私たちは、MOCVD 技術によって製造され、非常に高い効率を実現する高品質の III-V 化合物材料で作られた GaInP/GaAs/Ge 三接合セルを実行しています。 従来の太陽電池と比較して、多接合太陽電池はより効率的ですが、製造コストも高くなります。 三重接合セルは、より費用対効果が高いです。 それらは宇宙アプリケーションで使用されます。 そして現在、次のような GaInP/GaAs/Ge エピウェーハ構造を提供しています。
1. GaInP/GaAs/Ge エピウェーハの仕様
厚さ(UM) | ||||||
層 | 材料 | モル | モル | タイプ | CVレベル(センチ-3) | |
画分(X) | フラクション(Y) | |||||
15 | ゲイン(X)と | 0.016 | 0.2 | N | > 5.00e18 | |
14 | ら(X)のInP | 0.04 | N | 5.00E + 17 | ||
13 | ゲイン(X)P | 0.1 | N | 2.00E + 18 | ||
12 | ゲイン(X)P | 0.5 | P | |||
11 | アリン(X)P | 0.1 | P | |||
10 | ら(X)のGaAs | 0.015 | P | |||
9 | GaAsの | 0.015 | N | |||
8 | ゲイン(X)P | 0.554 | 0.1 | N | ||
7 | ゲイン(X)と | 0.016 | 0.1 | N | ||
6 | ゲイン(X)と | 0.016 | 3 | P | 1-2e17 | |
5 | ゲイン(X)P | 0.554 | 0.1 | P | 1-2e18 | |
4 | ら(X)のGaAs | 0.4 | 0.03 | P | 5.00E + 19 | |
3 | GaAsの | 0.03 | N | 2.00E + 19 | ||
2 | ゲイン(X)と | 0.016 | 0.5 | N | 2.00E + 18 | |
1 | ゲイン(X)P | 0.554 | 0.06 | N |
我々はまた、太陽電池用途のためのGaAs上に成長させたエピタキシャル層(AlGaAs系、InGaPから)の異なる構造を持つ単接合およびデュアルジャンクションのInGaP / GaAs系太陽電池のエピウェハを、提供し、クリックしてください 太陽電池用InGaP/GaAsエピウェーハ
2. GaInP/GaAs/Ge ウェーハの XRD
図 a、b は、GaInP/GaAs/Ge ウェーハの結晶品質の XRD を示しています。
a.
b.
SOURCE:PAM-厦門
詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.