SiCウェハ基板

SiCウェーハ基板

同社は、結晶成長、結晶処理、ウェーハ処理、研磨、洗浄、テストを統合した完全なSiC(シリコンカーバイド)ウェーハ基板生産ラインを持っています。 今日では、軸上または軸外で半絶縁性と導電性を備えた市販の4Hおよび6H SiCウェーハを供給しています。サイズは5x5mm2、10x10mm2、2”、3”、4”、6”で、欠陥抑制などの主要な技術を打ち破っています。 、種結晶処理と急速な成長、炭化ケイ素エピタキシー、デバイスなどに関連する基本的な研究開発の促進

 

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製品の説明

PAM-XIAMENは半導体を提供しますSiCウェーハ基板,6H SiCの4H SiC(炭化ケイ素)研究者や業界の製造業者向けにさまざまな品質グレードで。 私たちは開発しましたSiC結晶成長 技術とSiC結晶ウェハ加工技術、SiC基板メーカーへの生産ラインを確立し、GaNエピタキシーデバイス、パワーデバイス、高温デバイス、オプトエレクトロニクスデバイスに適用されています。 先進的でハイテクな材料研究と国家機関の分野の大手メーカーと中国の半導体研究所が投資した専門会社として、現在の基板の品質を継続的に改善し、大型基板を開発することに専念しています。

以下に詳細仕様を示します。

1.1 4H SIC,N-TYPE , 6″WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-150-N-PWAM-350                    S4H-150-N-PWAM-500
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H -
直径 (150±0.5)mm -
厚さ (350±25)μm(500±25)μm
キャリアタイプ n型 -
ドーパント 窒素 -
比抵抗(RT) (0.015 – 0.028)Ω・cm -
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2   B≤2cm-2  C≤15cm-2  D≤50cm-2
TTV <15μm -
<40μm -
ワープ <60μm -
面方位 - -
軸オフ <11-20>に向かって4°0.5°、±します -
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> -
プライマリフラット長 47.50 mm±2.00 mm -
二次フラット なし -
表面仕上げ ダブル顔を研磨します -
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス -
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 3ミリメートル -

 

1.2 4H SIC,HIGH PURITY SEMI-INSULATING(HPSI), 6″WAFER SPECIFICATION

4H SIC,V DOPED SEMI-INSULATING, 6″WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-150-SI-PWAM-500 -
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H -
直径 (150±0.5)mm -
厚さ (500±25)μm -
キャリアタイプ 半絶縁性 -
ドーパント Vドープまたは非ドープ -
比抵抗(RT) >1E7 Ω·cm -
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2   B≤5cm-2  C≤30cm-2  D≤50cm-2
TTV <15μm -
<40μm -
ワープ <60μm -
面方位 - -
軸上 <0001>±0.5° -
軸オフ なし -
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> -
プライマリフラット長 47.50 mm±2.00 mm -
二次フラット なし -
表面仕上げ ダブル顔を研磨します -
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス -
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤20mm、単一長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 3ミリメートル -

 

1.3 4H SIC,N-TYPE , 4″WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H -
直径 (100±0.5)mmの -
厚さ (350±25)μm(500±25)μm
キャリアタイプ n型 -
ドーパント 窒素 -
比抵抗(RT) (0.015 – 0.028)Ω・cm -
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2   B≤2cm-2  C≤15cm-2  D≤50cm-2
TTV <10μm -
<25μm -
ワープ <の45μm -
面方位 - -
軸上 <0001>±0.5° -
軸オフ <11-20>±0.5°に向かって4°または8° -
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> -
プライマリフラット長 ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル -
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°-
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°-
セカンダリフラット長 18.00±2.00ミリメートル -
表面仕上げ ダブル顔を研磨します -
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス -
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤10mm、単長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 2ミリメートル -

 

