro o nano-technologie）.

3.Informazioni sul grado di prova del wafer di silicio

Tuttavia, una diversa applicazione ha richiesto parametri diversi per il wafer di test meccanici o di processo:

Wafer di silicio di grado di test di processo

Processo di test di test del wafer di silicio, è chiamato wafer monitor, che è per il monitoraggio del processo e alcune applicazioni di elaborazione nella fabbricazione di wafer. Wafer FAB Utilizzare anche wafer di test di monitoraggio per valutare la pulizia delle apparecchiature, supportare la misurazione delle particelle o valutare la contaminazione metallica ecc.

Wafer di silicio fittizio

Il wafer di silicio fittizio, chiamato anche wafer di test di grado meccanico, è quello di testare le apparecchiature per le caratteristiche dimensionali e strutturali del wafer, che viene utilizzata per eseguire test di gestione dell'automazione delle apparecchiature, maratone affidabili e test software e valutare le prestazioni di interoperabilità dell'hardware di gestione del wafer.

Anche wafer di silicio fab utilizzano wafer di test di silicio di grado meccanico per elaborare applicazioni di sviluppo che non sono sensibili a particelle e difetti.

Wafer di silicio di livello particelle di prova

I wafer di silicio di livello particelle di prova sono per i monitor di test delle particelle per misurare le particelle di wafer per applicazioni, come il processo CVD e ALD.

Secondo il semi standard, le particelle di wafer di silicio devono essere <0,6 particelle@> 0,125μm/cm2 e <0,15 particelle@> 0,25μm/cm2 per il processo di 250 nm e l'utilizzo delle regole di progettazione a 130 nm, i wafer da 300 mm devono avere ≤60 lls@> = 90nm per il processo 130NM.

Wafer di silicio per la fotolitografia o il test di patterning

Test wafer di silicio per la fotolitografia o il test di patterning si concentrano principalmente sul requisito nella variazione dello spessore del wafer, TTV, ordito, prua e piattalità. Per istantaneo, un design da stampo di wafer da 250 nm, il corrispondente semi standard M24: Piatteness per sito (SFSR) di ≤ 0,2 μm a dimensioni del sito 25 x 25 mm.

Grado della fornaceProvaSilicioWafer

Il semiconduttore del wafer di prova del forno ha un requisito rigorosamente per le caratteristiche elettriche ma non prestazioni di particelle strette.

La resistività del wafer di silicio di prova del forno dovrebbe essere superiore a 1ohm.cm e drogata in modo molto uniforme con vita> = 200us.

Anche i wafer di grado forno sono strettamente controllati di ossigeno e contenuto di carbonio, nonché gradiente di resistività radiale.

Vergine Prova i wafer

I wafer di silicio di Virgin Test non sono utilizzati nella produzione di semiconduttori, ma per il monitoraggio del processo di wafer secondo Semi M8-93.

Wafer di silicio di grado solare

Rispetto al wafer di silicio di grado IC, il wafer di silicio di grado solare ha un requisito inferiore,

La sua purezza è> = 99,9999% mentre la purezza nel grado IC è> = 9999999,99%

 

4. Domande frequenti:

Q:Qual è la differenza tra wafer di silicio Prime, Test e Dummy?

UN: Il wafer di silicio di grado privilegiato è il wafer di silicio migliore per la produzione e la fotolitografia formale.

Test Wafer di silicio è il wafer di silicio per il test delle apparecchiature o la gestione e il test Fab.

Wafer di silicio di grado fittizio è il wafer di silicio per la valutazione del processo di produzione o la misura di sicurezza nella linea di produzione.

Rispetto al wafer di silicio di grado di test, i parametri del wafer di silicio di grado fittizio sono molto più facili o sciolti solo per le apparecchiature di test per le caratteristiche dimensionali e strutturali del wafer. Ma a volte non è così severo distinguere.

 

Pam-Xiamen può offrirti la tecnologia e il supporto del wafer.

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