PAM-XIAMEN は、急速充電用に 650V GaN FET チップを提供しています。 現在の市場では、窒化ガリウム急速充電ソース主に650V GaNチップ（GaN FET）を電源スイッチとして使用し、窒化ガリウムの高周波特性を利用して、端末急速充電製品の小型化と高効率化を実現しています。
PAM65D150DNBI-TS シリーズ 650V、150mΩ 窒化ガリウム (GaN) FET は、常時オンのデバイスです。 PAM-XIAMEN GaN チップは、ゲート電荷の低減、スイッチング速度の高速化、および逆回復電荷の低減によって効率を向上させ、従来のシリコン (Si) デバイスに比べて大きな利点を提供します。 PAM-XIAMEN は、世界クラスのイノベーションを持つ最先端の GaN チップ メーカーの 1 つです。
1. 650V GaN FET チップのパラメータ
| シンボル | パラメーター | 限界値 | ユニット |
| RθJC | ジャンクションとケース | 1.3 | ℃ /W |
1.1 絶対 最大 650V GaNの定格 FET チップ (特に指定のない限り TC=25°C)
| シンボル | パラメーター | 限界値 | ユニット | |
| VDSS | ドレイン・ソース電圧 | 650 | V | |
| VDSS | ゲート・ソース電圧 | 一25〜+ 2 | ||
| ID | 連続ドレイン電流 @TC=25°C | 15 | A | |
| 連続ドレイン電流 @TC=100°C | 10 | |||
| IDM | パルスドレイン電流 | 65 | A | |
| PD | 最大消費電力 @ TC=25°C | 65 | W | |
| TC | 動作温度 | 場合 | 一55〜150 | C° |
| TJ | 合流 | 一55〜175 | C° | |
| TS | 保管温度 | 一55〜150 | C° | |
上ボトム
1.2 650V の電気パラメータGaN系 チップセット (特に指定のない限り、TJ=25°C)
| シンボル | パラメーター | ミン | 標準 | マックス | ユニット | 試験条件 |
| 転送デバイスの特性 | ||||||
| V（BL）DS | ドレイン・ソース間電圧 | — | 650 | — | v | Vcs = -25V |
| Vasth） | ゲート閾値電圧 | — | -18 | — | v | VD=Vas、ID=luA |
| RDS（オン） | ドレインソースオン抵抗 | — | 150 | 180 | mQ | Vcs=OV,ID-10A |
| — | — | — | VGs=OV、ID-10A、TJ=150℃ | |||
| lDss | ドレインからソースへの漏れ 現在 |
— | — | 3 | uA | VDs=650V、VGs=-25V |
| — | — | 30 | VDs=400V、VGs=-25V、 T=150'c |
|||
| lass | ゲートからソースへの転送 漏れ電流 |
— | 3.7 | 100 | nAの | VGs=2V |
| ゲートからソースへの逆 漏れ電流 |
— | -3.5 | -100 | VGS=-25V | ||
| CIss | 入力容量 | — | 650 | — | pFの | vGs=-25V,VDS=300V、f=1MHz |
| コス | 出力容量 | — | 40 | — | ||
| CRSSフィード | 逆容量 | — | 10 | — | ||
| QG | 総ゲート料金 | — | 9 | — | nC | VDS=200V,VGS=-25V～ov、 私D=10A |
| QGS | ゲートソース電荷 | — | 2 | — | ||
| QGD | ゲート・ドレイン電荷 | — | 7 | — | ||
| tn | 逆回復時間 | — | 4 | — | NS | Is=0A～11A,VDD=400V di/dt=1000A/μS |
| Q. | 逆回復チャージ | — | 17 | — | nC | — |
| TIX（オン） | ターンオン遅延 | — | 0.5 | — | — | VDs=200VVG=-25V～ov, ID=10A |
| tR | 立ち上がり時間 | — | 9 | — | ||
| tD（オフ） | ターンオフ遅延 | — | 0.5 | — | ||
| tF | 秋の時間 | — | 10 | — | ||
| 逆デバイス特性 | ||||||
| VSD | 逆電圧 | — | 7 | — | v | VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′ C |
1.3 650V GaN の代表的な特性充電器 チップ (特に指定のない限り TJ=25°C)
1.4 650V GaN のテスト回路と波形パワー チップ
1.5 650V のパッケージ寸法GaNチップ
| 項目 | I.ow 1ミット （MM） |
センター （MM） |
アッパー 1ミット （MM） |
| A | 0.80 | — | 1.00 |
| A1 | 0 | — | 0.05 |
| A2 | 0.15 | 0.25 | 0.35 |
| b | 0.9 | 1 | 1.1 |
| D | 7.9 | 8 | 8.1 |
| D1 | 6.9 | 7 | 7.1 |
| D2 | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
| D3 | 7.1 | 7.2 | 7.3 |
| D4 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E | 7.9 | 8 | 8.1 |
| E1 | 0.3 | 0.4 | 0.5 |
| E2 | 4.25 | 4.35 | 4.45 |
| E3 | 2.65 | 2.75 | 2.85 |
| e | 1.9 | — | 2.1 |
| L | 0.4 | 0.5 | 0.6 |
2. 650V GaN の一般的な特徴パワー FET
駆動が容易—標準のゲートドライバと互換性あり
低伝導損失とスイッチング損失
17nC の低 Qrr—フリーホイール ダイオードなし
必須
RoHS準拠およびハロゲンフリー
3. 650V GaN FETチップの自動車
急速充電器
再生可能エネルギー
テレコムとデータコム
サーボモーター
工業用
自動車
4. 650V GaN チップの利点
高速スイッチングによる効率の向上
電力密度の向上
システムのサイズと重量を削減
第3世代の半導体材料の代表として、窒化ガリウムを急速充電デバイスに使用すると、同じサイズの場合、GaNチップデバイスの出力電力は従来の材料の3倍になります。 GaN FET技術は、携帯電話の急速充電の標準を再定義しています。 第三世代の半導体産業も、窒化ガリウムの応用により新たな発展を遂げています。
詳細については、電子メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.comとpowerwaymaterial@gmail.com