PAM XIAMEN offers 3″ Silicon Wafer.
Material
Orient.
Diam.
Thck
(μm)
Surf.
Resistivity
Ωcm
Comment
p-type Si:B
[5,5,12] ±0.5°
3″
380
P/E
1-10
SEMI Prime
p-type Si:B
[211] ±0.5°
3″
525
P/P
>10
SEMI Prime
p-type Si:B
[211] ±0.5°
3″
525
P/E
>10
SEMI Prime
p-type Si:B
[111-28° towards[001]] ±0.5°
3″
400
P/E
>20
SEMI TEST (Half of wafers polished on wrong side, some have etch patterns), Primary Flat @ <112>, hard cst
p-type Si:B
[111-4°] ±0.5°
3″
380
P/E
8-12
SEMI Prime
p-type Si:B
[111-4°] ±0.5°
3″
380
P/E
8-12
SEMI Prime
p-type Si:B
[111] ±0.5°
3″
508
E/E
0.792-1.008
SEMI TES, TTV<2μm, Epak cst
p-type Si:B
[111-4°] [...]
2019-03-06メタ著者
CdZnTe monocrystalline wafers
Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd., provide CdZnTe monocrystalline wafers in different size for HgCdTe substrate epitaxy. And now PAM-XIAMEN offer specification as follows:
S.No.
Parameters
Detail
1
Undoped Cd1_xZnxTe Single crystal substrates
From wafer to wafer x =0.040± 0.005
On one wafer x =0.040± 0.005
(Twin & micro twins free [...]
PAM XIAMEN offers Single-emitter LD Chip 808nm @8W.
Brand: PAM-XIAMEN
Wavelength: 808nm
Stripe width: 350um
Output Power: 8W
Cavity Length:2.5mm
For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com
Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd [...]
2019-05-09メタ著者
レーザーダイオード、LED、およびパワーエレクトロニクス用の自立型およびバルクGaN基板 LEDアプリケーションは、確立されたレーザーダイオード(LD)および新興パワーエレクトロニクスセグメントを超えて、バルクGaN市場の原動力となるでしょう。 ただし、4インチのバルクGaNの価格が上昇した場合、大きな変化が起こる可能性があります[...]
2013-11-22メタ著者
PAM-XIAMEN の SiC 基板と SiC ホモエピタキシーは、MOSFET デバイスの製造に提供できます。 炭化ケイ素(SiC)MOSFET構造は、主にSi MOSFET構造のプロセスを模倣して製造されます。 構成の観点から、MOSFET の構造は一般に 2 つに分けられます。
2022-04-11メタ著者
Cubic SiC films (3C–SiC) were deposited on (111) Si substrates by a vapor–liquid–solid tri-phase growth method. In such a process a thin copper layer, which was evaporated on the Si substrate prior to the growth, was melted at high temperature as the flux and [...]