PAM XIAMENは、150mmSiウェーハを提供しています。 にメールを送ってください sales@powerwaywafer.com 他の仕様と数量が必要な場合。
アイテム | 直径 | タイプ | ドーパント | オリエン | RES (オームセンチメートル) |
厚い (ええと) |
ポーランド語 | グレード | 説明 |
PAM2716 | 150ミリメートル | N / A | 650um | SSP | メカ | スピンコーティングに最適な低コストのSiウェーハ。 | |||
PAM2717 | 150ミリメートル | P | B | <100> | 0-10 | 620 um | SSP | テスト | ウェーハ加工研究に最適なテストグレードシリコン。 |
PAM2718 | 150ミリメートル | N | <100> | 0-100 | 625um | SSP | テスト | 直径6インチ(150mm)、シリコンウェーハ、Nタイプ。 | |
PAM2719 | 150ミリメートル | P | B | <100> | 0.006-0.012 | 525um | SSP | テスト | 酸化物バックシール付き |
PAM2720 | 150ミリメートル | P | B | <100> | 1-100 | 500um | SSP | テスト | プライマリフラットが<110>である2つのSEMI-STDフラット |
PAM2721 | 150ミリメートル | P | B | <111> | 0-0.003 | 525um | SSP | テスト | 証明書はありません。ウェーハは「現状有姿」で販売されています。 |
アイテム | 材料 | オリエント。 | ディアム (MM) |
Thck (ミクロン) |
サーフ。 | 抵抗率 (Ωcm) |
コメント |
PAM2722 | アンドープ | [100] | 6 " | 650um | SSP | FZ> 10,000オーム-cm | |
PAM2723 | N / P | [100] | 6 " | 675um | SSP | FZ 2,000-10,000ohm-cm | プライムグレード、フロートゾーン(FZ) |
PAM2724 | p型Si:B | [100] | 6 " | 625um | P / E | 0〜100オーム-cm | フラットでテストグレード |
PAM2725 | タイプ-任意 | どれか | 6 " | 625um | P / E | 抵抗率-任意 | フラットのメカグレード |
PAM2726 | P / B | [100] | 6 " | 675um | P / E | 0.01-0.02オーム-cm | EPIレイヤー付き、ハードウェットブラスト/ LTO LM |
PAM2727 | P / B | [100] | 6 " | 725um | P / E | 14-22オーム-cm | sd-ソフトレーザーマーク |
PAM2728 | P / B | [100] | 6 " | 635-715um | P / E | 10-30オーム-cm | 1セミスタンダード平らな |
PAM2729 | P / B | [100] | 6 " | 650-700um | P / E | 10-30オーム-cm | 2つのセミスタンダードフラット |
PAM2730 | P / B | [100] | 6 " | 610-640um | P / E | 0.008-0.02オーム-cm | EPI層、ポリバッグおよびラベル付きシリコンウェーハ |
PAM2731 | P / B | [100] | 6 " | 650-690um | P / E | 100-200オーム-cm | |
PAM2732 | N / P | [100] | 6 " | 625um | P / E | 56-72.5オーム-cm | ポリシリコン |
PAM2733 | P / B | [100] | 6 " | 675um | P / E | 15〜25オーム-cm | ポリシリコンLM |
PAM2734 | N / Phos | [100] | 6 " | 320um | P / E | 2000-8000オーム-cm | プライムグレード、フロートゾーン(FZ) |
PAM2735 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / P | FZ 10,000〜20,000 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2736 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / P | FZ 5,000〜20,000 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2737 | p型Si:B | [100] | 6 " | 350 | P / P | FZ 2,700–3,250 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2738 | p型Si:B | [100] | 6 " | 900 | C / C | FZ> 50 | SEMI Prime、1Flat、MCCライフタイム>6,000μs、Empak cst |
PAM2739 | n型Si:P | [100] | 6 " | 825 | C / C | FZ 7,000–8,000 {7,025–7,856} | SEMI、1Flat、Lifetime =7,562μs、Open Empak cst |
PAM2740 | n型Si:P | [[111]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 675 | P / P | FZ> 3,500 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2741 | n型Si:P | [[111]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 790±10 | C / C | FZ> 3,500 | SEMI、1Flat、Empak cst |
PAM2742 | n型Si:P | [[111]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 675 | P / P | FZ> 1,000 | SEMI Prime、ノッチオン<010> {not on <011>}、レーザーマーク、Empak cst |
PAM2743 | n型Si:P | [[111]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 675 | 壊れた | FZ> 1,000 | SEMIノッチテスト、Empak cst、多数の大きな断片に分割されました。 ワンピース〜ウェーハの50%他のピース〜ウェーハの20% |
PAM2744 | n型Si:P | [100] | 6 " | 725 | P / P | FZ 50–70 {57–62} | SEMI Prime、1フラット(57.5mm)、寿命=15,799μs、Empak cst |
