Photo Mask

Offerte PAM Xiamenfotomaschere

Una maschera fotografica è un sottile rivestimento di materiale di mascheratura supportato da un substrato più spesso e il materiale di mascheratura assorbe la luce a vari livelli e può essere modellato con un design personalizzato. Il pattern viene utilizzato per modulare la luce e trasferire il pattern attraverso il processo di fotolitografia che è il processo fondamentale utilizzato per costruire quasi tutti i dispositivi digitali odierni.

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Product Description

Foto Mask

Offerte PAM Xiamenfotomaschere

Photomask Large Size

Photomask Middium and Small Size

Photographic plate

Photographic Film Letterpress

Photographic Film

Fotomaschera cromata

Fotomaschera cromata vuota

Maschera per fotolitografia

UNmaschera fotograficaè un sottile rivestimento di materiale di mascheratura supportato da un substrato più spesso e il materiale di mascheratura assorbe la luce in vari gradi e può essere modellato con un design personalizzato. Il pattern viene utilizzato per modulare la luce e trasferire il pattern attraverso il processo di fotolitografia che è il processo fondamentale utilizzato per costruire quasi tutti i dispositivi digitali di oggi.

Cos'è una fotomaschera?

Una fotomaschera è una lastra opaca con fori o trasparenze che consentono alla luce di risplendere secondo uno schema definito. Sono comunemente usati nella fotolitografia. litograficofotomascheresono in genere grezzi di silice fusa trasparenti ricoperti da un motivo definito con una pellicola che assorbe il metallo cromato.fotomaschere are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Materiali della maschera - Differenza tra quarzo e vetro soda-calcico:

I tipi di vetro più comuni per la produzione di maschere sono Quarzo e Soda Lime. Il quarzo è più costoso, ma ha il vantaggio di un coefficiente di espansione termica molto più basso (il che significa che si espande meno se la maschera si riscalda durante l'uso) ed è anche trasparente alle lunghezze d'onda ultraviolette (DUV) più profonde, dove il vetro Soda Lime è opaco. Il quarzo deve essere utilizzato dove la lunghezza d'onda utilizzata per esporre la maschera è inferiore o uguale a 365 nm (i-line). Una maschera per fotolitografia è una lastra o una pellicola opaca con aree trasparenti che consentono alla luce di risplendere in uno schema definito. Sono comunemente usati nei processi di fotolitografia, ma sono anche usati in molte altre applicazioni da una vasta gamma di industrie e tecnologie. Esistono diversi tipi di maschera per diverse applicazioni in base alla risoluzione necessaria.

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1X maschera principale

Dimensioni della maschera principale 1X e materiali di substrato

Prodotto Dimensioni Materiali del substrato
1X Maestro 4” X4” X0,060” o 0,090” Quarzo e soda lime Li
5” X5” X0.090” Quarzo e soda lime Li
6” X6” X0.120” o 0.250” Quarzo e soda lime Li
7” X7” X0.120” o 0.150” Quarzo e soda lime Li
7,25 "tondo X 0,150" Quarzo
9”X9”X0.120” o 0.190” Quarzo e soda lime Li

 

Specifiche comuni per maschere master 1X (materiale al quarzo)

Dimensioni CD CD CD da media a nominale Uniformità del CD Registrazione dimensione del difetto
2.0 ehm 0,25 mm 0,25 mm 0,25 mm ≥2.0 um
4.0 ehm 0.30 ehm 0.30 ehm 0.30 ehm ≥3,5 um

 

Specifiche comuni per maschere master 1X (materiale soda lime)

Dimensioni CD CD CD da media a nominale Uniformità del CD Registrazione dimensione del difetto
4 ehm 0,25 mm ———— 0,25 mm ≥3,0 mm
4 ehm 0.30 ehm ———— 0.45 ehm ≥5.0 mm

 

Maschera UT1X

Dimensioni della maschera UT1X e materiali del substrato

Prodotto Dimensioni substrato di materiale
UT1X 3″ X5″ X0.090″ Quarzo
5″ X5″ X0.090″ Quarzo
6″ X6″X0.120″ o 0.250″ Quarzo

 

Specifiche comuni per le maschere UT1X

Dimensioni CD CD CD da media a nominale Uniformità del CD Registrazione dimensione del difetto
1,5 mm 0.15 ehm 0.15 ehm 0.15 ehm ≥0.50 um
3.0 ehm 0.20 ehm 0.20 ehm 0.20 ehm ≥0,60 um
4.0 ehm 0,25 mm 0,25 mm 0.20 ehm ≥0,75 um

 

Maschere binarie standard

Dimensioni della maschera binaria standard e materiali di supporto

Prodotto Dimensioni Materiali del substrato
2X 6 "X 6" X0.250 " Quarzo
2,5X
4X
5X 5″ X5″ X0.090″ Quarzo
6″ X6″ X0.250″ Quarzo

 

Specifiche comuni per maschere binarie standard

Dimensioni CD CD CD da media a nominale Uniformità del CD Registrazione dimensione del difetto
2.0 ehm 0.10 ehm 0.15 ehm 0.10 ehm ≥0.50 um
3.0 ehm 0.15 ehm 0.15 ehm 0.15 ehm ≥0,75 um
4.0 ehm 0.20 ehm 0.20 ehm 0.20 ehm ≥1.00 um

 

Maschere per aree medie

Dimensioni e materiali della maschera di area media

Prodotto Dimensioni Materiali del substrato
1X 9″ X9″ 0,120″ Quartz Soda Lime (disponibili assorbitori di cromo e ossido di ferro)
9″ X9″ 0,190″ Quarzo

 

Specifiche comuni per maschere per aree medie (materiale al quarzo)

Dimensioni CD CD CD da media a nominale Uniformità del CD Registrazione dimensione del difetto
0,50 mm 0.20 ehm ———— 0.15 ehm ≥1.50 um

 

Specifiche comuni per maschere per aree medie (materiale soda lime)

Dimensioni CD CD CD da media a nominale Uniformità del CD Registrazione dimensione del difetto
10 ehm 4.0 ehm ———— 4.0 ehm ≥10 mm
4 um 2.0 ehm ———— 1.0 ehm ≥5 mm
2,5 mm 0,5 um ———— 0.75 ehm ≥3 mm

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