PAM-厦門は、インジウム半導体ウエハを提供しています：InAsの、のInP、InSbの
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InAsのウェハ基質 - ヒ化インジウム
|
||||||||||
|
数量
|
材料
|
オリエンテーション。
|
直径
|
厚さ
|
ポーランド語
|
抵抗率
|
タイプドーパント
|
NC
|
モビリティ
|
EPD
|
|
PCS
|
（MM）
|
（ミクロン）
|
Ω・cmで
|
A / cm 3で
|
平方センチメートル/ Vsで
|
/ cm 2の
|
||||
|
1-100
|
InAsの
|
（110）
|
40.0
|
500
|
SSP
|
N / A
|
P
|
（1-9）E17
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InAsの
|
（100）
|
50.8
|
450
|
SSP
|
N / A
|
P
|
1E17 / ccで
|
N / A
|
<20000
|
|
1-100
|
InAsの
|
（100）
|
50.8
|
400
|
SSP
|
N / A
|
N / S
|
5E18-2E19
|
>6,000
|
<1E4
|
|
1-100
|
InAsの
|
（100）
|
50.8
|
400
|
DSP
|
N / A
|
N / S
|
5E18-2E19
|
>6,000
|
<1E4
|
|
1-100
|
InAsの
|
（111）B
|
50.8
|
N / A
|
SSP
|
N / A
|
N / S
|
（1-3）E18
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InAsの
|
（100）
|
50.8
|
N / A
|
SSP
|
N / A
|
N /テ
|
1E16 / ccで
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InAsの
|
（100）
|
50.8
|
400
|
DSP
|
N / A
|
P
|
（1-9）E18 / CC
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InAsの
|
（100）
|
3x3x5
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
3E16 / ccで
|
N / A
|
N / A
|
InAsのウェーハサプライヤーとして、我々はあなたが価格の詳細が必要な場合は、当社の営業チームに連絡してください、あなたの参照のためのInAsウェハのリストを提供します
3）2” のInAs
タイプ/ドーパント：Nアンドープ
方位：<111> A±0.5°
厚さ：500um±25um
エピレディ
RA <= 0.5nmで
キャリア濃度（CM-3）：1E16〜3E16
移動度（cm -2程度）：> 20000
EPD（cm -2程度）<15000
SSP
5）2” のInAs
タイプ/ドーパント：N / P
オリエンテーション：（100）、
キャリア濃度（CM-3）:( 5-10）E17、
厚さ：500ええと
SSP
注：
***メーカーとして、我々はまた、研究者やファウンドリのために少量を受け入れます。
***配達時間：それは私たちが株式を持っている場合、我々はすぐに出荷することができ、我々は持っている株式に依存します。
|
InPウェハー基質 - リン化インジウム
|
||||||||||
|
数量
|
材料
|
オリエンテーション。
|
直径
|
厚さ
|
ポーランド語
|
抵抗率
|
タイプドーパント
|
NC
|
モビリティ
|
EPD
|
|
PCS
|
（MM）
|
（ミクロン）
|
Ω・cmで
|
A / cm 3で
|
平方センチメートル/ Vsで
|
/ cm 2の
|
||||
|
1-100
|
InP
|
（111）
|
25.4
|
300
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
<3E16
|
>3500
|
<3E4
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
50.8
|
400±10
|
SSP
|
NA
|
N /
|
（5-50）E15
|
NA
|
<20000
|
|
1-100
|
InP
|
（111）
|
50.8
|
400±10
|
SSP
|
NA
|
P /亜鉛
|
〜1E19
|
NA
|
<20000
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
50.8
|
400
|
SSP
|
NA
|
N /
|
〜5E17
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（111）A
|
50.8
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
P /亜鉛
|
〜5E18
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（111）±0.5°
|
50.8
|
350
|
SSP
|
> 1E7
|
アンドープ
|
（1-10）E7
|
>2000
|
<3E4
|
|
1-100
|
InP
|
（100）/（111）
|
50.8
|
350-400
|
SSP
|
NA
|
N
|
（1-3）E18
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（111）
|
50.8
|
500±25
|
SSP
|
NA
|
アンドープ
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（111）A
|
50.8
|
500
|
SSP
|
> 1E7
|
アンドープ
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（111）A
|
50.8
|
500±25
|
SSP
|
NA
|
アンドープ
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（111）B
|
50.8
|
500±25
|
SSP
|
NA
|
アンドープ
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（110）
|
50.8
|
400±25
|
SSP
|
N / A
|
P / ZnのN / S
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（110）
|
50.8
|
400±25
|
DSP
|
N / A
|
P / ZnのN / S
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（110）±0.5
|
50.8
|
400±25
|
SSP
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）±0.5
|
50.8
|
350±25
|
SSP
|
N / A
|
P /亜鉛
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
N / A
|
50.8
|
500
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（111）B
|
50.8
|
400±25
|
N / A
|
> 1E4
|
N /テ
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（211）B
|
50.8
|
400±25
|
N / A
|
> 1E4
|
N /テ
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（311）B
|
50.8
|
400±25
|
N / A
|
> 1E4
|
N /テ
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（111）