1.4 4H SIC,HIGH PURITY SEMI-INSULATING(HPSI), 4″WAFER SPECIFICATION

4H SIC、Vドープ半絶縁、4インチウェーハ仕様

基板特性 S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H -
直径 (100±0.5)mmの -
厚さ (350±25)μm(500±25)μm
キャリアタイプ 半絶縁性 -
ドーパント Vドープまたは非ドープ -
比抵抗(RT) >1E7 Ω·cm -
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2   B≤5cm-2  C≤30cm-2  D≤50cm-2
TTV <10μm -
<25μm -
ワープ <の45μm -
面方位 - -
軸上 <0001>±0.5° -
軸オフ なし -
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20> -
プライマリフラット長 ±2.00ミリメートル32.50ミリメートル -
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°-
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°-
セカンダリフラット長 18.00±2.00ミリメートル -
表面仕上げ ダブル顔を研磨します -
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス -
高強度リストによるクラック なし(AB) 累積長さ≤10mm、単長さ≤2mm(CD)
高輝度光による六角プレート 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≤0.1%(CD)
高輝度光によるポリタイプエリア なし(AB) 累積面積≦3%(CD)
ビジュアルカーボンインクルージョン 累積面積≤0.05%(AB) 累積面積≦3%(CD)
高輝度光による傷 なし(AB) 累積長さ≤1xウェーハ直径(CD)
エッジチップ なし(AB) 5枚入り、各1mm以下(CD)
高輝度光による汚染 なし -
使用可能な領域 ≥90% -
エッジ除外 2ミリメートル -

 

1.5 4H N-TYPE SIC, 3″(76.2mm)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-76-N-PWAM-430 S4H-76-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (76.2±0.38)mmで
厚さ (350±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.015 - 0.028Ω・cmで
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2   B≤2cm-2  C≤15cm-2  D≤50cm-2
TTV /ボウ/ワープ <25μmで
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル
0.875 "±0.125"
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 11.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.6 4H SEMI-INSULATING SIC, 3″(76.2mm)WAFER SPECIFICATION

(High Purity Semi-Insulating(HPSI) SiC substrate is available)

UBSTRATEプロパティ S4H-76-N-PWAM-430 S4H-76-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (76.2±0.38)mmで
厚さ (350±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ 半絶縁性
ドーパント Vドープまたは非ドープ
比抵抗(RT) >1E7 Ω·cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2   B≤5cm-2  C≤30cm-2  D≤50cm-2
TTV /ボウ/ワープ <25μmで
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 5.0°±<11-20>
プライマリフラット長 ±3.17ミリメートル22.22ミリメートル
0.875 "±0.125"
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 11.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
スクラッチ なし
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 2ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.7 4H N-TYPE SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S4H-51-N-PWAM-430 S4H-51-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SiC基板
ポリタイプ 4H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)μm(330±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.012から0.0028Ω・cmで
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2   B≤2cm-2  C≤15cm-2  D≤50cm-2
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ 0.5°±<11-20>に向かって4度または8°
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70)mmの
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.8 4H SEMI-INSULATING SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION

(High-Purity Semi-Insulating(HPSI) SiC substrate is available)

基板特性 S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / DリサーチグレードDダミーグレード4H SEMI基板
ポリタイプ 4H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)μm(330±25)μm(430±25)μm
比抵抗(RT) >1E7 Ω·cm
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤1cm-2   B≤5cm-2  C≤30cm-2  D≤50cm-2
面方位
軸上<0001>±0.5°
軸外3.5°から<11-20>±0.5°
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70ミリメートル
二次平面オリエンテーションSi面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.9 6H N-TYPE SIC, 2″(50.8mm)WAFER SPECIFICATION

基板特性 S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430
説明 A / B製造グレードC / D研究グレードDダミーグレード6H SiC基板
ポリタイプ 6H
直径 (50.8±0.38)mmで
厚さ (250±25)μm(330±25)μm(430±25)μm
キャリアタイプ n型
ドーパント 窒素
比抵抗(RT) 0.02〜0.1Ω・cmで
表面粗さ <0.5 nm(Si-face CMP Epi-ready); <1 nm(C-面光学研磨)
FWHM A <30アーク秒B / C / D <50アーク秒
マイクロパイプ密度 A≤0.5cm-2   B≤2cm-2  C≤15cm-2  D≤50cm-2
面方位
軸上 <0001>±0.5°
軸オフ <11-20>に向かって3.5°、0.5°、±します
プライマリオリエンテーションフラット 平行{1-100}±5°
プライマリフラット長 16.00±1.70ミリメートル
二次オリエンテーションフラット Si面:90°cw。 オリエンテーションフラットから±5°
C面:90°反時計回り。 オリエンテーションフラットから±5°
セカンダリフラット長 8.00±1.70ミリメートル
表面仕上げ シングルまたはダブルフェース研磨
パッケージング シングルウェーハボックスまたはマルチウェーハボックス
使用可能な領域 ≥90%
エッジ除外 1ミリメートル
拡散照明によるエッジチップ(最大) エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による亀裂 エンジニアチームにご相談ください
ビジュアルカーボンインクルージョンの累積面積 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による傷 エンジニアチームにご相談ください
高輝度光による汚染 エンジニアチームにご相談ください

