5-4SiC半導体の結晶成長
この記事の執筆時点で、SiCエレクトロニクスの卓越した理論的期待の多くは
前のセクションはほとんど実現されていません。 簡単な歴史的調査はすぐにそれが深刻であることを示しています
SiC半導体材料の製造可能性と品質の欠点が、
SiC半導体エレクトロニクスの開発。 単純な観点から、SiCエレクトロニクス
開発には、ソリッドステート電子デバイスができる一般的な経験則が非常にあります
それが作られている半導体材料と同じくらい良いだけです。
5-4SiC半導体の結晶成長
この記事の執筆時点で、SiCエレクトロニクスの卓越した理論的期待の多くは
前のセクションはほとんど実現されていません。 簡単な歴史的調査はすぐにそれが深刻であることを示しています
SiC半導体材料の製造可能性と品質の欠点が、
SiC半導体エレクトロニクスの開発。 単純な観点から、SiCエレクトロニクス
開発には、ソリッドステート電子デバイスができる一般的な経験則が非常にあります
それが作られている半導体材料と同じくらい良いだけです。
2-14.Masking Defects also referred to as “Mound” When one defect prevents the detection of another defect, the undetected defect is called the masked defect. A distinct raised area above the wafer frontside surface as viewed with diffuse illumination.
In optics the refractive index (or index of refraction) n of a substance (optical medium) is a number that describes how light, or any other radiation, propagates through that medium. Refractive index is the basic property of optical crystals, and it is an important parameter [...]
2-36.Reclaim Grade Reclaim Grade:A lower quality wafer that has been used in manufacturing and then reclaimed , etched or polished, and then used a second time in manufacturing.
5-4-5 SiC Crystal Dislocation Defects Table 5.2 summarizes the major known dislocation defects found in present-day commercial 4H- and 6H-SiC wafers and epilayers . Since the active regions of devices reside in epilayers, the epilayer defect content is clearly of primary importance to SiC device [...]
2-4.Wafer Surface Orientation Denotes the orientation of the surface of a wafer with respect to a crystallographic plane within the lattice structure. In wafers cut intentionally “off orientation”, the direction of cut is parallel to the primary at, away from the secondary at. Measured with [...]
3-8. 3C Inclusions Regions where step- ow was interrupted during epi layer growth. Typical regions are generally triangular although more rounded shapes are sometimes seen. Count once per occurrence. Two inclusions within 200 microns count as one.
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