150ミリメートル(6インチ)のシリコンウェーハ

150ミリメートル(6インチ)のシリコンウェーハ

PAM XIAMENは、150mmSiウェーハを提供しています。 にメールを送ってください sales@powerwaywafer.com 他の仕様と数量が必要な場合。

アイテム 直径 タイプ ドーパント オリエン RES
(オームセンチメートル)
厚い
(ええと)
ポーランド語 グレード 説明
PAM2716 150ミリメートル N / A 650um SSP メカ スピンコーティングに最適な低コストのSiウェーハ。
PAM2717 150ミリメートル P B <100> 0-10 620 um SSP テスト ウェーハ加工研究に最適なテストグレードシリコン。
PAM2718 150ミリメートル N <100> 0-100 625um SSP テスト 直径6インチ(150mm)、シリコンウェーハ、Nタイプ。
PAM2719 150ミリメートル P B <100> 0.006-0.012 525um SSP テスト 酸化物バックシール付き
PAM2720 150ミリメートル P B <100> 1-100 500um SSP テスト プライマリフラットが<110>である2つのSEMI-STDフラット
PAM2721 150ミリメートル P B <111> 0-0.003 525um SSP テスト 証明書はありません。ウェーハは「現状有姿」で販売されています。

 

アイテム 材料 オリエント。 ディアム
(MM)
Thck
(ミクロン)
サーフ。 抵抗率
(Ωcm)
コメント
PAM2722 アンドープ [100] 6 " 650um SSP FZ> 10,000オーム-cm
PAM2723 N / P [100] 6 " 675um SSP FZ 2,000-10,000ohm-cm プライムグレード、フロートゾーン(FZ)
PAM2724 p型Si:B [100] 6 " 625um P / E 0〜100オーム-cm フラットでテストグレード
PAM2725 タイプ-任意 どれか 6 " 625um P / E 抵抗率-任意 フラットのメカグレード
PAM2726 P / B [100] 6 " 675um P / E 0.01-0.02オーム-cm EPIレイヤー付き、ハードウェットブラスト/ LTO LM
PAM2727 P / B [100] 6 " 725um P / E 14-22オーム-cm sd-ソフトレーザーマーク
PAM2728 P / B [100] 6 " 635-715um P / E 10-30オーム-cm 1セミスタンダード平らな
PAM2729 P / B [100] 6 " 650-700um P / E 10-30オーム-cm 2つのセミスタンダードフラット
PAM2730 P / B [100] 6 " 610-640um P / E 0.008-0.02オーム-cm EPI層、ポリバッグおよびラベル付きシリコンウェーハ
PAM2731 P / B [100] 6 " 650-690um P / E 100-200オーム-cm
PAM2732 N / P [100] 6 " 625um P / E 56-72.5オーム-cm ポリシリコン
PAM2733 P / B [100] 6 " 675um P / E 15〜25オーム-cm ポリシリコンLM
PAM2734 N / Phos [100] 6 " 320um P / E 2000-8000オーム-cm プライムグレード、フロートゾーン(FZ)
PAM2735 p型Si:B [100] 6 " 675 P / P FZ 10,000〜20,000 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2736 p型Si:B [100] 6 " 675 P / P FZ 5,000〜20,000 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2737 p型Si:B [100] 6 " 350 P / P FZ 2,700–3,250 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2738 p型Si:B [100] 6 " 900 C / C FZ> 50 SEMI Prime、1Flat、MCCライフタイム>6,000μs、Empak cst
PAM2739 n型Si:P [100] 6 " 825 C / C FZ 7,000–8,000 {7,025–7,856} SEMI、1Flat、Lifetime =7,562μs、Open Empak cst
PAM2740 n型Si:P [[111]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 675 P / P FZ> 3,500 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2741 n型Si:P [[111]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 790±10 C / C FZ> 3,500 SEMI、1Flat、Empak cst
PAM2742 n型Si:P [[111]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 675 P / P FZ> 1,000 SEMI Prime、ノッチオン<010> {not on <011>}、レーザーマーク、Empak cst
PAM2743 n型Si:P [[111]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 675 壊れた FZ> 1,000 SEMIノッチテスト、Empak cst、多数の大きな断片に分割されました。 ワンピース〜ウェーハの50%他のピース〜ウェーハの20%
PAM2744 n型Si:P [100] 6 " 725 P / P FZ 50–70 {57–62} SEMI Prime、1フラット(57.5mm)、寿命=15,799μs、Empak cst
