PIN用InGaAs/InPエピウエハ

PIN用InGaAs/InPエピウエハ

PAM-XIAMEN では、以下のように PIN 用の 2 インチ InGaAs/InP エピ ウェハを提供できます。 InGaAs は、InAs と GaAs の化合物です。 化学元素の周期表では、In と Ga は第 3 族の元素であり、As は第 5 族の元素です。 InGaAs の特性は、GaAs と inAs の特性の中間にあります。 InGaAs は室温半導体として、今日エレクトロニクスやフォトニクスで広く使用されています。

1. PIN用InGaAs/InPエピウエハ仕様

1.1 InP 基板上の InGaAs エピウェハ

InP基板:

InP 方向: (100)

Feドープ、半絶縁性

ウェハサイズ: 直径2インチ

抵抗率:>1×10^7)ohm.cm

EPD:<1×10^4 /cm^2

片面研磨済み。

EPI層:

InxGa1-xAs

Nc>2×10^18 /cc (ドーパントとしてSiを使用)、

厚さ:0.5μm (+/- 20%)

エピ層の粗さ、Ra<0.5nm

1.2 PIN用InPベースInGaAsエピウエハ

(PAM-190320-InGaAs PIN)

InP 2 インチ (またはそれ以上) ウェーハ上に成長した P+ InP 層 / InGaAs 真性層 / N+ InP 層で構成される構造を持つ InGaAs PIN エピウェーハ、詳細は以下のとおりです。

レイヤーNO. 構成 厚さ エピ層
レイヤー #4 接触層 0.15mm InGaAs キャップ層、トップコンタクト
レイヤー #3 P領域 1ミリメートル InP層
レイヤー #2 I領域 3ミリメートル InGaAs吸収層
レイヤー #1 N領域 0.5mm InP層
基板 n-InP(nドープ、n~1-10×1018cm−3)
基板仕様:
結晶方位 100
直径 2”
厚さ 350ミリメートル
終了 片面研磨、裏面エッチング。 エピレディ

 

1.3 3 インチ InP 基板上の InGaAs/InP (PIN) エピタキシー

(PAM160906-INGAAS)

裏面照射構造1
レイヤー番号 材料 厚さ キャリア濃度
5 P+InP 200A
4 P++ InGaAs
3 InGaAs
2 n+InP
1 InPバッファ層 アンドープ
0 3インチ半絶縁InP 300~600um

1.4 PIN 構造を備えた InGaAs EPI ウェハ

PAM200814-INGAAS ピン

いいえ。 アイテム 厚さ タイプ ドーパント ドーピング濃度
1 InP基板 350um、2インチ 半絶縁  
2 InPバッファ層 n型 S
3 InGaAs 本質的  
4 InPキャップ層 0.5um n型

2. PIN用InGaAsエピウェハ

通常のダイオードはPN接合で構成されています。 薄い、低ドープの真性半導体層が P 半導体材料と N 半導体材料の間に追加され、PIN である PIN 構造のダイオードが形成されます。 InP 格子と整合する InGaAs エピタキシャル層のキャリア濃度と電子移動度は非常に高く、GaAs 格子と整合する AlGaAs のキャリア濃度と電子移動度を上回るため、InGaAs/InP エピ ウェーハは、より多くの周波数範囲で大きな応用の可能性を持っています。 10ヘルツ以上。 したがって、InGaAs エピウェーハ上のInP基板PAM-XIAMEN の PIN デバイスは、高速データ転送速度、低暗電流、高応答、高信頼性を備えています。

パワーウェイウェーハ

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.comそして powerwaymaterial@gmail.com.

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