INP-DHBT tridimensionale sull'integrazione di Sige-Bicmos mediante legame wafer a base di benzociclobutene per circuiti di onda MM
Highlights • Viene descritto lo schema di fabbricazione per circuiti eterogenei da SI-a-INP a livello di wafer. • Accuratezza dell'allineamento da wafer-wafer meglio di 4-8 μm dopo il legame ottenuto. • Interconnessione con prestazioni eccellenti fino a 220 GHz dimostrato. • Barriera di palladio necessaria quando si combinano la tecnologia basata su AL con una basata su oro. Abstract per beneficiare delle proprietà materiali delle tecnologie INP-HBT e Sige-Bicmos ...