PAM2745 n型Si:P [100] 6 " 725 P / P FZ 50–70 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2746 n型Si:P [[11–1]に向かって112–5.0°]±0.5° 6 " 875±10 E / E FZ> 3,000 SEMI、1フラット(47.5mm)、TTV <4μm、表面チップ
PAM2747 n型Si:P [[11–1]に向かって112–5°]±0.5° 6 " 1,000±10 C / C FZ> 3,000 SEMI、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst、TTV <4μm、寿命>1,000μs
PAM2748 固有のSi:– [100] 6 " 575 P / P FZ> 10,000 SEMI Prime、1フラット(57.5mm)、MCC寿命> 1,200µs、Empak cst
PAM2749 固有のSi:– [100] 6 " 675 P / P FZ> 10,000 SEMIノッチプライム、Empak cst
PAM2750 固有のSi:– [111] 0.5℃、± 6 " 750 E / E FZ> 10,000 SEMIノッチ、テスト(欠陥、研磨できない)、Empak cst
PAM2751 p型Si:B [110] 0.5℃、± 6 " 390±10 C / C >10 Prime、2Flats、Empak cst
PAM2752 p型Si:B [100] 6 " 675 P / E 50〜150 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2753 p型Si:B [100] 6 " 675 P / E 5〜10 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2754 p型Si:B [100] 6 " 400 P / P 1〜30 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、TTV <5μm
PAM2755 p型Si:B [100] 6 " 415±15 P / P 1〜30 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2756 p型Si:B [[001]に向かって100–9.7°]±0.1° 6 " 525 P / P 1〜100 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2757 p型Si:B [100]±1° 6 " 575 P / P 1〜20 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、TTV <2μm
PAM2758 p型Si:B [100] 6 " 675 P / P 1〜100 SEMIテスト、両面が汚れていて傷が付いている、1Flat、Empak cst
PAM2759 p型Si:B [100] 6 " 675 P / E 1–10 {4.5–6.5} SEMIノッチプライム、Empak cst、TTV <7μm
PAM2760 p型Si:B [100] 6 " 675 P / E 1〜100 SEMI Prime、1Flat、Empak cst
PAM2761 p型Si:B [100] 6 " 750±10 E / E 1〜5 SEMI、1Flat、Soft cst
PAM2762 p型Si:B [100] 6 " 2000 P / P 1〜35 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2763 p型Si:B [100] 6 " 400±15 P / P 0.5〜1.0 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2764 p型Si:B [100] 6 " 365±10 E / E 0.01〜0.02 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、TTV <2μm、Empak cst
PAM2765 p型Si:B [[111]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 675 P / P 0.01〜0.02 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、両面に傷あり
PAM2766 p型Si:B [[111]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 675 P / E 0.01〜0.02 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、両面研磨済み、前面のみがPrime
PAM2767 p型Si:B [100] 6 " 675 P / E 0.01〜0.02 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2768 p型Si:B [100] 6 " 320 P / E 0.001〜0.030 JEIDA Prime、Empak cst
PAM2769 p型Si:B [100] 6 " 320 P / E 0.001〜0.030 JEIDA Prime、Empak cst
PAM2770 p型Si:B [100] 6 " 675 P / P 0.001〜0.005 SEMI、1フラット(57.5mm)、Empak cst
PAM2771 p型Si:B [111–4.0°]±0.5° 6 " 625 P / E 4–15 {7.1–8.8} SEMI Prime、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst
PAM2772 n型Si:P [100] 6 " 725 P / P 5〜35 SEMI Prime、1 JEIDA Flat(47.5mm)、TTV <2μm、TIR <1μm、Bow <10μm、Warp <20μm、レーザーマーク付き、Empak cst
PAM2773 n型Si:P [100] 6 " 925±15 E / E 5〜35 JEIDA Prime、Empak cst、TTV <5μm
