PAM XIAMENは、（110）シリコン基板を提供しています。
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| ディアム （MM） |
材料 ドーパント |
オリエント。 | Thck （ミクロン） |
サーフ。 | 抵抗率 Ωcmで |
コメント |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 390±10 | C / C | >10 | Prime、2Flats、Empak cst |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 500 | P / E | FZ> 10,000 | Prime、2Flats、Empak cst、TTV <5μm |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 200 | P / P | FZ 1–2 | Prime、2Flats、Empak cst |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 200 | P / P | FZ 1–2 | SEMI Prime、2Flats、Empak cst |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 200 | P / P | FZ 1–2 | SEMI Prime、2Flats、Empak cst、カセット内のエクストラ8スクラッチウェーハ無料 |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 500 | P / P | FZ> 9,600 | SEMI Prime、2Flats —プライマリ@ <111>±0.5°—エッジが丸められていない、セカンダリ@ <111>。 プライマリから70.5°CCW、Empak cst、寿命>6,000μs |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 500 | P / P | FZ 5,000〜15,000 | SEMI Prime、2Flats —プライマリ@ <111>±0.5°、セカンダリ@ <111>。 プライマリから70.5°CCW、Empak cst、マイナーエッジチップを備えた3枚のウェーハ、寿命>6,000μs |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 500 | P / P | FZ 5,000〜15,000 | SEMI Prime、2Flats —プライマリ@ <111>±0.5°—エッジが丸められていない、セカンダリ@ <111>。 プライマリから70.5°CCW、Empakカセット寿命>6,000μs |
| 6 " | 固有のSi：– | [110] | 500 | P / P | FZ> 20,000 | SEMIテスト（両面に欠陥あり）、2Flats @ [111] —プライマリからのセカンダリ70.5°CCW、Empak cst |
| 6 " | 固有のSi：– | [110] 0.5℃、± | 500 | P / E | FZ> 15,000 | Prime、2Flats、Empak cst |
| 6 " | 固有のSi：– | [110] 0.5℃、± | 500 | P / E | FZ> 15,000 | テスト、小さな表面欠陥、2フラット、Empak cst |
| 6 " | p型Si：B | [110]±0.25° | 525 | P / E | 5〜10 | SEMI Prime、プライマリフラット@ [111]±0.25°、Sフラット@ [111]±5°PFから109.5°CW、Empak cst |
| 6 " | p型Si：B | [110]±0.25° | 525 | P / E | 5〜10 | SEMI Prime、2Flats、Empak cst |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 750 | P / E | 1〜100 | SEMI Prime（裏面研磨済み、ただしPrimeなし）、2Flats、Empak cst、TTV <5μm、Bow / Warp <10μm |
| 6 " | p型Si：B | [110] 0.5℃、± | 380 | P / P | 1〜30 | SEMI Prime、Primary Flat @ [111]±0.25°、SFlat @ [111]±5°（PFlatから109.5°CW）、Empak cst |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 525 | P / P | 20〜80 | SEMI Prime、2Flats @ [111] —プライマリから70.5°CWのセカンダリ、Empak cst |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 500 | P / P | 3〜10 | SEMI Prime、TTV <10μm、Bow / Warp <30μm、Primary Flat @ [111]±0.2°、Secondary @ [111]プライマリから70.5°CW、7枚のウェーハのEmpakカセット |
| 6 " | n型Si：P | [110]±0.2° | 525 | P / E | 3〜10 | SEMI Prime、プライマリフラット@ <111>±0.2°、SF @ <111> PFから70.5°CW、TTV <4μmボウ<15μm、ワープ<30μm、Empak cst |
| 6 " | n型Si：P | [110]±0.3° | 525 | P / P | 3〜10 | SEMI Prime, TTV<10μm, Bow/ Warp<30μm, Primary Flat @ [111]±0.2°, Secondary @ [111] 70.5° CW from Primary, in Empak cassettes of 6 & 7 wafers |
| 6 " | n型Si：P | [110]±0.3° | 525 | P / P | 3〜10 | SEMI Prime, TTV<10μm, Bow/ Warp<30μm, Primary Flat @ [111]±0.2°, Secondary @ [111] 70.5° CW from Primary |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 525 | P / E | 3–9 | SEMI Prime、プライマリフラット@ <111>±1°、Sフラット@ <111> PFから70.5°CW、TTV <10μmボウ/ワープ<30μm、Empak cst |
| 6 " | n型Si：P | [110] 0.5℃、± | 525 | P / E | 3–9 | SEMI Prime、2Flats、Empak cst、TTV <5μm |
| 6 " | n型Si：P | [110]±0.3° | 525 | P / P | 3〜10 | SEMI Prime, TTV<10μm, Bow/ Warp<30μm, Primary Flat @ [111]±0.2°, Secondary @ [111] 70.5° CW from Primary |
| 6 " | n型Si：Sb | [110] 0.5℃、± | 525 | P / P | 0.01–0.02 {0.0176–0.0180} | Prime、2Flats @ [111] —プライマリから70.5°CW、Empak cst |
| 6 " | n–type Si:As | [110] 0.5℃、± | 275 | P / P | 0.001〜0.005 | セミテスト（ヘイズとスクラッチ、TTV <15μm）、[111]±0.5°で一次フラット、 |
| 一次から70.5°±5°CWで二次、Empak cst |
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com,
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1990年に設立されたXiamenPowerway Advanced Material Co.、Ltd（PAM-XIAMEN）は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-XIAMENは、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMENの技術は、半導体ウェーハの高性能と低コストの製造を可能にします。
化合物半導体材料分野および輸出ビジネスで25年以上の経験を持つ私たちのチームは、お客様の要件を理解し、専門的にプロジェクトに対処できることを保証できます。