PAM-XIAMEN は、MOCVD による 850nm および 940nm 赤外線 LED ウエハーを提供できます。 850nmや940nmの赤外線LEDとは、850nmや940nmをピーク値とする赤外線の波長を指しますが、可視光域にも微量の光があるため、弱い赤色光も見えます。 GaAsベースのIR LEDウェーハ構造は、次のように紹介されています。
1. 赤外 LED ウエハ構造
1.1 850-870nm LED ウエハ構造
PAM190704-LED
材料 | タイプ | 厚さ(nm) | ノート |
AlGaAs | P+ | 100 | オーミックコンタクト層 |
AlGaAs | P | 6000 | P-クラッディング |
AlGaAs/GaAs | アンドープ | 300 | 活性層 |
AlGaAs | N | 1000 | N-クラッディング |
N-GaAs基板 |
ノート:850nm~870nm用で、発光部にインジウムはありません。
1.2 850nm 赤外 LED ウエハ構造
PAM-210414-850NM-LED
機能層-MBUR | 材料 | 厚さ |
ウィンドウレイヤー | P-GaP | – |
Pクラッド層 | P-AlInP | |
Pスペース | P-AlGaInP | |
アクティブレイヤー | MQW | 0.1μm |
N空間 | N-AlGaInP | – |
Nクラッド層 | N-AlnP | |
N電流拡散層 | N-AIGaInP | |
N-粗化層 | N-AIGaInP | |
Nコンタクト層 | N-GaAs | 0.5μm |
エッチストップ | N-AlGaInP | 0.3~0.4μm |
基板 | N-GaAs | – |
1.3 850nm IR LED エピタキシャルウェーハ構造
PAM-210414-850NM-LED (ユニバーサル)
構造 | 厚さ |
ギャップ | 711A |
P AlGaInP | 96A |
P AlxGaAs | – |
P AlxGaAs | 3600A |
AlxGaAs | – |
MQW InGaAs/AlxGaAs | – |
AlxGaAs | – |
NAlxGaAs | 3600A |
NAlxGaAs | – |
ギャンピー | – |
GaAsの | 640A |
ゲインP | – |
GaAsの | – |
1.4 940nm 赤外 LED エピウェーハ
PAMP21138-940LED (ユニバーサル)
構造 | 厚さ(A) |
P-AlGaAsオーム | 500 |
P-AlGaAs エクステンション | – |
P-AlGaAs限界 | – |
AlGaAsBD | – |
InGaAs/AlGaAsP MQW | – |
AlGaAsBD | – |
N-AlGaAs限界 | 3800 |
N-AlGaAs エクステンション | – |
GaAs基板 |
1.5 AlGaAs/GaAs エピウェーハ MOCVD
パラメーター | 値 |
波長 | 850~920nm |
р層 | <= 2um |
のドーピング | >= 1×1018 |
活性層 | >= 0.2um |
n層 | <= 10um |
nのドーピング | >= 1×1017 |
基板 | GaAs、厚さ <= 400um |
光パワー | >= 5mW |
(@ 20mA) |
2. 赤外LEDについて
赤外線発光ダイオード(IRLED)は、赤外線放射効率の高い材料(一般的にはGaAs)でPN接合を作り、順バイアスをかけてPN接合に電流を注入し、赤外線を励起させます。 分光分布は中心波長830~950nm、半値幅は約40nmです。 その最大の利点は、赤い嵐から完全に解放されることです。 赤外線発光ダイオードは、人間の目に見える波長よりもわずかに長い波長の光を生成します。 これらのデバイスは、近赤外線範囲の光を放出します。つまり、マイクロ波よりも可視光スペクトルに近い光を生成します。 赤外線 LED ライトは、可視光を生成する LED ライトと同様に機能しますが、通常は異なる電力要件があります。
3. 用途 赤外 LED ウェーハ
GaAs ベースの IR LED ウェーハは、電子機器やセキュリティ システムで一般的に使用されています。 赤外線 LED ウエハー製造のセキュリティ システムでは、赤外線は人間の目の可視光の範囲を超えていますが、カメラは可視スペクトルより下の赤外線を検出できます。その地域を見て、記録し続けます。
詳細については、電子メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.comとpowerwaymaterial@gmail.com