PAM2774 n型Si:P [100] 6 " 675 P / E 2.7〜4.0 SEMI Prime、24枚のウェーハのEmpakカセット
PAM2775 n型Si:P [100] 6 " 675 P / E 2.7〜4.0 SEMI Prime、6枚および7枚のウェーハのEmpakカセット
PAM2776 n型Si:P [100] 6 " 250±5 P / P 1–3 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、TTV <2μm、Empak cst
PAM2777 n型Si:P [[110]に向かって100–4°]±0.5° 6 " 675 P / E 1〜25 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2778 n型Si:P [100]±1° 6 " 800 P / E 1〜10 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2779 n型Si:P [[110]に向かって100–25°]±1° 6 " 800 C / C 1〜100 SEMIノッチプライム、Empak cst
PAM2780 n型Si:P [100] 6 " 1,910±10 P / P 1〜100 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、個別cst、TTV <2μm
PAM2781 n型Si:P [100] 6 " 1,910±10 P / P 1〜100 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、個別cst、TTV <5μm
PAM2782 n型Si:P [100] 6 " 3000 P / P 1〜100 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2783 n型Si:P [100] 6 " 5000 P / P 1〜25 プライム、フラットなし、個別のcst
PAM2784 n型Si:Sb [[110]に向かって100–6°]±0.5° 6 " 675 P / P 0.01〜0.02 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2785 n型Si:Sb [100] 6 " 675 P / E 0.008〜0.020 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst
PAM2786 n型Si:As [100] 6 " 1000 L / L 0.0033〜0.0037 SEMI、1Flat(57.5mm)、個々のウェーハカセット
PAM2787 n型Si:As [100] 6 " 1000 L / L 0.0033〜0.0037 SEMI、1Flat(57.5mm)、個々のウェーハカセット
PAM2788 n型Si:As [100] 6 " 675 P / EOx 0.001〜0.005 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、Empak cst、裏面LTO 0.6um、TTV <3μm、Bow / Warp <15μm
PAM2789 n型Si:P [100] 6 " 675 P / EOx 0.001〜0.002 SEMI Prime、1Flat(57.5mm)、剥離可能なEpi層付きSi:P(0.32–0.46)Ohmcm、厚さ3.20±0.16μm、Empak cst
PAM2790 n型Si:P [111] 0.5℃、± 6 " 675 P / E 1〜100 SEMI Prime、フラットなし、Empak cst
PAM2791 n型Si:As [100] 6 " 675 OxP / EOx 0.001〜0.005 セミテスト(スポットおよび軽微な視覚的欠陥)、1フラット(57.5mm)、熱酸化0.1μm±5%厚、Empak cst
PAM2792 p型Si:B [100] 6 " 735 P / P FZ> 50 Prime、1Flat、Empak cst、TTV <2μm
PAM2793 n型Si:P [[11–1]に向かって112–5°]±0.5° 6 " 800±10 P / P FZ> 3,000 SEMI、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst、TTV <4μm、寿命>1,000μs
PAM2794 n型Si:P [[11–1]に向かって112–5°]±0.5° 6 " 950±10 P / P FZ> 3,000 SEMI、1 JEIDA Flat(47.5mm)、Empak cst、TTV <4μm、寿命>1,000μs
PAM2795 固有のSi:– [100] 6 " 675 P / P FZ> 10,000 SEMIノッチプライム、Empak cst
PAM2796 p型Si:B [100] 6 " 675 P / P 1〜5 SEMI Prime、1Flat、Soft cst

 

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com,
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

1990年に設立されたXiamenPowerway Advanced Material Co.、Ltd(PAM-XIAMEN)は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-XIAMENは、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMENの技術は、半導体ウェーハの高性能と低コストの製造を可能にします。

PAM-XIAMENは、Ga、Al、In、As、Pに基づくIII-Vシリコンドープn型半導体材料の基板成長とエピタキシーを備えた第1世代のゲルマニウムウェーハ、第2世代のヒ化ガリウムからの高度な結晶成長とエピタキシー技術を開発しています。 MBEまたはMOCVDによって第3世代まで成長:LEDおよびパワーデバイスアプリケーション向けの炭化ケイ素および窒化ガリウム。

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