InP基板

n型、p型、または異なる配向で半絶縁性を有するエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)又はVGF(垂直温度勾配凝固)により成長させるリン化インジウム(111 - PAM-アモイオファー化合物半導体のInPウエハ)または(100)。

  • 説明

製品の説明

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InP wafer – リン化インジウム これはn型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)または(100)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)又はVGF(垂直温度勾配凝固)により成長させます。

インジウムリン(InP)は、インジウム及びリンの二元半導体です。 400で【明確化が必要]これは、面心立方(「亜鉛鉱」)のGaAsと同じ結晶構造を有し、III-V semiconductors.Indiumリンの大部分は、白リンとヨウ化インジウムの反応から調製することができます。 C°。[5]また、高い温度および圧力で精製した要素の直接の組み合わせにより、又はトリアルキルインジウム化合物とリンの混合物の熱分解による。 InPは、高電力、高周波電子機器に使用されるので、より一般的な半導体シリコン及びガリウム砒素に対して優れた電子速度の[要出典]。

ここでは詳細な仕様は次のとおりです。
2 "(50.8ミリメートル)InP基板仕様
3 "(76.2ミリメートル)InP基板の仕様
4」(100ミリメートル)InP基板Specificatio
2″ InP Wafer Specification
アイテム 仕様書
ドーパント N-type N-type P-type SI-type
伝導型 アンドープ Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 350±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
キャリア濃度 3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
モビリティ (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
抵抗率 N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <10um
BOW <10um
WARP <12um
Laser marking 要求に応じて
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 


3″ InP Wafer Specification 

 

アイテム 仕様書
ドーパント N-type N-type P-type SI-type
伝導型 アンドープ Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 3 "
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
キャリア濃度 ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
モビリティ (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
抵抗率 N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <12um
BOW <12um
WARP <15um
Laser marking 要求に応じて
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

 

 4″ InP Wafer Specification 
アイテム 仕様書
ドーパント N-type N-type P-type SI-type
伝導型 アンドープ Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 4″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
キャリア濃度 ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N / A
モビリティ (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
抵抗率 N / A N / A N / A N / A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <15um
BOW <15um
WARP <15um
Laser marking 要求に応じて
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ シングルウエハ容器やカセット

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