|
50.8
|
N / A
|
SSP
|
N / A
|
N
|
（1-9）E18
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
N / A
|
50.8
|
4000±300
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
アンドープ
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
50.8
|
500±25
|
SSP
|
N / A
|
N / S
|
（1-9）E18
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
50.8
|
500±25
|
SSP
|
N / A
|
N / S
|
〜3E17
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）/（111）
|
76.2
|
600
|
SSP
|
NA
|
N
|
（1-3）E18
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（100）±0.5
|
76.2
|
600±25
|
SSP
|
NA
|
アンドープ
|
<3E16
|
>3500
|
<3E4
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
76.2
|
400-600
|
DSP
|
NA
|
アンドープ/鉄
|
NA
|
NA
|
NA
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
76.2
|
600±25
|
SSP
|
NA
|
N / A
|
N / S
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
76.2
|
600±25
|
SSP
|
NA
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
76.2
|
675±25
|
DSP
|
NA
|
N / A
|
（3-6）E18
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
76.2
|
600±25
|
DSP
|
NA
|
N / A
|
2.00E + 18
|
e
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）
|
76.2
|
600±25
|
DSP
|
NA
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（111）
|
10×10
|
500±25
|
SSP
|
NA
|
アンドープ
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
N / A
|
30-40
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InP
|
（100）2°+/- 0.1°のTNオフ（110）
|
50±0.2
|
500±20
|
SSP
|
≥1E7
|
SI /鉄
|
N / A
|
≥2000
|
≤5000
|
InPウエハのサプライヤーとして、我々はあなたが価格の詳細が必要な場合は、当社の営業チームに連絡してください、あなたの参照のためのInPウエハのリストを提供します
1）2 "InP基板
オリエンテーション：<100>±0.5°
タイプ/ドーパント：N / S; N /アンドープ
厚さ：350±25ミリメートル
モビリティ：> 1700
キャリア濃度（2〜10）E17
EPD：<5万センチメートル^ -2
ポリッシュ：SSP
2）1 "、2" InP基板
オリエンテーション：<100>±0.5°
タイプ/ドーパント：N /アンドープ
厚さ：350±25ミリメートル
モビリティ：> 1700
キャリア濃度（2〜10）E17
EPD：<5万センチメートル^ -2
ポリッシュ：SSP
8）2 "サイズのInGaAs / InP系エピタキシャルウエハ、私たちは、カスタム仕様を受け入れます。
基板（100）のInP基板
エピ層1：In0.53Ga0.47As層、アンドープ、厚さ200nmの
エピ層2：In0.52Al0.48As層、アンドープ、厚さ500nmの
epi層3：In0.53Ga0.47As層、アンドープ、厚さ1000nmで
トップレイヤー：In0.52Al0.48As層、アンドープ、厚さ50nmの
注：
***メーカーとして、我々はまた、研究者やファウンドリのために少量を受け入れます。
***配達時間：それは私たちが株式を持っている場合、我々はすぐに出荷することができ、我々は持っている株式に依存します。
|
InSbのウェーハ基質 - アンチモン化インジウム
|
||||||||||
|
数量
|
材料
|
オリエンテーション。
|
直径
|
厚さ
|
ポーランド語
|
抵抗率
|
タイプドーパント
|
NC
|
モビリティ
|
EPD
|
|
PCS
|
（MM）
|
（ミクロン）
|
Ω・cmで
|
A / cm 3で
|
平方センチメートル/ Vsで
|
/ cm 2の
|
||||
|
1-100
|
InSbの
|
（100）
|
50.8
|
500
|
SSP
|
N / A
|
N /アンドープ
|
<2E14
|
N / A
|
N / A
|
|
1-100
|
InSbの
|
（100）
|
50.8
|
500
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
N / A
|
InSbのウェーハサプライヤーとして、我々はあなたが価格の詳細が必要な場合は、当社の営業チームに連絡してください、あなたの参照のためのInSbウエハのリストを提供します
3）2 "のInSb
方位：（111）+ 0.5°
厚さ：450 +/- 50ええと
タイプ/ドーパント：N /アンドープ
キャリア濃度<5×10 ^ 14センチメートル-3
EPD <5×10 CM-2
表面粗さ：<15 A
ボウ/ワープ：<30ええと
ポーランド：SSP
5）2」のInSb
厚さ：525±25μmで、
オリエンテーション：[111A]は0.5℃、±します
タイプ/ドーパント：N /テ
RO =（0.020から0.028）オームcm、
NC =（4-8）E14cm-3 / ccで、
U =（4.05E5-4.33E5）cm2の/ Vsで、
EPD <100 / cm2の、
モビリティ：4E5cm2 / Vsで
一方の側縁。
0.1μmの（最終ポリッシュ）に研磨化学機械最終的な、：（A）の顔に
SB（B）顔<5μM（Lasermark）に研磨化学機械最終的
注：ノースカロライナとモビリティは77ºKです。
ポーランド：SSP、DSP
注：
***メーカーとして、我々はまた、研究者やファウンドリのために少量を受け入れます。 ***配達時間：それは私たちが株式を持っている場合、我々はすぐに出荷することができ、我々は持っている株式に依存します。
すべてのウェーハは、高品質のエピタキシー準備仕上げで提供されています。 表面は、Surfscan（登録商標）ヘイズ及び粒子監視、分光エリプソメトリー及び斜入射干渉計を含む、社内、高度な光学計測技術によって特徴付けられます
n型（1 0 0）のInAsウェーハにおける表面電子蓄積層の光学的性質にアニーリング温度の影響は、ラマン分光法によって調査されてきました。 それにより、非選別LOフォノンによる散乱ラマンピークはInAsの表面に電子蓄積層をアニールによって除去されていることを示す温度上昇と共に消失することを示します。 関与するメカニズムは、X線光電子分光法、X線回折および高分解能透過型電子顕微鏡により分析しました。 結果は、非晶質のIn 2 O 3及びAs 2 O 3相が焼鈍時のInAs表面に形成されており、一方、酸化層とウエハとの間の界面における層のような薄い結晶は、表面電子の蓄積の厚さが減少しているリード線を発生させることを示します吸着原子がアクセプタ型の表面状態を導入したよう以来の層