シリコンウェーハ上の4インチLinbo3薄膜

シリコンウェーハ上の4インチLinbo3薄膜

ニオベートリチウム(Linbo3)ウェーハは、優れた電気光学、非線形、圧電特性を備えています。高度なマイクロおよびナノファブリケーション技術により、絶縁体(LNOI)の薄膜上のniobateリチウムに基づく統合フォトニクスデバイスが広く研究されています。将来、準備された高性能Linbo3 Thin Filmは、LNOIベースのMicro-Nano光学系、統合フォトニクス、およびマイクロ波フォトニクスのさらなる開発をサポートします。高性能LNOIウェーハの生産は、ニオベート光電子デバイスの産業用途の重要な部分となります。 YカットとZカット付きのシリコンウェーハ(LNOI)の4インチLinbo3薄膜は、PAM-厦門次のように:

Linbo3薄膜

1。SIベースの単結晶Linbo3薄膜の仕様

No.1:

Linbo3/Silicon Wafer(PAM-P19446-LNOI)
良い説明:中間層なしのシリコンウェーハ上のニオベート層リチウム:siウェーハ上の薄膜
最上層:ニオベートリチウム単結晶薄膜、Yカット、厚さ5μm
基板:4インチシリコンウェーハ、厚さ0.5mm
シリコン基質の高抵抗率>10,000Ω*cm
表面粗さ<0.5nm
厚さの均一性は2μm未満で、出荷時に17ポイントのテストを提供します

No.2:

上層linbo3薄膜zカット厚さ300nm中層:( pam-p20442-lnoi)
熱酸化物、2000 nm
基質:4インチSiウェーハ、Si基板の場合は10,000Ω*cm以上の高抵抗率

No.3:

上層linbo3薄膜zカット厚さ400nm中層:( PAM-P20442-LNOI)
熱酸化物、2000 nm
基質:4インチSiウェーハ、Si基板の場合は10,000Ω*cm以上の高抵抗率

No.4:

最上層linbo3薄膜zカット厚500nm中層:( pam-p20442-lnoi)
熱酸化物、2000 nm
基質:4インチSiウェーハ、Si基板の場合は10,000Ω*cm以上の高抵抗率

x-cut lnoiウェーハも提供することができます、より詳細なパラメーターを参照してください[email protected].

2。LNとSIのプロパティ比較

ニオベートリチウムの薄膜は、優れた電気光学的特性を持つ最も広く使用されている光電子材料の1つです。 Linbo3 Thin Film Modulatorは、最新の光ファイバー通信技術のバックボーンです。そして、その透明な窓範囲、光学損失、非線形性能、高速電気光学変調性能、およびLinbo3薄膜圧電性能は、シリコンよりも大きな利点があります。表1を参照してください。

表1 LNとSIのパフォーマンス比較

マテリアル バンドギャップと透明なウィンドウ 屈折率 電気光学係数(PM/V) 2次:DIJ(PM/V) 導波路損失 圧電
1.1eV

1.1~5.5um

3.5 キャリアプラズマ効果 NA ~1dB/cm NA
LN 4eV

0.35-5.5 um

2.2 r33= 30.8(ポッケル効果 d33= 25.2(@1.06um) 〜0.027 dB/cm d15= 74

 

3.シリコン上のLinbo3薄膜に関するFAQ

Q1:サンプルについてもう1つ質問があります。 2つのファセットがあります。a)エッジトリミング付き、b)数字-XCP10010005919。

数字によると、LNレイヤーを送信したのは、a)エッジトリミングで側面に配置されます。サイドb)図によると、si。しかし、側面b)は、磨かれた層(SIO2または他の材料)で覆われた未洗練されたSiのように見えます。これを明確にしていただけませんか?

アタッチメントで3つの画像を見つけてください(最初の画像では、磨かれていないSiから散らばった光の両方を見ることができ、上面から反射します。2番目の画像では、主にSiから散らばった光があります。

シリコン基板の裏側は粉砕されており、研削の目的は完成製品のTTVを調整することです。取り付けられた画像は、磨かれていないb)側のsi基板を粉砕する状態を示しており、sio2層はありません。

niobateリチウム薄膜を直接Si基質に結合しました。Si基質の両側には二酸化シリコンSiO2が含まれていません。あなたが言及した鏡のような鏡のような反射は、研磨後に生成する必要があります。それは研磨後の鏡ではありません。

Q2:屈折指数や伝播損失と波長などの会社の光学品質テストはありますか?

あ:ln wafersλ= 663nm n0 = 2.286、ne = 2.202の屈折率のテストがあります。

パワーウェイウェーハ

詳細については、メールでお問い合わせください[email protected][email protected]


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