ウェーハファウンドリサービス
PAM-XIAMENは、高度な半導体プロセス技術を備えたウェーハファウンドリサービスを提供し、基板とウェーハのエクスパキシーの上流での経験から恩恵を受けています。
PAM-XIAMENは、ファブレス企業、IDM、および研究者向けの最先端のウェーハ技術およびファウンドリサービスです。
- 説明
製品の説明
PAM-XIAMENは、半導体製造におけるウェーハファウンドリサービスを提供します。
高度な半導体プロセス技術に感謝し、基板とウェーハのエクスパキシーの上流での経験から恩恵を受けます。
PAM-XIAMENは、ファブレス企業、IDM、および研究者向けの最先端のウェーハ技術およびファウンドリサービスです。
現在、微細加工用の200mmウェーハ製造施設(fab)があります。
ウェーハファウンドリサービス
プロセス名 | ウェーハサイズ(インチ) | 能力 |
ステッパーフォトリソグラフィー | 6 | 0.40um |
接触したフォトリソグラフィー | 2,4 | 3um |
ドライエッチング | 6 | 深さ100um(Si),金属、GaN |
ウェットベンチ | 6,8 | 金属、SiO2、SiN、TEOS、ポリシリコン |
PECVD | 6 | SiN SiO2.TEOS |
LPCVD | 6 | SiN、SiO2。ポリシリコン |
ALD | 6 | Al2O3、AIN |
燻る | 6 | Ti.Al、TiN、Ni、W。 TiW.WN |
Eビーム | 4,6,8 | Ti、Ni、Ag。 Al.Ta、Cr Pt.Mo、Co |
移植 | 6 | B(20- 200KeV、1E13-1E15).N |
RTP | 6 | 最大900℃ |
オーブン | 6 | 最大400℃ |
ウェーハ製造のファウンドリサービス機能は次のとおりです。
最大8インチの金属プロセス:スパッタシステムまたはEビームシステムによるTi、Ni、Ag、Pt、Mo、Al、W、Crなどによるウェーハメタライゼーション
ALM、SAMCO RIE、またはICPエッチング装置による最大6インチのドライエッチングプロセス
フィルムプロセス:PECVD、DF&LPCVD、ALDおよびUnitempRTPによるSiO2、SiN、Al2O3薄膜。
4. 2″ / 4″ / 6″のリソグラフィープロセス:最小。 ニコンステッパーによる線幅0.4um
投影リソグラフィー:CD 2um、精度1um
ULVACによる2″ / 4″ / 6″用のイオン注入装置(B +、BF2 +、P +、As +、Ar +、B ++、P ++)
ウェーハ製造プロセスは、生のウェーハを完成したチップに加工するために行われます。
従来のウェーハ製造プロセスには、抵抗器、トランジスタ、導体、
および半導体ウェーハ上で処理するその他の電子部品。
ナノリソグラフィー(フォトリソグラフィー)を提供できます:表面処理、フォトレジスト塗布、ソフトベイク、
位置合わせ、露光、現像、ハードベーク、現像検査、エッチング、フォトレジスト除去(ストリップ)、最終検査。
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/wafer-fabrication
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com