GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

PAM-XIAMEN者のGaN(窒化ガリウム)は、LED用のエピタキシャルウエハは、超高輝度青色及び緑色の発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)アプリケーションのためのものであるベース。

  • 説明

製品の説明

InGaN /GaN系(窒化ガリウム)ベースのLEDエピタキシャルウェーハ

LEDウェーハメーカーとして、マイクロLED、超薄型ウェーハ、UV LED研究、LEDメーカーなどのLEDおよびレーザーダイオード(LD)アプリケーション向けのGaN EpiLEDウェーハを提供しています。これはMOCVDとPSSまたはLCDバック用フラットサファイアによるものです。異なるチップサイズ用のInGaN / GaN活性領域およびGaNウェル/ AlGaNバリアを備えたAlGaN層を含む、青色または緑色または赤色発光の光、モバイル、電子またはUV(紫外線)。

Al2O3-2” 上のGaNエピウェハ仕様(LED用のエピタキシャルウエハ)

白:445〜460 nm
青:465〜475 nm
緑:510〜530 nm

 

1.成長技術 - MOCVD
2.Wafer直径:50.8ミリメートル
3.ウェーハ基板材料:パターン化サファイア基板(Al2O3)またはフラットサファイア
4.Waferパターンサイズ:3X2X1.5μm

5.Wafer構造:

構造層 厚み(μm)
p型GaN 0.2
p型AlGaN 0.03
InGaN / GaNの(アクティブ領域) 0.2
n型GaN 2.5
GaN系U- 3.5
Al 2 O 3(基板) 430

 

チップを作るために6.Waferパラメータ:

アイテム チップサイズ 特性 外観  
PAM1023A01 ブルー 10ミルのx 23mil     照明
VF = 2.8〜3.4V LCDバックライト
ポー= 18〜25MW モバイル機器
WD = 450〜460nmで 民生電子
PAM454501 ブルー 45milのx 45mil VF = 2.8〜3.4V   一般照明
ポー= 250〜300mWの LCDバックライト
WD = 450〜460nmで 屋外ディスプレイ

 

7.LEDエピタイクサルウェーハの用途:*青色LEDチップの詳細については、営業部門にお問い合わせください

点灯
LCDバックライト
モバイル機器
民生電子

8.例としてのLEDウェーハの仕様:

仕様PAM190730-LED
–サイズ:4インチ
– WD:455±10nm
–明るさ:> 90mcd
– VF:<3.3V
– n-GaNの厚さ:<4.1㎛
– u-GaNの厚さ:<2.2㎛
–基板:パターン化されたサファイア基板(PSS)

9.GaAs(ガリウムヒ素)ベースのLEDウェーハ:

GaAsのLEDウェハについて、それらはMOCVDによって成長されたGaAs LEDウェハの波長以下を参照してください。
赤:585nm、615nm、620〜630nmの
黄:587〜592nm
黄/緑:568〜573nm

10. LEDウェーハの定義:

私たちが提供するのは、裸のLEDエピウェーハまたはリソグラフィプロセス、n-および金属接点などのない未処理ウェーハです。また、ナノオプトエレクトロニクス研究などのさまざまなアプリケーション用の製造装置を使用してLEDチップを製造できます。

 

ウェーハの仕様をLEDこれらの詳細のGaAsの場合は、以下を参照してください。LED用のGaAsエピウエハ

UV LEDウエハの仕様については、以下をご覧ください。UV LEDエピウエハ  

シリコン仕様のLEDウエハについて、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー

ブルーGaN系LDウエハーの仕様については、以下をご覧ください。 ブルーGaN系LDウエハー

サファイア上のGaN LEDエピ

850nmおよび940nm赤外線LEDウェーハ

赤色赤外線AlGaAs / GaAs LEDエピウェーハ

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