InP基板

PAM-アモイInP基板を提供する - n型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)又はVGF(垂直温度勾配凝固)により成長させるリン化インジウム又は(100)。

  • 説明

製品の説明

PAM-厦門は、InPウエハを提供しています - リン化インジウム これはn型、p型、または異なる配向で半絶縁性(111)または(100)とエピ準備又は機械的グレードとしてLEC(液体封止チョクラルスキー)又はVGF(垂直温度勾配凝固)により成長させます。

インジウムリン(InP)は、インジウム及びリンの二元半導体です。 400で【明確化が必要]これは、面心立方(「亜鉛鉱」)のGaAsと同じ結晶構造を有し、III-V semiconductors.Indiumリンの大部分は、白リンとヨウ化インジウムの反応から調製することができます。 C°。[5]また、高い温度および圧力で精製した要素の直接の組み合わせにより、又はトリアルキルインジウム化合物とリンの混合物の熱分解による。 InPは、高電力、高周波電子機器に使用されるので、より一般的な半導体シリコン及びガリウム砒素に対して優れた電子速度の[要出典]。

ここでは詳細な仕様は次のとおりです。
2 "(50.8ミリメートル)InP基板仕様
3 "(76.2ミリメートル)InP基板の仕様
4」(100ミリメートル)InP基板Specificatio

InP wafer

InP wafer

 InP wafer

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