GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

PAM-XIAMEN者のGaN(窒化ガリウム)は、LED用のエピタキシャルウエハは、超高輝度青色及び緑色の発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)アプリケーションのためのものであるベース。

  • 説明

製品の説明

GaN系(窒化ガリウム) ベースLEDエピタキシャルウェハ

LEDウェハメーカーとして、我々は、LEDマイクロまたは超薄ウェハ又はUVのようなLEDやレーザダイオード(LD)アプリケーション用のLEDウェハを提供する研究をLEDまたはmanufacturers.itのLED、LCDバックライト用PSS又は平坦サファイアとMOCVDによるものですInGaN / GaN活性領域を含む青色または緑色もしくは赤色発光を有する電子又はUV(紫外線)モバイル、、、及びGaNとAlGaN層異なるチップサイズのウェル/ AlGaN障壁。

Al2O3-2” 上のGaNエピウェハ仕様(LED用のエピタキシャルウエハ)

 445460 nmの

ブルー465475 nmの                                               

グリーン 510530 nmの                                         

1.成長技術 - MOCVD
2.Wafer直径:50.8ミリメートル
3.Wafer基板材料:パターン化サファイア基板(Al 2 O 3の)
4.Waferパターンサイズ:3X2X1.5μm
5.Wafer構造:

構造層

厚み(μm)

p型GaN

0.2

p型AlGaN

0.03

InGaN / GaNの(アクティブ領域)

0.2

n型GaN

2.5

GaN系U-

3.5

Al 2 O 3(基板)

430

チップを作るために6.Waferパラメータ:

アイテム

チップサイズ

特性

外観

 

PAM1023A01

ブルー

10ミルのx 23mil

 

 

照明

VF = 2.8〜3.4V

LCDバックライト

ポー= 18〜25MW

モバイル機器

WD = 450〜460nmで

民生電子

PAM454501

ブルー

45milのx 45mil

VF = 2.8〜3.4V

 

一般照明

ポー= 250〜300mWの

LCDバックライト

WD = 450〜460nmで

屋外ディスプレイ

*あなたはブルーLEDチップの詳細情報を知る必要がある場合は、当社営業部門と連絡してください

LED epitaixalウェハの7.Application。
点灯
LCDバックライト
モバイル機器
民生電子

PAM-厦門のGaN系エピタキシャルウエハ(EPIウエハ)は(LED)、超高輝度青色及び緑色発光ダイオードのためのものです

LEDウエハベースのGaAs(ガリウム砒素):

GaAsのLEDウェハについて、それらはMOCVDによって成長されたGaAs LEDウェハの波長以下を参照してください。

赤:585nm、615nm、620〜630nmの
黄:587〜592nm
イエロー/グリーン:568〜573nm
ウェーハの仕様をLEDこれらの詳細のGaAsの場合は、以下を参照してください。LED用のGaAsエピウエハ

UV LEDウエハの仕様については、以下をご覧ください。UV LEDエピウエハ  

シリコン仕様のLEDウエハについて、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー

ブルーGaN系LDウエハーの仕様については、以下をご覧ください。 ブルーGaN系LDウエハー

* 2インチのGaN(0001)基板またはサファイア基板上にレーザ構造が利用可能です。

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