Etichetta - Substrato SiC

Verso una membrana 3C–SiC di alta qualità su uno pseudo-substrato 3C–SiC

Punti salienti •Elaborazione di una membrana liscia 3C–SiC su un substrato SiC. •Superficie sfaccettata per l'orientamento (110) ma più liscia per l'orientamento (111). •Rugosità della membrana 3C–SiC limitata a 9 nm per l'orientamento (111). •Nuovi dispositivi MEMS realizzabili. •Le enormi proprietà del SiC potrebbero essere interamente sfruttate. Il politipo cubico del carburo di silicio è [...]

2015-09-06 , Per saperne di più...

Crescita SiC a base di cloruro su substrati 4H-SiC dell'asse a

Negli ultimi anni il SiC è diventato sempre più importante come materiale per dispositivi di potenza per applicazioni ad alta tensione. Lo strato epitassiale spesso e a basso drogaggio che supporta la tensione viene normalmente cresciuto mediante CVD su substrati 4H-SiC ritagliati di 4° a un tasso di crescita di Visualizza la sorgente MathML utilizzando silano (SiH4) e propano (C3H8) o [... ]

2015-08-27 , Per saperne di più...

Crescita di film 3C-SiC su substrati di Si mediante epitassia trifase vapore-liquido-solido

Film cubici di SiC (3C-SiC) sono stati depositati su (111) substrati di Si mediante un metodo di crescita trifase vapore-liquido-solido. In tale processo un sottile strato di rame, che era evaporato sul substrato di Si prima della crescita, veniva fuso ad alta temperatura mentre il flusso e quindi il metano (fonte di carbonio) venivano [...]

2015-07-22 , , Per saperne di più...