GaN系ウェハ

窒化ガリウム:N型低マルコ欠陥密度とLED、LDまたは他のアプリケーションのための転位密度を有するHEMTのためのp型及び半絶縁性窒化ガリウム基板及びテンプレート又はGaNエピタキシャルウェハ。

  • Freestanding GaN substrate

    自立GaN基板

    PAM-アモイUHB-LEDおよびLDのためのものである(窒化ガリウム)GaN基板ウエハを、自立するための製造技術を確立しました。 ハイドライド気相エピタキシー(HVPE)技術によって成長させ、我々のGaN基板は、低欠陥密度を有します。

  • GaN Templates

    GaN系テンプレート

    PAM-厦門のテンプレート製品(窒化ガリウム)GaNテンプレート、(窒化アルミニウム)の結晶層からなるAlNテンプレート、(窒化アルミニウムガリウム)のAlGaNテンプレートとサファイア上に堆積される(窒化インジウムガリウム)のInGaNテンプレート
  • GaN based LED Epitaxial Wafer

    GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

    PAM-XIAMEN者のGaN(窒化ガリウム)は、LED用のエピタキシャルウエハは、超高輝度青色及び緑色の発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)アプリケーションのためのものであるベース。

  • GaN HEMT Epitaxial Wafer

    GaN系HEMTエピタキシャルウェハ

    窒化ガリウム(GaN)系のHEMT(高電子移動度トランジスタ)GaN技術、PAM-厦門へのRFパワー・トランジスタtechnology.Thanksの次の世代は今、サファイアテンプレートにサファイアやシリコン上のAlGaN / GaN HEMTエピウェハを提供し、のAlGaN / GaNいます。