PAM2745 | n型Si:P | [100] | 6 " | 725 | P / P | FZ 50–70 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2746 | n型Si:P | [[11–1]に向かって112–5.0°]±0.5° | 6 " | 875±10 | E / E | FZ> 3,000 | SEMI、1フラット(47.5mm)、TTV <4μm、表面チップ |
PAM2747 | n型Si:P | [[11–1]に向かって112–5°]±0.5° | 6 " | 1,000±10 | C / C | FZ> 3,000 | SEMI、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst、TTV <4μm、寿命>1,000μs |
PAM2748 | 固有のSi:– | [100] | 6 " | 575 | P / P | FZ> 10,000 | SEMI Prime、1フラット(57.5mm)、MCC寿命> 1,200µs、Empak cst |
PAM2749 | 固有のSi:– | [100] | 6 " | 675 | P / P | FZ> 10,000 | SEMIノッチプライム、Empak cst |
PAM2750 | 固有のSi:– | [111] 0.5℃、± | 6 " | 750 | E / E | FZ> 10,000 | SEMIノッチ、テスト(欠陥、研磨できない)、Empak cst |
PAM2751 | p型Si:B | [110] 0.5℃、± | 6 " | 390±10 | C / C | >10 | Prime、2Flats、Empak cst |
PAM2752 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / E | 50〜150 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2753 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / E | 5〜10 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2754 | p型Si:B | [100] | 6 " | 400 | P / P | 1〜30 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、TTV <5μm |
PAM2755 | p型Si:B | [100] | 6 " | 415±15 | P / P | 1〜30 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2756 | p型Si:B | [[001]に向かって100–9.7°]±0.1° | 6 " | 525 | P / P | 1〜100 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2757 | p型Si:B | [100]±1° | 6 " | 575 | P / P | 1〜20 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、TTV <2μm |
PAM2758 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / P | 1〜100 | SEMIテスト、両面が汚れていて傷が付いている、1Flat、Empak cst |
PAM2759 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / E | 1–10 {4.5–6.5} | SEMIノッチプライム、Empak cst、TTV <7μm |
PAM2760 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / E | 1〜100 | SEMI Prime、1Flat、Empak cst |
PAM2761 | p型Si:B | [100] | 6 " | 750±10 | E / E | 1〜5 | SEMI、1Flat、Soft cst |
PAM2762 | p型Si:B | [100] | 6 " | 2000 | P / P | 1〜35 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2763 | p型Si:B | [100] | 6 " | 400±15 | P / P | 0.5〜1.0 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2764 | p型Si:B | [100] | 6 " | 365±10 | E / E | 0.01〜0.02 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、TTV <2μm、Empak cst |
PAM2765 | p型Si:B | [[111]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 675 | P / P | 0.01〜0.02 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、両面に傷あり |
PAM2766 | p型Si:B | [[111]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 675 | P / E | 0.01〜0.02 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、両面研磨済み、前面のみがPrime |
PAM2767 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / E | 0.01〜0.02 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2768 | p型Si:B | [100] | 6 " | 320 | P / E | 0.001〜0.030 | JEIDA Prime、Empak cst |
PAM2769 | p型Si:B | [100] | 6 " | 320 | P / E | 0.001〜0.030 | JEIDA Prime、Empak cst |
PAM2770 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / P | 0.001〜0.005 | SEMI、1フラット(57.5mm)、Empak cst |
PAM2771 | p型Si:B | [111–4.0°]±0.5° | 6 " | 625 | P / E | 4–15 {7.1–8.8} | SEMI Prime、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst |
PAM2772 | n型Si:P | [100] | 6 " | 725 | P / P | 5〜35 | SEMI Prime、1 JEIDA Flat(47.5mm)、TTV <2μm、TIR <1μm、Bow <10μm、Warp <20μm、レーザーマーク付き、Empak cst |
