ウェーハ鋳造サービス

ウェーハファウンドリサービス

PAM-XIAMENは、高度な半導体プロセス技術を備えたウェーハファウンドリサービスを提供し、基板とウェーハのエクスパキシーの上流での経験から恩恵を受けています。

PAM-XIAMENは、ファブレス企業、IDM、および研究者向けの最先端のウェーハ技術およびファウンドリサービスです。

 

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製品の説明

PAM-XIAMENは、半導体製造におけるウェーハファウンドリサービスを提供します。
高度な半導体プロセス技術に感謝し、基板とウェーハのエクスパキシーの上流での経験から恩恵を受けます。
PAM-XIAMENは、ファブレス企業、IDM、および研究者向けの最先端のウェーハ技術およびファウンドリサービスです。
現在、微細加工用の200mmウェーハ製造施設(fab)があります。

ウェーハファウンドリサービス

プロセス名 ウェーハサイズ(インチ) 能力
ステッパーフォトリソグラフィー 6 0.40um
接触したフォトリソグラフィー 2,4 3um
ドライエッチング 6 深さ100um(Si)金属、GaN
ウェットベンチ 6,8 金属、SiO2、SiN、TEOS、ポリシリコン
PECVD 6 SiN SiO2.TEOS
LPCVD 6 SiN、SiO2。ポリシリコン
ALD 6 Al2O3、AIN
燻る 6 Ti.Al、TiN、Ni、W。 TiW.WN
Eビーム 4,6,8 Ti、Ni、Ag。 Al.Ta、Cr Pt.Mo、Co
移植 6 B(20- 200KeV、1E13-1E15).N
RTP 6 最大900℃
オーブン 6 最大400℃

 

ウェーハ製造のファウンドリサービス機能は次のとおりです。

最大8インチの金属プロセス:スパッタシステムまたはEビームシステムによるTi、Ni、Ag、Pt、Mo、Al、W、Crなどによるウェーハメタライゼーション
ALM、SAMCO RIE、またはICPエッチング装置による最大6インチのドライエッチングプロセス
フィルムプロセス:PECVD、DF&LPCVD、ALDおよびUnitempRTPによるSiO2、SiN、Al2O3薄膜。
4. 2″ / 4″ / 6″のリソグラフィープロセス:最小。 ニコンステッパーによる線幅0.4um
投影リソグラフィー:CD 2um、精度1um
ULVACによる2″ / 4″ / 6″用のイオン注入装置(B +、BF2 +、P +、As +、Ar +、B ++、P ++)

ウェーハ製造プロセスは、生のウェーハを完成したチップに加工するために行われます。
従来のウェーハ製造プロセスには、抵抗器、トランジスタ、導体、
および半導体ウェーハ上で処理するその他の電子部品。
ナノリソグラフィー(フォトリソグラフィー)を提供できます:表面処理、フォトレジスト塗布、ソフトベイク、
位置合わせ、露光、現像、ハードベーク、現像検査、エッチング、フォトレジスト除去(ストリップ)、最終検査。

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/wafer-fabrication
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com