半絶縁性GaAs基板

半絶縁GaAs基板PAM190628-GAAS

PAM-XIAMENは、TTV <= 3UM、BOW <= 4um、およびWARP <5um、TIR(Total Indicated Runout)<= 3um、LFPD(Local Focal Plane Deviation)<= 1umなどの優れた平坦性を備えた4インチの半絶縁GaAs基板を提供します、LTV(ローカル厚さ変動)<= 1.5um。

半絶縁性GaAs基板の仕様

パラメーター 顧客の要件 保証値/実際の値 単位
GrowthMethod: VGF VGF
ConductType:。
ドーパント: アンドープ アンドープ  
直径: 100.0±0.2 100.0±0.2 ミリ
オリエンテーション: (100)±0.30オフワード(110) (100)±0.30オフワード(110)
OF場所/長さ: EJ | 0-1-1 |±0.50/32.5±1.0 EJ [0-1-1]±0.50/32.5±1.0
IF場所/長さ: EJ | 0-11 |±0.50/18.0±1.0 EJ [0-11 |±0.50/18.0±1.0
抵抗率: 最小:0.6E8 最小:0.8E8 最大:2.4E8 ohm.cm
可動性: 最小:4500 最小:4769 最大:6571 cm2 / vs
EPD: 最大:10000 最小:700 最大:700 / cm 2の
厚さ: 600±25 600±25 午後
弓: 最大:4 最大:4 ミクロン
ワープ: 最大:5 最大:5 ミクロン
TTV: 最大:3 最大:3 ミクロン
TIR:。 最大:3 最大:3 午後
LFPD: 最大:1 最大:1 午後
LTV: 最大:1.5 最大:1.5 ミクロン
PLTV: > 90 @ 15mm * 15mm > 90 @ 15mm * 15mm %
ParticalCount: <100 /ウェーハ(粒子> 0.28um);
ヘイズ<5ppm
<I00 /ウエハー(粒子の場合> 0.28um);
ヘイズ<5ppm
EdgeRounding: 0.375 0.375 mmR
レーザーマーキング: 裏側 裏側
表面仕上げ-
フロント:
ポリッシュ ポリッシュ
表面仕上げ
-バック:
ポリッシュ ポリッシュ

PL Mapping of Semi-insulating GaAs Substrate 

Semi-insulating GaAs Substrate

半絶縁性GaAs基板

Semi-insulating GaAs Substrate

半絶縁性GaAs基板

 

 

 

 

 

 

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

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