InAsのウェハ

PAM-アモイのInAsウェハを提供する - n型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)または(100)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)によって成長させインジウム砒素。

  • 説明

製品の説明

PAM-アモイのInAsウェハを提供しています - インジウム・ヒ素 これはn型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)または(100)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)によって成長させます。

ヒ化インジウム、InAsが、インジウムおよびヒ素からなる半導体です。 これは、942°Cの融点を有するグレー立方晶の外観を有している。[2]ヒ化インジウムが1から3.8ミクロンの波長範囲について、赤外線検出器の構築に使用されます。 検出器は通常、太陽光フォトダイオードです。 極低温冷却検出器は、より低いノイズを有するが、InAsの検出器は同様に、室温で高電力用途に使用することができます。 インジウム砒素はまた、ダイオードレーザーを作るために使用されます。

ヒ化インジウムガリウム砒素と同様のものであり、直接バンドギャップ材料です。 インジウム砒素は時々インジウムリンと一緒に使用されています。 それは、インジウムガリウム砒素を形成するガリウム砒素と合金 - で/ Gaの比に依存するバンドギャップを有する材料、窒化インジウムガリウムを得インジウムnitridewith窒化ガリウムの合金化に主に同様の方法。

ここでは詳細な仕様は次のとおりです。

2 "(50.8ミリメートル)のInAsウェーハ仕様

3 "(76.2ミリメートル)のInAsウェーハの仕様

4」(100ミリメートル)のInAsウェーハ仕様

2″ InAs Wafer Specification

アイテム 仕様書
ドーパント アンドープ Stannum Sulphur Zinc
伝導型 N-type N-type N-type P-type
Wafer Diameter 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 500±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
キャリア濃度 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
モビリティ 2×104cm2/V.s 7000-20000cm2/V.s 6000-20000cm2/V.s 100-400cm2/V.s
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <10um
BOW <10um
WARP <12um
Laser marking 要求に応じて
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

3″ InAs Wafer Specification

アイテム 仕様書
ドーパント アンドープ Stannum Sulphur Zinc
伝導型 N-type N-type N-type P-type
Wafer Diameter 3 "
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 22±2mm
Secondary Flat Length 11±1mm
キャリア濃度 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
モビリティ 2×104cm2/V.s 7000-20000cm2/V.s 6000-20000cm2/V.s 100-400cm2/V.s
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <12um
BOW <12um
WARP <15um
Laser marking 要求に応じて
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット


4″ InAs Wafer Specification

アイテム 仕様書
ドーパント アンドープ Stannum Sulphur Zinc
伝導型 N-type N-type N-type P-type
Wafer Diameter 4″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 900±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
キャリア濃度 5×1016cm-3 (5-20)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3 (1-10)x1017cm-3
モビリティ 2×104cm2/V.s 7000-20000cm2/V.s 6000-20000cm2/V.s 100-400cm2/V.s
EPD <5×104cm-2 <5×104cm-2 <3×104cm-2 <3×104cm-2
TTV <15um
BOW <15um
WARP <20um
Laser marking 要求に応じて
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

1)2” (50.8ミリメートル)のInAs
タイプ/ドーパント:N / S
オリエンテーション:[111B] 0.5°±
厚さ:500±25um
エピレディ
SSP

2)2” (50.8ミリメートル)のInAs
タイプ/ドーパント:N /ドープされていません
方位:(111)B
厚さ:500um±25um
SSP

3)2” (50.8ミリメートル)のInAs
タイプ/ドーパント:Nアンドープ
オリエンテーション:0.5°±<111> A
厚さ:500um±25um
エピレディ
RA <= 0.5nmで
キャリア濃度(CM-3):1E16〜3E16
移動度(cm -2程度):> 20000
EPD(cm -2程度)<15000
SSP

4)2” (50.8ミリメートル)のInAs
タイプ/ドーパント:N /ドープされていません
方位<100> [001]との
厚さ:2ミリメートル
カットAS

5)2” (50.8ミリメートル)のInAs
タイプ/ドーパント:N / P
オリエンテーション:(100)、
キャリア濃度(CM-3):( 5-10)E17、
厚さ:500ええと
SSP

すべてのウェーハは、高品質のエピタキシー準備仕上げで提供されています。 表面は、Surfscan(登録商標)ヘイズ及び粒子監視、分光エリプソメトリと斜入射干渉計を含む、社内、高度な光学計測技術によって特徴付けられます

ウェハのInAs、n型(1 0 0)における表面電子蓄積層の光学的性質にアニーリング温度の影響は、ラマン分光法によって研究されてきました。 それにより、非選別LOフォノンによる散乱のラマンピークはInAsの表面に電子蓄積層をアニールによって除去されていることを示す温度上昇と共に消失することを示します。 関与するメカニズムは、X線光電子分光法、X線回折および高分解能透過型電子顕微鏡により分析しました。 結果は、非晶質のIn 2 O 3及びAs 2 O 3相が焼鈍時のInAs表面に形成されていることを示しており、一方、酸化層とウエハとの間の界面における層のような薄い結晶は、表面電子の蓄積の厚さの減少につながるが生成されます吸着原子がアクセプタ型の表面状態を導入したよう以来の層。

相対製品:
InAsのウェハ
InSbのウェハ
InP基板
GaAs基板
GaSbのウェハ
GaPのウェーハ

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