PAM-XIAMEN では、以下のように PIN 用の 2 インチ InGaAs/InP エピ ウェハを提供できます。 InGaAs は、InAs と GaAs の化合物です。 化学元素の周期表では、In と Ga は第 3 族の元素であり、As は第 5 族の元素です。 InGaAs の特性は、GaAs と inAs の特性の中間にあります。 InGaAs は室温半導体として、今日エレクトロニクスやフォトニクスで広く使用されています。
1. PIN用InGaAs/InPエピウエハ仕様
1.1 InP 基板上の InGaAs エピウェハ
InP基板:
InP 方向: (100)
Feドープ、半絶縁性
ウェハサイズ: 直径2インチ
抵抗率:>1×10^7)ohm.cm
EPD:<1×10^4 /cm^2
片面研磨済み。
EPI層:
InxGa1-xAs
Nc>2×10^18 /cc (ドーパントとしてSiを使用)、
厚さ:0.5μm (+/- 20%)
エピ層の粗さ、Ra<0.5nm
1.2 PIN用InPベースInGaAsエピウエハ
(PAM-190320-InGaAs PIN)
InP 2 インチ (またはそれ以上) ウェーハ上に成長した P+ InP 層 / InGaAs 真性層 / N+ InP 層で構成される構造を持つ InGaAs PIN エピウェーハ、詳細は以下のとおりです。
レイヤーNO. | 構成 | 厚さ | エピ層 |
レイヤー #4 | 接触層 | 0.15mm | InGaAs キャップ層、トップコンタクト |
レイヤー #3 | P領域 | 1ミリメートル | InP層 |
レイヤー #2 | I領域 | 3ミリメートル | InGaAs吸収層 |
レイヤー #1 | N領域 | 0.5mm | InP層 |
基板 | n-InP(nドープ、n~1-10×1018cm−3) | ||
基板仕様: | |||
結晶方位 | 100 | ||
直径 | 2” | ||
厚さ | 350ミリメートル | ||
終了 | 片面研磨、裏面エッチング。 エピレディ |
1.3 3 インチ InP 基板上の InGaAs/InP (PIN) エピタキシー
(PAM160906-INGAAS)
裏面照射構造1 | |||
レイヤー番号 | 材料 | 厚さ | キャリア濃度 |
5 | P+InP | 200A | – |
4 | P++ InGaAs | – | – |
3 | InGaAs | – | – |
2 | n+InP | – | – |
1 | InPバッファ層 | – | アンドープ |
0 | 3インチ半絶縁InP | 300~600um |
1.4 PIN 構造を備えた InGaAs EPI ウェハ
PAM200814-INGAAS ピン
いいえ。 | アイテム | 厚さ | タイプ | ドーパント | ドーピング濃度 |
1 | InP基板 | 350um、2インチ | 半絶縁 | ||
2 | InPバッファ層 | – | n型 | S | – |
3 | InGaAs | – | 本質的 | ||
4 | InPキャップ層 | 0.5um | n型 | シ | – |
2. PIN用InGaAsエピウェハ
通常のダイオードはPN接合で構成されています。 薄い、低ドープの真性半導体層が P 半導体材料と N 半導体材料の間に追加され、PIN である PIN 構造のダイオードが形成されます。 InP 格子と整合する InGaAs エピタキシャル層のキャリア濃度と電子移動度は非常に高く、GaAs 格子と整合する AlGaAs のキャリア濃度と電子移動度を上回るため、InGaAs/InP エピ ウェーハは、より多くの周波数範囲で大きな応用の可能性を持っています。 10ヘルツ以上。 したがって、InGaAs エピウェーハ上のInP基板PAM-XIAMEN の PIN デバイスは、高速データ転送速度、低暗電流、高応答、高信頼性を備えています。
詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.comそして powerwaymaterial@gmail.com.