SiCウェハ

SiC基板とエピタキシャル成長:

SiC wafer is the third generation wide bandgap semiconductor material with excellent performance. It has the advantages of wide bandgap, high thermal conductivity, high breakdown electric field, high intrinsic temperature, radiation resistance, good chemical stability and high electron saturation drift rate. SiC wafer has also great application prospects in aerospace, rail transit, photovoltaic power generation, power transmission, new energy vehicles and other fields, and will bring revolutionary changes to power electronics technology.

SiC副(エピレディ)、異なる品質グレードにおけるN型及び半絶縁、ポリタイプ4H及び6H、マイクロパイプ密度(MPD):無料、<5 / cm 2で、<10 / cm 2で、<30 / cm 2で、<100 / cm 2で

SiCのエピタキシャル成長:ウエハは厚さの均一性ウエハに2%を、ウェハはドーピングの均一性をウェーハに:4%

  • SiC (Silicon Carbide) Wafers

    SiC基板

    PAM-厦門は、研究者や産業メーカーの異なる品質等級に半導体シリコンカーバイドウェハー、6H SiC及び4HのSiCを提供しています。 私たちは、SiC結晶成長技術とSiCウェハ処理技術を開発しました。

  • SiC Epitaxy

    SiCのエピタキシー

    我々は、カスタム薄膜(シリコンカーバイド)、炭化ケイ素デバイスの開発のため6H又は4H基板上のSiCエピタキシーを提供します。 SiCエピタキシャルウェハは、主にショットキーダイオード、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、接合型電界効果のために使用されます
  • SiC Wafer Reclaim

    SiCウェハ取り戻します

    PAM-厦門は、ウェハのサービスを再利用し、次のSiCを提供することができます。

  • SIC Application

    SICアプリケーション

    SiCの物理的および電子的特性のために、炭化ケイ素ベースのデバイスは、Si及びGaAsデバイスに比べて、短い波長の光電子、高温、耐放射線性、高出力/高周波電子機器によく適しています