850nm および 940nm 赤外 LED ウエハー

850nm および 940nm 赤外 LED ウエハー

PAM-XIAMEN は、MOCVD による 850nm および 940nm 赤外線 LED ウエハーを提供できます。 850nmや940nmの赤外線LEDとは、850nmや940nmをピーク値とする赤外線の波長を指しますが、可視光域にも微量の光があるため、弱い赤色光も見えます。 GaAsベースのIR LEDウェーハ構造は、次のように紹介されています。

1. 赤外 LED ウエハ構造

1.1 850-870nm LED ウエハ構造

PAM190704-LED

材料 タイプ 厚さ(nm) ノート
AlGaAs P+ 100 オーミックコンタクト層
AlGaAs P 6000 P-クラッディング
AlGaAs/GaAs アンドープ 300 活性層
AlGaAs N 1000 N-クラッディング
N-GaAs基板

ノート:850nm~870nm用で、発光部にインジウムはありません。

 

1.2 850nm 赤外 LED ウエハ構造

PAM-210414-850NM-LED

機能層-MBUR 材料 厚さ
ウィンドウレイヤー P-GaP
Pクラッド層 P-AlInP
Pスペース P-AlGaInP
アクティブレイヤー MQW 0.1μm
N空間 N-AlGaInP
Nクラッド層 N-AlnP
N電流拡散層 N-AIGaInP
N-粗化層 N-AIGaInP
Nコンタクト層 N-GaAs 0.5μm
エッチストップ N-AlGaInP 0.3~0.4μm
基板 N-GaAs
 
1.3 850nm IR LED エピタキシャルウェーハ構造

PAM-210414-850NM-LED (ユニバーサル)

構造 厚さ
ギャップ 711A
P AlGaInP 96A
P AlxGaAs
P AlxGaAs 3600A
AlxGaAs
MQW InGaAs/AlxGaAs
AlxGaAs
NAlxGaAs 3600A
NAlxGaAs
ギャンピー
GaAsの 640A
ゲインP
GaAsの

 

850nm および 940nm 赤外 LED ウエハー

850nm および 940nm 赤外 LED ウエハー

 

1.4 940nm 赤外 LED エピウェーハ

PAMP21138-940LED (ユニバーサル)

構造 厚さ(A)
P-AlGaAsオーム 500
P-AlGaAs エクステンション
P-AlGaAs限界
AlGaAsBD
InGaAs/AlGaAsP MQW
AlGaAsBD
N-AlGaAs限界 3800
N-AlGaAs エクステンション
GaAs基板

 

1.5 AlGaAs/GaAs エピウェーハ MOCVD
パラメーター
波長 850~920nm
р層 <= 2um
のドーピング >= 1×1018
活性層 >= 0.2um
n層 <= 10um
nのドーピング >= 1×1017
基板 GaAs、厚さ <= 400um
光パワー >= 5mW
(@ 20mA)

2. 赤外LEDについて

赤外線発光ダイオード(IRLED)は、赤外線放射効率の高い材料(一般的にはGaAs)でPN接合を作り、順バイアスをかけてPN接合に電流を注入し、赤外線を励起させます。 分光分布は中心波長830~950nm、半値幅は約40nmです。 その最大の利点は、赤い嵐から完全に解放されることです。 赤外線発光ダイオードは、人間の目に見える波長よりもわずかに長い波長の光を生成します。 これらのデバイスは、近赤外線範囲の光を放出します。つまり、マイクロ波よりも可視光スペクトルに近い光を生成します。 赤外線 LED ライトは、可視光を生成する LED ライトと同様に機能しますが、通常は異なる電力要件があります。

3. 用途 赤外 LED ウェーハ

GaAs ベースの IR LED ウェーハは、電子機器やセキュリティ システムで一般的に使用されています。 赤外線 LED ウエハー製造のセキュリティ システムでは、赤外線は人間の目の可視光の範囲を超えていますが、カメラは可視スペクトルより下の赤外線を検出できます。その地域を見て、記録し続けます。

powerwaywafer

詳細については、電子メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

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