InP基板

PAM-XIAMENは、ノンドープ、Nタイプ、または半絶縁を含むプライムグレードまたはテストグレードのVGF InP(リン化インジウム)ウェーハを提供します。 InPウェーハの移動度は、タイプによって異なります。ドープされていないもの> = 3000cm2 / Vs、Nタイプ> 1000または2000cm2V.s(異なるドーピング濃度によって異なります)、Pタイプ:60 +/- 10または80 +/- 10cm2 / Vs(異なるZnドーピング濃度に依存)、および半インシュレーション> 2000cm2 / Vs、リン化インジウムのEPDは通常500 / cm2未満です。

  • 説明

製品の説明

InP基板

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InP wafer – Indium Phosphide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) or VGF(Vertical Gradient Freeze) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).And the dopants can be Sulphur,Sn(Tin), Zinc or customs. the Laser Mark as specified on backside of InP wafer along with primary flat. The orientation with slight deflection angle is available, such as (100)0.075°towards[110]]±0.025°

インジウムリン(InP)は、インジウム及びリンの二元半導体です。 400で【明確化が必要]これは、面心立方(「亜鉛鉱」)のGaAsと同じ結晶構造を有し、III-V semiconductors.Indiumリンの大部分は、白リンとヨウ化インジウムの反応から調製することができます。 C°。[5]また、高い温度および圧力で精製した要素の直接の組み合わせにより、又はトリアルキルインジウム化合物とリンの混合物の熱分解による。 InPは、高電力、高周波電子機器に使用されるので、より一般的な半導体シリコン及びガリウム砒素に対して優れた電子速度の[要出典]。

ここでは詳細な仕様は次のとおりです。
2 "(50.8ミリメートル)InP基板仕様
3 "(76.2ミリメートル)InP基板の仕様
4」(100ミリメートル)InP基板Specificatio
 
2″ InP Wafer Specification
アイテム Specifications
ドーパント N型 N型 P型 SI-type
伝導型 Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration 3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N/A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N/A N/A N/A N/A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <10um
BOW <10um
WARP <12um
レーザーマーキング upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ Single wafer container or cassette
 

3″ InP Wafer Specification 

 

アイテム Specifications
ドーパント N型 N型 P型 SI-type
伝導型 Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N/A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N/A N/A N/A N/A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <12um
BOW <12um
WARP <15um
レーザーマーキング upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ Single wafer container or cassette

 

 4″ InP Wafer Specification 

 

アイテム Specifications
ドーパント N型 N型 P型 SI-type
伝導型 Undoped Sulphur Zinc lron
Wafer Diameter 4″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primary Flat Length 16±2mm
Secondary Flat Length 8±1mm
Carrier Concentration ≤3×1016cm-3 (0.8-6)x1018cm-3 (0.6-6)x1018cm-3 N/A
Mobility (3.5-4)x103cm2/V.s (1.5-3.5)x103cm2/V.s 50-70×103cm2/V.s >1000cm2/V.s
Resistivity N/A N/A N/A N/A
EPD <1000cm-2 <500cm-2 <1×103cm-2 <5×103cm-2
TTV <15um
BOW <15um
WARP <15um
レーザーマーキング upon request
Suface finish P/E, P/P
Epi ready はい
パッケージ Single wafer container or cassette

 

PL(Photoluminescence) Test of InP Wafer

We measure InP wafers by Peak Lambda, Peak int, and FWHM, the spectra mapping is as follows:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

The the typical values is see below data:

Peak Lambda(nm) Peak Int FWHM(nm)
1279.4 7.799 48.5
1279.8 5.236 44.6

 

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