CZ単結晶シリコン

CZ-シリコン

高濃度/低濃度ドープされたCZ単結晶シリコンは、様々な集積回路(IC)、ダイオード、三極管、グリーンエネルギー太陽電池パネルを製造するのに適しています。 (例えばGaの、Geなど)特別な要素は、特別な部品のための高効率、放射線耐性および抗縮退太陽電池材料を製造するために添加することができます。

  • 説明

製品の説明

CZ単結晶シリコン

CZ-シリコン

重く/低濃度CZ単結晶シリコン様々な集積回路(IC)、ダイオード、三極管、グリーンエネルギー太陽電池パネルを製造するのに適しています。 (例えばGaの、Geなど)特別な要素は、特別な部品のための高効率、放射線耐性および抗縮退太陽電池材料を製造するために添加することができます。

MCZ

磁界を生成するためにチョクラルスキー法で使用されCZ単結晶シリコン低酸素含有量と高抵抗率の均一性の特性を有します。 インクルードMCZシリコン各種IC、ディスクリートデバイス及び低酸素太陽電池用シリコン材料を製造するのに適しています。

CZ高濃度にドープされた結晶

特別なドーピング装置及びCZ工程、高濃度ドープ(P、Sbを、として)を採用CZ単結晶シリコン非常に低い抵抗を製造することができるとともに、主にエピタキシャルウエハのライニング材として使用され、LSIスイッチ電源、ショットキーダイオードと電界制御高周波電力電子デバイスのための特別な電子デバイスを製造するために使用されます。

<110>特別オリエンテーションCZ-シリコン

ザ・<110>単結晶シリコン元の方位<110>を有する、方向調整のための更なる処理は不要です。 インクルード<110>単結晶シリコン完全な結晶構造、および低酸素・炭素コンテンツの特性を有する、新しい太陽電池材料であり、新世代の細胞材料を用いることができます。

一目で私たちの利点

1.Advancedエピタキシャル成長装置および試験装置。

低欠陥密度と良好な表面粗さを持つ最高品質2.Offer。

当社の顧客のための研究チームのサポートと技術サポートを3.Strong

CZ単結晶シリコン仕様

タイプ 伝導型 方向付け 直径(mm) 導電率(Ω。•CM)
CZ N&P <100>、<110>および<111> 76.2-200 1-300
MCZ N&P <100>、<110>および<111> 76.2-200 1-300
ヘビードーピング N&P <100>、<110>および<111> 76.2-200 0.001-1

 

ウェーハ仕様

直径(mm) 厚さ(UM)
ウエハ 76.2-200 ≥160

 

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-1

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness = 200 ± 25 µm-2

4「CZプライムシリコンウエハの厚さ= 200±25μmの3

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm

4「CZプライムシリコンウェハ厚さ525±25μmで

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-2

4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-3

4″CZ Prime Silicon Wafer Thickness 525 ± 25 µm-4

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 1500±25μm

4″ CZ Prime Silicon Wafer Thickness 200um.

4″ CZ Prime Silicon Wafer

4″CZ Prime Silicon Wafer-2

4「CZプライムシリコンウェハ-3

4″ CZ Prime Silicon Wafer

4″CZ Prime Silicon Wafer-2

4「CZエピタキシャルシリコンウェーハプライム-3

6「CZプライムウエハー1

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