GaPのウェーハ

GaPのウェーハ

n型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)または(100)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)によって成長させるガリウムリン - PAM-厦門ギャップウェハを提供します。
  • 説明

製品の説明

PAM-厦門は、ギャップウェハを提供しています - リン化ガリウム これはn型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)または(100)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)によって成長させます。

ガリウムリン(GAP)、ガリウムリンは、2.26eV(300K)の間接的なバンドギャップを有する化合物半導体材料です。 多結晶材料は、淡いオレンジ片の外観を有します。 アンドープの単結晶ウェーハは、透明なオレンジ色を表示されますが、強くドープウェーハは、自由キャリア吸収による暗く見えます。 n型半導体を製造するためのドーパントとして使用され無臭water.Sulfurまたはテルルに不溶性です。 亜鉛はp型semiconductor.Galliumリンのドーパントとして使用される光学系において用途を有します。 その屈折率は、840nmで(IR)で550nmの(グリーン)で262ナノメートル(UV)で4.30、3.45と3.19の間です。

GaPのウェーハと基板の仕様
Conducionタイプ N型
ドーパント Sドープ
ウェーハの大口径 50.8 +/- 0.5ミリメートル
結晶方位 (111)±0.5°
オリエンテーションフラット 111
フラット長 17.5 +/- 2ミリメートル
キャリア濃度 (2-7)×10 ^ 7 / cm 3で
RTでの抵抗 0.05-0.4ohm.cm
モビリティ 100cm²/ V.sec
エッチピット密度 3 * 10 ^ 5 / cm2の
レーザーマーキング 要求に応じて
Suface Fnish P / E
厚さ 250 +/- 20umの
エピレディー はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

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