フォトマスク

PAM-厦門オファーフォトマスク

フォトマスクは、より厚い基板によって支持マスキング材の薄いコーティングであり、マスキング材料は、様々な程度に光を吸収し、カスタム設計でパターン化することができます。 パターンは、光を変調し、ほぼすべての今日のデジタル機器のを構築するために使用される基本的なプロセスであるフォトリソグラフィのプロセスを経てパターンを転写するために使用されます。

  • 説明

製品の説明

フォトマスク

PAM-厦門オファーフォトマスク

フォトマスク大型

フォトマスクMiddiumと小型

写真乾板

写真フィルム活版

写真フィルム

Aフォトマスク厚い基板によって支持マスキング材の薄いコーティングであり、マスキング材料は、様々な程度に光を吸収し、カスタム設計でパターン化することができます。 パターンは、光を変調し、ほぼすべての今日のデジタル機器のを構築するために使用される基本的なプロセスであるフォトリソグラフィのプロセスを経てパターンを転写するために使用されます。

フォトマスクとは何ですか

フォトマスクは、光が定義されたパターンに透けて見えるすることを可能にする穴または透明と不透明なプレートです。 彼らは一般的に、フォトリソグラフィで使用されています。 リソグラフィフォトマスク典型的には、クロム金属吸収膜で定義されたパターンで覆われた透明な石英ガラスブランクです。フォトマスク are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

クォーツとソーダライムガラスの間の材料-Differenceマスク:

製造マスク用ガラスの最も一般的なタイプは、石英やソーダライムです。 クォーツは、より高価ですが、(マスクを使用中に暖かくならば、それはあまりを拡張意味する)熱膨張のはるかに低い係数の利点を持っており、ソーダライムガラスが不透明である深い紫外(DUV)波長でも透明です。 石英は.Aフォトリソグラフィマスクは、光が定義されたパターンに透けて見えるすることを可能にする透明な領域と不透明なプレートまたはフィルムでマスクを露光するために使用される波長は以下365nmのに等しい(i線)である場合に使用する必要があります。 彼らは一般的に、フォトリソグラフィ工程で使用されるが、産業や技術の広い範囲で、他の多くの用途で使用されています。 それはつまり、必要な解像度に基づいて、異なるアプリケーションのためのマスクの異なる種類が存在します。

より多くの製品の詳細については、luna@powerwaywafer.comまたはpowerwaymaterial@gmail.comまでお問い合わせください。

 

1Xマスターマスク

1Xマスターマスクの寸法と基板材料

製品 寸法 基板材料
1Xマスター 4” X4” X0.060” 又は0.090” クォーツとソーダライム
5” X5” X0.090” クォーツとソーダライム
6” X6” X0.120” または0.250” クォーツとソーダライム
7” X7” X0.120” または0.150” クォーツとソーダライム
7.25” ラウンドX 0.150” 石英
9” X9” X0.120” または0.190” クォーツとソーダライム

1Xマスターマスクのための共通仕様(クォーツ素材)

CDサイズ CD平均ツー公称 CD均一性 登録 欠陥サイズ
2.0 umの ≤0.25ええと ≤0.25ええと ≤0.25ええと ≥2.0ええと
4.0 umの ≤0.30ええと ≤0.30ええと ≤0.30ええと ≥3.5ええと

1Xマスターマスクのための共通仕様(ソーダライム素材)

CDサイズ CD平均ツー公称 CD均一性 登録 欠陥サイズ
≤4ええと ≤0.25ええと ---- ≤0.25ええと ≥3.0ええと
> 4 UM ≤0.30ええと ---- ≤0.45ええと ≥5.0ええと

UT1Xマスク

UT1Xマスク寸法図と基板材料

製品 寸法 基板材料
UT1X 3 "X5" X0.090 " 石英
5 "X5" X0.090 " 石英
6 "X6" X0.120」または0.250 " 石英

UT1Xマスクのための共通仕様

CDサイズ CD平均ツー公称 CD均一性 登録 欠陥サイズ
1.5 umの ≤0.15ええと ≤0.15ええと ≤0.15ええと ≥0.50ええと
3.0 umの ≤0.20ええと ≤0.20ええと ≤0.20ええと ≥0.60ええと
4.0 umの ≤0.25ええと ≤0.25ええと ≤0.20ええと ≥0.75ええと

標準のバイナリマスク

標準のバイナリマスクの寸法と基板材料

製品 寸法 基板材料
2X 6 "X 6" X0.250 " 石英
2.5X
4X
5X 5 "X5" X0.090 " 石英
6 "X6" X0.250 " 石英

 

標準のバイナリマスクのための共通仕様

CDサイズ CD平均ツー公称 CD均一性 登録 欠陥サイズ
2.0 umの ≤0.10ええと ≤0.15ええと ≤0.10ええと ≥0.50ええと
3.0 umの ≤0.15ええと ≤0.15ええと ≤0.15ええと ≥0.75ええと
4.0 umの ≤0.20ええと ≤0.20ええと ≤0.20ええと ≥1.00ええと

ミディアムエリアマスク

ミディアムエリアマスク寸法と材料

製品 寸法 基板材料
1X 9 "X9" 0.120 " クォーツソーダライム(Chromeと酸化鉄の両方の吸収利用可能)
9 "X9" 0.190 " 石英

ミディアムエリアマスク(クォーツ素材)のための共通仕様

CDサイズ CD平均ツー公称 CD均一性 登録 欠陥サイズ
0.50 umの ≤0.20ええと ---- ≤0.15ええと ≥1.50ええと

ミディアムエリアマスクのための共通仕様(ソーダライム素材)

CDサイズ CD平均ツー公称 CD均一性 登録 欠陥サイズ
10ええと ≤4.0ええと ---- ≤4.0ええと ≥10ええと
4ええと ≤2.0ええと ---- ≤1.0ええと ≥5ええと
2.5 umの ≤0.5ええと ---- ≤0.75ええと ≥3UM

 

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