2-26.TTV

Total Thickness Variation (TTV): The maximum variation in the wafer thickness. Total Thickness Variation is generally determined by measuring the wafer in 5 locations of a cross pattern (not too close to the wafer edge) and calculating the maximum measured difference in thickness. The TTV (Total Thickness Variation) value is used to determine the surface quality parameters of the thinned wafer, which will directly affects the subsequent packaging process and the final quality of the chip. Generally, the smaller the TTV, the better the intra-chip uniformity. The wafer TTV from PAM-XIAMEN can meet your process requirements.

1. Why Does the Total Thickness of a Wafer Vary?

The total thickness of a wafer can vary for a number of factors during the grinding process, specifically shown as Table 1:

Table 1 Factors affecting TTV

No. Factors
1. The angle between the grinding wheel spindle and the support table does not meet the technological requirements
2 Flatness of the table surface
3 The axes of the support tables are not parallel
4 サポートテーブルの清潔さと残留物の有無
5 ホイールの品質
6 粉砕プロセスパラメータ
7 研削送りシステムの剛性
8 サポートテーブルのシステム剛性

 

すべての要因の中で、基本的な要因は、スピンドルとサポートテーブルの間の角度がプロセス要件を満たしていることです。 砥石とサポートテーブルの間には一定の角度があります。これは、ウェーハの薄化面の品質を向上させ、TTVを制御し、砥石の寿命を延ばし、薄肉化の内部応力を低減するための重要なプロセスです。

2.ユーザープロセス要件を満たすようにTTVを制御する方法は?

図1に示すように、砥石主軸と支持台の間の角度値△βの保証は、主に主軸または軸受台の角度を調整することによって実現されます。 調整により、メインシャフトとベアリングテーブル間の△β角度がプロセス要件を満たすことができます。

図1メインシャフトとサポートテーブル間の角度

図1メインシャフトとサポートテーブル間の角度

最終的には、図2に示すような砥石研削状態が実現します。つまり、砥石研削工程では、砥石の0B部のみが主研削領域となり、これが重要な領域となります。ウェーハ内のTTV。 切断前のウェーハのB0Aの3点に対する軸の角度は、それぞれ0、0、-20°です。 TTVに影響を与える重要なポイントは、ポイント0とポイントBの間の相対角度が0であることを確認することです。

図2研削

図2研削

この問題を解決するための鍵は、ウェーハの研削精度に応じてオンラインで偏差を調整することです。 その調整原理は、機器の初期手動調整が完了した後、ウェーハを研磨し、非接触オンライン測定装置でスキャンして、ウェーハのTTV値とウェーハの厚さの特定の位置を取得することです。 特定の厚さパラメータに従って、相関関数が計算され、角度は自動制御デバイスを介して調整されます。

この調整プロセスは、手動で調整されたウェーハに従って研削し、最初のウェーハのTTV値をオンラインで測定し、測定結果に従って角度を調整してから、ウェーハを研削します。 ユーザープロセスの要件が満たされるまで、値は徐々に減少します。

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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