トリプルジャンクション太陽電池

トリプルジャンクション太陽電池

私たちは、MOCVD 技術によって製造され、非常に高い効率を実現する高品質の III-V 化合物材料で作られた GaInP/GaAs/Ge 三接合セルを実行しています。 従来の太陽電池と比較して、多接合太陽電池はより効率的ですが、製造コストも高くなります。 三重接合セルは、より費用対効果が高いです。 それらは宇宙アプリケーションで使用されます。 そして現在、次のような GaInP/GaAs/Ge エピウェーハ構造を提供しています。

1. GaInP/GaAs/Ge エピウェーハの仕様

        厚さ(UM)    
材料 モル モル タイプ CVレベル(センチ-3)
    画分(X) フラクション(Y)    
15 ゲイン(X)と 0.016   0.2 N > 5.00e18
14 ら(X)のInP     0.04 N 5.00E + 17
13 ゲイン(X)P     0.1 N 2.00E + 18
12 ゲイン(X)P     0.5 P  
11 アリン(X)P     0.1 P  
10 ら(X)のGaAs     0.015 P  
9 GaAsの     0.015 N  
8 ゲイン(X)P 0.554   0.1 N  
7 ゲイン(X)と 0.016   0.1 N  
6 ゲイン(X)と 0.016   3 P 1-2e17
5 ゲイン(X)P 0.554   0.1 P 1-2e18
4 ら(X)のGaAs 0.4   0.03 P 5.00E + 19
3 GaAsの     0.03 N 2.00E + 19
2 ゲイン(X)と 0.016   0.5 N 2.00E + 18
1 ゲイン(X)P 0.554   0.06 N  

 

我々はまた、太陽電池用途のためのGaAs上に成長させたエピタキシャル層(AlGaAs系、InGaPから)の異なる構造を持つ単接合およびデュアルジャンクションのInGaP / GaAs系太陽電池のエピウェハを、提供し、クリックしてください 太陽電池用InGaP/GaAsエピウェーハ

2. GaInP/GaAs/Ge ウェーハの XRD

図 a、b は、GaInP/GaAs/Ge ウェーハの結晶品質の XRD を示しています。

a.

GaInP/GaAs/Ge ウェーハの結晶品質の XRD 証明

b.

GaInP/GaAs/Ge Wafer-2 の結晶品質の XRD 証明

 

SOURCE:PAM-厦門

詳細については、メールでお問い合わせください。 victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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