タグ - SiC上のGaN HEMT

GaN系ナノコラムエミッタおよび関連技術

GaN系ナノコラムエミッタ及び関連技術要約:のGaNナノコラム、一次元の柱状ナノ結晶は、低転位及び高い光取り出し効率特性を有します。 従って、ナノコラムは、実質的に緑色〜赤色発光領域での発光効率を向上させる大きな可能性を有しています。 定期的にどののInGaN / GaN系の複数のそれぞれにおいて、このGaNナノコラムを配置[...]

PAM-厦門は、サファイア基板上に成長させたAlGaN-GaN系HEMTのオファー

アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社、主要な超高純度結晶窒化ガリウム(GaN)のサプライヤーと窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)材料およびその他の関連製品とサービスは2 "/ 4” サイズのAlGaNの新発売を発表しました-GaN HEMTを2012年に量産にあるそして今、PAM-厦門サファイア基板上に成長[...]