GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

GaN系LED用のエピタキシャルウエハ

PAM-XIAMEN者のGaN(窒化ガリウム)は、LED用のエピタキシャルウエハは、超高輝度青色及び緑色の発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)アプリケーションのためのものであるベース。

  • 説明

製品の説明

InGaN/GaN系(gallium nitride) based LED Epitaxial Wafer

As LED wafer manufacturer,we offer GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers.it is by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile,electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission,including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.

Al2O3-2” 上のGaNエピウェハ仕様(LED用のエピタキシャルウエハ)

White: 445~460 nm
Blue:  465~475 nm
Green: 510~530 nm

 

1.成長技術 - MOCVD
2.Wafer直径:50.8ミリメートル
3.Wafer substrate material: Patterned Sapphire Substrate(Al2O3) or Flat Sapphire
4.Waferパターンサイズ:3X2X1.5μm

5.Wafer構造:

構造層 Thickness(μm)
p型GaN 0.2
p型AlGaN 0.03
InGaN / GaNの(アクティブ領域) 0.2
n型GaN 2.5
GaN系U- 3.5
Al 2 O 3(基板) 430

 

チップを作るために6.Waferパラメータ:

アイテム チップサイズ 特性 外観  
PAM1023A01 ブルー 10ミルのx 23mil     照明
VF = 2.8〜3.4V LCDバックライト
ポー= 18〜25MW モバイル機器
WD = 450〜460nmで 民生電子
PAM454501 ブルー 45milのx 45mil VF = 2.8〜3.4V   一般照明
ポー= 250〜300mWの LCDバックライト
WD = 450〜460nmで 屋外ディスプレイ

 

7.Application of LED epitaixal wafer:*If you need to know more detail information of Blue LED Chip, please contact with our sales departments

点灯
LCDバックライト
モバイル機器
民生電子

8.Specification of LED Wafer as an example:

Spec PAM190730-LED
– size : 4 inch
– WD : 455 ± 10nm
– brightness : > 90mcd
– VF : < 3.3V
– n-GaN Thickness : <4.1㎛
– u-GaN thickness : <2.2㎛
– substrate : patterned sapphire substrate (PSS)

9.GaAs(Gallium arsenide)based LED Wafer:

GaAsのLEDウェハについて、それらはMOCVDによって成長されたGaAs LEDウェハの波長以下を参照してください。
赤:585nm、615nm、620〜630nmの
Yellow:587 ~ 592nm
Yellow/Green: 568 ~ 573nm

10. Definition of LED wafer:

What we offer is bare LED epi wafer or not processed wafer without lithography processes, n- and metals contacts, etc. And you can fabricate the LED chip using your fabrication equipment for different application such as nano optoelectronics research.

 

ウェーハの仕様をLEDこれらの詳細のGaAsの場合は、以下を参照してください。LED用のGaAsエピウエハ

UV LEDウエハの仕様については、以下をご覧ください。UV LEDエピウエハ  

シリコン仕様のLEDウエハについて、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー

ブルーGaN系LDウエハーの仕様については、以下をご覧ください。 ブルーGaN系LDウエハー

GaN LED Epi on Sapphire

850nm and 940nm infrared LED wafer

赤色赤外線AlGaAs / GaAs LEDエピウェーハ

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