PAM2773 | n型Si:P | [100] | 6 " | 925±15 | E / E | 5〜35 | JEIDA Prime、Empak cst、TTV <5μm |
PAM2774 | n型Si:P | [100] | 6 " | 675 | P / E | 2.7〜4.0 | SEMI Prime、24枚のウェーハのEmpakカセット |
PAM2775 | n型Si:P | [100] | 6 " | 675 | P / E | 2.7〜4.0 | SEMI Prime、6枚および7枚のウェーハのEmpakカセット |
PAM2776 | n型Si:P | [100] | 6 " | 250±5 | P / P | 1–3 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、TTV <2μm、Empak cst |
PAM2777 | n型Si:P | [[110]に向かって100–4°]±0.5° | 6 " | 675 | P / E | 1〜25 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2778 | n型Si:P | [100]±1° | 6 " | 800 | P / E | 1〜10 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2779 | n型Si:P | [[110]に向かって100–25°]±1° | 6 " | 800 | C / C | 1〜100 | SEMIノッチプライム、Empak cst |
PAM2780 | n型Si:P | [100] | 6 " | 1,910±10 | P / P | 1〜100 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、個別cst、TTV <2μm |
PAM2781 | n型Si:P | [100] | 6 " | 1,910±10 | P / P | 1〜100 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、個別cst、TTV <5μm |
PAM2782 | n型Si:P | [100] | 6 " | 3000 | P / P | 1〜100 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2783 | n型Si:P | [100] | 6 " | 5000 | P / P | 1〜25 | プライム、フラットなし、個別のcst |
PAM2784 | n型Si:Sb | [[110]に向かって100–6°]±0.5° | 6 " | 675 | P / P | 0.01〜0.02 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2785 | n型Si:Sb | [100] | 6 " | 675 | P / E | 0.008〜0.020 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst |
PAM2786 | n型Si:As | [100] | 6 " | 1000 | L / L | 0.0033〜0.0037 | SEMI、1Flat(57.5mm)、個々のウェーハカセット |
PAM2787 | n型Si:As | [100] | 6 " | 1000 | L / L | 0.0033〜0.0037 | SEMI、1Flat(57.5mm)、個々のウェーハカセット |
PAM2788 | n型Si:As | [100] | 6 " | 675 | P / EOx | 0.001〜0.005 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、裏面LTO 0.6um、TTV <3μm、Bow / Warp <15μm |
PAM2789 | n型Si:P | [100] | 6 " | 675 | P / EOx | 0.001〜0.002 | SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、剥離可能なEpi層付きSi:P(0.32–0.46)Ohmcm、厚さ3.20±0.16μm、Empak cst |
PAM2790 | n型Si:P | [111] 0.5℃、± | 6 " | 675 | P / E | 1〜100 | SEMI Prime、フラットなし、Empak cst |
PAM2791 | n型Si:As | [100] | 6 " | 675 | OxP / EOx | 0.001〜0.005 | セミテスト(スポットおよび軽微な視覚的欠陥)、1フラット(57.5mm)、熱酸化0.1μm±5%厚、Empak cst |
PAM2792 | p型Si:B | [100] | 6 " | 735 | P / P | FZ> 50 | Prime、1Flat、Empak cst、TTV <2μm |
PAM2793 | n型Si:P | [[11–1]に向かって112–5°]±0.5° | 6 " | 800±10 | P / P | FZ> 3,000 | SEMI、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst、TTV <4μm、寿命>1,000μs |
PAM2794 | n型Si:P | [[11–1]に向かって112–5°]±0.5° | 6 " | 950±10 | P / P | FZ> 3,000 | SEMI、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst、TTV <4μm、寿命>1,000μs |
PAM2795 | 固有のSi:– | [100] | 6 " | 675 | P / P | FZ> 10,000 | SEMIノッチプライム、Empak cst |
PAM2796 | p型Si:B | [100] | 6 " | 675 | P / P | 1〜5 | SEMI Prime、1Flat、Soft cst |
詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com,
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com
1990年に設立されたXiamenPowerway Advanced Material Co.、Ltd(PAM-XIAMEN)は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-XIAMENは、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMENの技術は、半導体ウェーハの高性能と低コストの製造を可能にします。
PAM-XIAMENは、Ga、Al、In、As、Pに基づくIII-Vシリコンドープn型半導体材料の基板成長とエピタキシーを備えた第1世代のゲルマニウムウェーハ、第2世代のヒ化ガリウムからの高度な結晶成長とエピタキシー技術を開発しています。 MBEまたはMOCVDによって第3世代まで成長:LEDおよびパワーデバイスアプリケーション向けの炭化ケイ素および窒化ガリウム。