 

1.10 SiC Seed Crystal Wafer:

アイテム サイズ タイプ 方向付け 厚さ MPD 研磨条件
1号 105ミリメートル 4H、Nタイプ C(0001)4度オフ 500 +/- 50um <= 1 / cm-2
2位 153mm 4H、Nタイプ C(0001)4度オフ 350+/-50um <= 1 / cm-2

 

4H Nタイプまたは半絶縁SIC、5mm * 5mm、10mm * 10mmウエハー仕様:厚さ:330μm/430μm

4H Nタイプまたは半絶縁SIC、15mm * 15mm、20mm * 20mmウエハー仕様:厚さ:330μm/430μm

a面SiCウェーハ、サイズ:40mm * 10mm、30mm * 10mm、20mm * 10mm、10mm * 10mm、以下の仕様:

6H / 4H N型厚み:330μm/430μmまたはカスタム

6H / 4H半絶縁厚さ:330μm/430μmまたはカスタム

 

1.11 SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES

炭化ケイ素材料の特性    
ポリタイプ 単結晶4H 単結晶6H
格子パラメータ = 3.076Å = 3.073Å
  C = 10.053Å C = 15.117Å
スタッキングシーケンス ABCB ABCACB
バンドギャップ 3.26 eVの 3.03 eVの
密度 3.21・103 kg / m3 3.21・103 kg / m3
サーム。 膨張係数 4~5×10 -6 / K 4~5×10 -6 / K
屈折率 なし= 2.719 なし= 2.707
  NE = 2.777 NE = 2.755
誘電率 9.6 9.66
熱伝導率 490 W / mKで 490 W / mKで
ブレークダウン電界 2〜4・108 V / m 2〜4・108 V / m
飽和ドリフト速度 2.0・105 m / s 2.0・105 m / s
電子移動度 800cm2 / V・S 400cm2 / V・S
正孔移動度 115cm2 / V・S 90cm2 / V・S
モース硬度 ~9 ~9

 

2.Q&A of SiC Wafer

2.1 What is the barrier of SiC wafer becoming a wide application same as silicon wafer?

1. SiCの物理的および化学的安定性のため、SiCの結晶成長は非常に困難であり、SiC半導体デバイスとその電子アプリケーションの開発を深刻に妨げています。

2.スタッキングシーケンスが異なる(多形とも呼ばれる)SiC構造には多くの種類があるため、電子グレードのSiC結晶の成長が妨げられます。 3C SiC、4H SiC、6hSiCなどのSiCの多形。

 

2.2 What kind of SiC wafer do you offer?

必要なものは立方相に属し、立方(c)、六角形(H)、菱形(R)があります。 私たちが持っているのは4Hや6hのように六角形で、Cは3C炭化ケイ素のように立方体です。

 

3.Please see below sub-catalogue:

4H N型SiC
4Hは、SiC半絶縁します
SiCのインゴット
ラッピングされたウェーハ
ウェーハ研磨

100ミリメートルシリコンカーバイド

6H SiCウェハ

PAM-厦門は、高純度半絶縁性SiC基板をゲットできます!

4Hは、SiC半絶縁します

SiC(シリコンカーバイド)ブールクリスタル

シックチップ

グラフェン成長用HPSI SiCウェーハ

なぜ高純度の半絶縁性SiCウェーハが必要なのですか?

SiCウェーハのフォノン特性

成長ファセット

SiCウェーハの色が異なるのはなぜですか?

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